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相似文献
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专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。  相似文献   

2.
正专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、  相似文献   

3.
核反应堆中防护包壳的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
魏晓伟  沈保罗 《稀有金属》2002,26(4):304-306
综述了核反应堆中锆合金防护型包壳的研究进展。石墨或硅氧烷涂层包壳以及内衬锆或铜阻挡型包壳的广泛采用有效地阻止了PCI的产生 ,硅氧烷涂层的防护效果较石墨大 ,但制作这种包壳的成本较高 ;铜阻挡层防护作用较锆阻挡层低 ,已很少被采用。在这几种防护方法中 ,无论采用哪种方法都有效地阻止了PCI的发生 ,但有关防护机制和涂层及阻挡层锆合金包壳制作方法的研究还很少。为此 ,从涂层对裂变产物碘的影响和涂层及内衬金属与锆管内表面的结合等方面提出了今后的研究方向。  相似文献   

4.
W/Ti合金靶材及其制备技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了W/Ti合金扩散阻挡层在集成电路布线技术中的作用及应用情况。阐述了W/Ti合金靶材的特性参数一相对密度、微观结构、金属纯度,与W/Ti合金薄膜性能之间的关系,指出高密度、高纯度、富Ti相含量少的合金靶材是制备优良W/Ti合金扩散阻挡层薄膜的基本条件。介绍了制备W/Ti合金靶材的3种方法一真空热压、惰性气体热压、热等静压,并概述了不同方法制备的靶材性能上的差异,给出制备高性能W/Ti合金靶材的工艺条件。  相似文献   

5.
利用合金化热镀锌模拟的方法,研究了Ti-IF钢基板晶粒对合金化热镀锌镀层的影响。首先利用不同的退火温度分别获得等轴晶和未再结晶基板,然后进行热镀锌并在不同温度下进行合金化处理,分别获得纯锌、欠合金化及合金化镀层。利用扫描电镜和光学显微镜观察镀层的表面、截面形貌以及镀层/基板界面上的Fe-Al阻挡层形貌。结果表明,等轴晶基板表面的GA镀层"火山口"形貌明显,微观上镀层厚度不均匀;未再结晶基板表面的GA镀层则表面较平,无"火山口"形貌,镀层厚度均匀。造成上述差异的原因是:等轴晶基板晶粒表面的Fe-Al阻挡层不均匀,而未再结晶基板晶粒表面的阻挡层均匀,从而导致合金化过程中合金化速度和程度的差异。  相似文献   

6.
高纯钛的制取   总被引:5,自引:0,他引:5  
高纯钛作为溅射靶以TiSi_x、TiN膜的形式用作超大规模集成电路的控制电极、扩散阻挡层及配线材料等。材料中所含重金属  相似文献   

7.
采用电弧离子镀技术在DSM11合金与NiCoCeAlY涂层间沉积Al-O-N高温扩散阻挡层薄膜,研究了不同O2、N2流量对Al-O-N薄膜相结构的影响及高温下Al-O-N薄膜阻挡合金元素互扩散的行为.实验结果表明,电弧离子镀法沉积的Al-O-N薄膜为多晶膜,具有α-Al2O3+六方AlN的相结构,随着N2的增加,AlN相的含量增加.在1050℃下氧化100h后,Al-O-N层能有效阻挡DSM11合金中的Ti元素向外扩散,扩散阻挡层对涂层的氧化动力学影响不大.  相似文献   

8.
TC4钛合金在慢速率形变下的银脆行为   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用慢应变速率拉伸试验(SSRT)并结合断口分析,研究了镀银方式、镍阻挡层、表面压应力和温度等因素对TC4钛合金固态银致脆(SSIE)行为的影响,并对SSIE机制进行了理论分析。结果表明,在28×10-6·s-1慢速率提伸条件下,TC4于350℃以上表现出较显著的SSIE敏感性,SSIE下限温度约为280℃。银与TC4表面紧密结合是产生SSIE的必要条件。电镀(EP)银可引起TC4氢脆(HE)和SSIE双重破坏作用。镍阻挡层对TC4的SSIE裂纹萌生有一定抑制作用。TC4合金SSIE过程速率由银在裂纹表面自扩散速率与裂尖氧化膜破裂速率的相对大小决定。  相似文献   

9.
通过控制铝多孔氧化膜的孔径及分布,获得了适合铝电解电容器发孔的氧化铝模板;通过减薄阻挡层厚度工艺及腐蚀工艺的调整,获得了孔洞分布均匀的腐蚀箔,为开发高容量节能铝电容器新腐蚀工艺提供了新思路。  相似文献   

10.
李兵  彭建蓉 《云南冶金》1999,28(6):20-24
针对平果铝电解的现状, 分析了电解槽早期破损的原因, 指出主要是因电解槽无适当的炉帮保护和阴极隆起。经过研究和实践, 找到了改变小墙体使电解槽形成规整炉帮、加长炭块减少收缩裂纹、干式防渗料作底阻挡层等一些可行的方法, 使电解槽寿命比原来延长一年多。  相似文献   

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