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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
以化学组成ZnO:Al<,2>O<,3>=98:2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响.结果表明,热压温度与压力上升,靶材致密度增大;在AZO靶材的致密化过程中存在"反致密化"现象,这是由于连通气孔的合并与生长及闭合气孔率的升高引起的.在实验条件范围内,在热压工艺条件压力18 MPa、温度1150℃、保温保压时间90 min下.制备了AZO靶材.通过SEM观察热压靶材的断面形貌,阿基米德法测量靶材密度,水银压汞仪测量靶材的平均孔径及孔径分布,XRD测定靶材相结构,四探针测定电阻率等方法对AZO靶材的性能进行了分析表征,结果表明:结构为六方纤锌矿,密度为5.39 g·cm-<'-3>,靶材连通气孔率为0.05%,闭合气孔率为3.4%,电阻率为5.3×10<,-4>Ω·cm.采用射频溅射制备AZO薄膜,对靶材的使用性能及AZO薄膜性能进行了分析,表明靶材使用寿命大于150 W·h,薄膜在可见波段的平均透过率达到85.5%,电阻率达到3.1 x 10<,4>Ω·cm,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.  相似文献   

2.
以ZnO和Al_2O_3粉体为原料,按照98∶2(质量比)球磨混合制备氧化锌铝(aluminum zinc oxide,AZO)粉体,通过扫描电镜和透射电镜观察粉体形貌及均匀性,确立最佳混合工艺;将混合均匀的粉体进行煅烧预处理后进行热压烧结致密化试验,通过差热法分析原料性能,阿基米德法分析靶材密度以及压汞实验分析气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响。结果表明:微纳米粉体在球磨4 hr时Al元素分布均匀性最好,煅烧前的混合粉体在差热分析过程中失重0.43%并伴随放热效应;煅烧处理后粉体形貌类球形,在差热分析实验0℃-1000℃无失重,表明挥发组分排除干净且无异常放热效应,烧结性能得到优化。采用预处理的AZO粉体在不同热压温度和保温时间下制备AZO靶材,分析热压致密过程中平均孔径和闭孔率的变化规律。由此发现:在热压致密化初级阶段(温度900℃~1100℃时),连通气孔发生合并与生长,平均孔径先稍有收缩随后迅速增大为158 nm,同时闭孔率维持在0.5%以下,靶材密度不断上升;当温度升高至1150℃时,连通孔径逐渐缩小至108 nm,大量连通气孔转为闭合状态导致闭孔率迅速上升至7.2%以上,表明体系已经进入到热压深度致密化阶段。在1150℃、18 MPa下,保温时间延长到70 min时,连通气孔合并生长同时闭孔率异常增加至7%,孔径分布范围变宽导致出现反致密化现象;当保温保压时间延长至90 min时,气孔尺寸减小到136 nm,闭孔率下降至3.7%,靶材相对密度上升到96.2%,在较低压力和较短保温时间下实现了AZO靶材的深度致密化。  相似文献   

3.
分别以98:2(质量比)的ZnO–Al_2O_3混合粉体和预处理粉体为原料,在不同热压温度、压力、保温时间下,采用原位热压工艺制备铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,AZO)靶材。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察靶材晶粒形貌、阿基米德法测定试样密度、X射线衍射仪分析物相组成以及晶粒大小,四探针测试电阻率,研究靶材热压致密化过程中的晶粒生长规律及细晶高密靶材的制备工艺。结果表明:热压温度为900℃时,晶粒尺寸与原料粉体接近,颗粒之间只形成烧结颈,扩散反应不完全,掺杂替位效应弱,电阻率为0.284W×cm;热压温度上升至1000℃时,ZnO蒸发凝聚形成众多小颗粒导致衍射峰宽化,颗粒之间逐渐结合紧密,Al原子替位效应增强,电阻率降低至0.093W×cm;在热压温度为1100~1150℃时,靶材相对密度不断上升,体系中形成众多的岛状细晶,电阻率下降至1.5′10~(-4)W×cm;在温度1100℃时,随着压力的升高,靶材相对密度从15 MPa时的88.00%上升到35 MPa时的95.60%,晶粒尺寸略有减小;在热压温度1150℃时,随着保温时间的延长,晶粒尺寸生长有限,靶材的反致密化现象与晶粒生长无关。煅烧混合粉体在热压温度1150℃,压力18 MPa,保温时间90 min时,靶材相对密度最高达96.28%,电阻率低至1.6′10~(-4)W×cm,扫描电子显微镜观察晶粒细小,满足溅射靶材的性能要求。  相似文献   

4.
采用常压烧结和热压烧结分别制备了TiAl合金靶材,并采用溅射镀膜法制备了TiAl硬质涂层。对两种工艺所制备靶材的硬质涂层进行显微组织和相成分分析,并进行耐高温氧化性和力学性能测试。结果表明:采用常压烧结制备的靶材硬质涂层分散不均匀,且致密性较差,氧化速率较快,显微硬度仅为1 798 HV;而采用热压烧结制备的靶材硬质涂层具有高致密度、低孔隙率,晶粒尺寸细小且分布较为均匀,抗氧化性能显著提高,显微硬度高达3 165 HV,较前者提高了76%。  相似文献   

5.
将2:1摩尔比的CdO与SnO_2混合粉体进行原位热压烧结,制备Cd_2SnO_4。采用XRD衍射仪、四探针电阻测试仪和扫描电镜,分析热压气氛,Sb掺杂元素以及热处理工艺对Cd_2SnO_4靶材的物相结构和导电性能的影响。结果表明:900℃原位热压烧结时,由于温度低,扩散反应发生不完全,生成部分Cd_2SnO_4化合物,少量Cd和Sn元素仍以氧化物的形式存在,未出现第二相CdSnO_3;氩气烧结比真空烧结更有利于扩散和化合反应发生;掺杂1%(质量分数)Sb元素的靶材电阻率降低至0.5×10~(-3)Ω·cm。高温退火热处理时扩散反应得以继续,靶材中Cd_2SnO_4含量有明显增加。为了克服原位热压温度和保温时间的限制所引起的化合反应不完全,优化热压工艺如下:采用单相Cd_2SnO_4复合粉体为原料,热压温度为1050℃,保温时间2小时,所得靶材均匀且晶粒细小,致密度达到92%,电阻率低至3×10~(-4)Ω·cm,第二相CdSnO_3含量低于2%,满足了镀膜用Cd_2SnO_4靶材的性能要求。  相似文献   

6.
以氧化锆(ZrO_2)、硼酸(H_3BO_3)和碳粉(C)为原料,硼(B)粉为添加剂,采用碳热还原法合成硼化锆(ZrB_2)粉体,在真空碳管炉中,采用氩气气氛保护,加热升温至1900℃合成ZrB_2粉体,然后利用热压烧结,在70 MPa、温度1980℃、保温保压时间4 h的热压工艺制备ZrB_2靶材,对制备获得的ZrB_2靶材进行溅射镀膜表征。通过X射线衍射(XRD)分析产物物相,扫描电镜(SEM)观察产物微观形貌。研究结果表明:添加5%(质量分数)的B粉,可合成单一相ZrB_2粉体,颗粒平均尺寸为2~3μm,合成的ZrB_2粉体具有良好的烧结活性,在不添加任何烧结助剂的条件下采用热压烧结工艺可获得相对密度为93%的单一相ZrB_2靶材。磁控溅射镀膜表明,在功率密度60 kW·m~(-2)、连续溅射3 h条件下,沉积的膜层均匀致密,厚度约为8.6μm; 10次溅射实验表明,靶材溅射速率稳定,平均溅射速率约52.4 g·kWh~(-1)·m~(-2);且在相同溅射条件下,与进口商业化ZrB_2靶材的溅射速率性能相当。  相似文献   

7.
以化学组成Ag∶B=93∶7(质量比)的混合粉体为原料,采用热压烧结制备Ag-B靶材。通过阿基米德法测量靶材密度、扫描电镜(SEM)观察靶材断面形貌、X射线衍射仪(XRD)分析物相、差示扫描量热法(DSC)分析粉体相变,研究了热压工艺对靶材致密度和微观组织的影响,并探讨了Ag-B靶材的致密化过程。结果表明:Ag-B粉体在升温至1000℃过程中,Ag,B之间未形成固溶体或金属间化合物,但B的加入降低了Ag-B粉体的熔化潜热;在450~750℃温度范围内,温度升高靶材相对密度从81.8%增加至95.3%;烧结温度超过750℃后,出现"反致密化现象",800℃时靶材相对密度下降至89.2%;Ag-B靶材的相对密度随着热压压力、保温保压时间的增加而增加;相比较而言,烧结温度和保温保压时间是Ag-B靶材致密化的主要因素;在烧结温度750℃、保温保压时间120 min、压强28 MPa条件下,Ag-B靶材致密度达到95.3%。  相似文献   

8.
以碳粉、碳化硅粉体为原料,添加不同含量的硅粉为烧结助剂,在不同的热压工艺参数下制备C/Si 80%/20%(原子分数)复合靶材,通过扫描电镜(SEM)分析微观形貌、四探针测试电阻率、X射线衍射(XRD)分析晶体结构、压汞法测试气孔分布,分析Si粉的添加量、液相保温时间、原料预处理工艺对靶材致密化和均匀性的影响,优化硅碳复合(C/Si 80%/20%)靶材的热压烧结工艺。结果如下:(1)随着Si粉添加量增加,体系中液相含量增加,扩散传质速率加快,硅碳化合反应生成3C-SiC,体系中的Si元素全部以3C-SiC的形式存在,靶材的致密度逐渐增加,Si粉添加量为14%时,靶材的密度达到2.51 g·cm-3;开孔孔径分布随Si粉添加量的增加而逐渐减小至20 nm以下;靶材电阻率随Si粉添加量的增加而逐渐降低,Si粉添加量为14%时,电阻率降低50%。(2)在1350~1450℃,随着液相保温时间的增加,硅元素挥发并逸出,产生反致密化的现象,Si含量越高,反致密化越明显,密度降低至2.2 g·cm-3。(3)采用SiC/C/Si 6%/74%/14%组分体系,C/Si预球磨...  相似文献   

9.
以等离子电弧法制备的铟-锡氧化物(indium-tin oxide,ITO)纳米粉末为原料,采用冷等静压-烧结工艺制备ITO靶材,用排水法和涡流导电仪分别对ITO靶材的致密度和电阻率进行测量,研究烧结温度、升温速率、烧结时间以及气氛压力对靶材致密度和电阻率的影响。结果表明,在烧结温度为1 550℃、升温速率为500℃/h、烧结时间8 h、氧气气氛压力为0.02 MPa条件下制备的ITO靶材致密度和电阻率分别为99.54%和1.829×10-4?·cm,能够满足高端光伏、液晶显示屏(LCD)等领域对ITO靶材致密度和电阻率的要求。  相似文献   

10.
采用低压等离子喷涂成形技术制备了片状及回转体钼靶材,研究了钼靶材孔隙率、氧含量、微观结构、显微硬度及拉伸强度等性能,开展了片状钼靶材的磁控溅射镀膜研究。研究结果表明:低压等离子喷涂成形钼靶材为典型的定向凝固柱状晶层片结构,层片界面结合紧密,孔隙率约1.1%、氧质量分数为0.18%,显微硬度为HV0.025 361.8,抗拉强度达到373.2 MPa,各项指标均明显优于大气等离子喷涂成形钼制品。低压等离子喷涂成形片状钼靶材可磁控溅射沉积出平整、致密、连续的钼薄膜,镀膜厚度约700 nm,X射线衍射谱线表明钼薄膜为体心立方结构,沿(110)方向择优生长。磁控溅射离子的均匀轰击导致钼靶材表面快速溅射及均匀减薄,溅射表面及截面较为平整光滑,溅射凹坑均为纳米级。  相似文献   

11.
采用真空热压法制备了Cu–30Ni–5Nb合金,研究了热压温度对合金组织、相对密度、熔点及热导率的影响。结果表明,在800~950 ℃热压温度范围内,Cu–30Ni–5Nb合金的熔点先降低后升高,900 ℃时铜合金的熔点最低(1178.92 ℃);Cu–30Ni–5Nb合金的热导率先增大后减小,900 ℃时铜合金的热导率最大(30.65 W·m?1·K?1)。热压温度为875 ℃时,Cu–30Ni–5Nb合金具有较好的综合性能,相对密度为98.66%,熔点为1180.86 ℃,热导率为29.54 W·m?1·K?1,且合金屈服强度达到355.74 MPa,符合冷却水套的性能要求。  相似文献   

12.
采用熔融玻璃片制样,建立了测定AZO中Al的x-射线荧光光谱分析方法。校准样品采用光谱纯ZnO和A120,按照一定比例进行磨匀的方法进行配制,保证了校准样品中Al元素含量的准确性。根据AZO中Al元素的荧光强度和含量所具有的对应关系,并考虑到各元素之间的吸收与激发效应,经过校正拟合出Al元素的实际工作曲线。方法用于AZO中Al的测定,结果与ICP—AES法吻合,相对标准偏差(n=10)小于2%,完全能够满足生产的需要。  相似文献   

13.
真空热压技术在制备CuCr合金中的应用研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用真空热压新技术制造了高密度CuCr50合金,并与冷压成型技术进行了比较,分析了两种工艺合金的相对密度变化及显微组织,研究了真空热压工艺的致密化机理。  相似文献   

14.
A new kind of AZO powders were synthesized by co-precipitation method with the doping content of Al was 3.0 wt%. Further modification of La to the powders was done via a gaseous penetration processing. Changes in constitution,structure,and electrical conductivity caused by doping and penetration were characterized. The doping of Al lowered the resistivity of AZO powders from over 1×1014(ZnO made domestically) to 4.24×107 Ω·cm. But more effective modification via gaseous penetration processing decreased the resistivity of La penetrated AZO powders to the lowest point of 2.45×105 Ω·cm. The optimal penetration conditions coordinated by orthogonal test were that La3+ content of the penetration solvent was 2.0 wt.%,and that the penetration processing lasted for 5 h at the temperature of 480 oC. XRD analysis demonstrated that the doping process of Al only leaded to the changes of the peak width and intensity without new phases appearing. Yet,new phases appeared after the processing of gaseous penetration of La,which indicated that La enter the AZO powders thus complex reactions occurred to form the extra compounds. EDAX analysis,coupling with XRD,provided the evidence that La did exist in the penetrated AZO powders and the potential sign of the generation of extra compounds. Through SEM images,it was illustrated that the gaseous penetration processing progressed the growth of grain size in the shape of rod and generated distinguishable phases of extra compounds.  相似文献   

15.
采用常温镀膜技术在浮法玻璃表面沉积了不同方块电阻的氧化锌铝(Al-doped zinc oxide,AZO)透明导电膜,建立了透明导电膜的雷达散射截面(radar cross section,RCS)测试和研究方法;提出了基于雷达散射截面均值的相对反射率概念,结合方块电阻和可见光透过率综合分析了氧化锌铝透明导电膜的电磁散射特性.在微波暗室对不同方块电阻的氧化锌铝透明导电膜进行了测试,得到了10 GHz和15 GHz入射频率,水平(horizontal horizontal,HH)、垂直(vertical vertical,VV)极化的雷达散射截面曲线;从飞行器座舱隐身角度出发,研究了前向20°和60°角域雷达散射截面曲线分布特点,并分析了雷达散射截面均值影响特性;基于氧化锌铝透明导电膜雷达散射截面测试结果,研究了方块电阻对雷达散射截面相对反射率和可见光透过率的影响规律.研究表明,方块电阻较低时雷达散射截面曲线分布特性与对应金属相似,方块电阻增大时,前向两个角域内的RCS均值减小,隐身性能减弱,雷达散射截面相对反射率降低而可见光透过率增加,相对反射率降低速率大小与方块电阻相关,合适的方块电阻可同时满足隐身及采光需求.暗室测试结果表明,在满足座舱可见光透过率前提下,氧化锌铝透明导电膜方块电阻为18~45 Ω时,具有外形隐身作用,方块电阻18 Ω为最优,对应RCS相对反射率Rem2和RedB分别为84%和0.73 dB.   相似文献   

16.
将机械合金化所制得的铜铬合金粉末,采用热压烧结法制备成石墨/铜铬复合材料,并着重分析了其组织性能。结果表明,随着铬含量的增加,复合材料的相对密度和电导率逐渐降低,硬度逐渐升高,抗弯强度先升后降且于铬含量为1%时达到最大。其中含1%Cr和2%C复合材料的相对密度为99.82%,电导率为85.57%IACS,硬度为HBS 69.34,抗弯强度为330MPa。与常规冷压烧结法相比,热压烧结法所制备复合材料的晶粒更加细小,增强相分布更加均匀,故其综合性能更加优异。  相似文献   

17.
本论文研究了通过粉末冶金热压工艺制备镍铬钼合金的力学性能。结果表明:随着热压温度的提高,力学性能也提高。经过热压的镍铬钼合金材料具有较高的致密度,但是原料中使用的金属钼粉在热压过程中未能被充分固溶,合金的断口主要是以解理断口特征为主  相似文献   

18.
A new kind of AZO powders were synthesized by co-precipitation method with the doping content of Al was 3.0 wt%. Further modification of La to the powders was done via a gaseous penetration processing. Changes in constitution, structure, and electrical conductivity caused by doping and penetration were characterized. The doping of Al lowered the resistivity of AZO powders from over 1×1014 (ZnO made domestically) to 4.24×107 Ω·cm. But more effective modification via gaseous penetration processing decreased the resistivity of La penetrated AZO powders to the lowest point of 2.45×105 Ω·cm. The optimal penetration conditions coordinated by orthogonal test were that La3+ content of the penetration solvent was 2.0 wt.%, and that the penetration processing lasted for 5 h at the temperature of 480 °C. XRD analysis demonstrated that the doping process of Al only leaded to the changes of the peak width and intensity without new phases appearing. Yet, new phases appeared after the processing of gaseous penetration of La, which indicated that La enter the AZO powders thus complex reactions occurred to form the extra compounds. EDAX analysis, coupling with XRD, provided the evidence that La did exist in the penetrated AZO powders and the potential sign of the generation of extra compounds. Through SEM images, it was illustrated that the gaseous penetration processing progressed the growth of grain size in the shape of rod and generated distinguishable phases of extra compounds.  相似文献   

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