CVD—ZnS中与锌有关的晶体缺陷及其对学学性能的影响

采用化学气相沉积（ＣＶＤ）法制轩了红外晶体ＺｎＳ块材料，用氩气作为载体，反应气体为硫化氢和锌锌蒸气，ＸＰＳ，ＩＲ及能谱分析表明，当沉只温度低于锌蒸发温度时，生成的ＺｎＳ中与有锌的关的晶体缺陷有Ｚｎ－Ｈ功能团及存在于花瓣状态形态中心的锌微粒夹杂，当沉积温度高于锌蒸发温度时，锌微粒夹杂消失，且随沉积温度的升高Ｚｎ－Ｈ含量减少，Ｚｎ－Ｈ对红外光在６．２μｍ波长处吸收峰减弱，使生成的ＺｎＳ具有高的红外透过     

化学刻蚀对玻璃表面的微结构和光学性能的影响

为了改善普通玻璃的透过率,采用化学刻蚀法,在不同的温度和时间条件下,用不同浓度的Na OH溶液对普通玻璃进行刻蚀,得到了具有减反增透的疏松表面。通过扫描电子显微镜(SEM)观察玻璃刻蚀前后的形貌变化,使用原子力显微镜(AFM)测试了玻璃刻蚀前后的三维形貌和粗糙度,通过紫外可见近红外分光光度计和接触角测试仪,测试了刻蚀后玻璃的光学性质和润湿性。结果表明,当Na OH溶液的浓度为0.04mol·L^-1、刻蚀温度为30℃、刻蚀时间为50min时,刻蚀后的玻璃表面出现了一层疏松的膜层,粗糙度增大,透过率提高到92.23%,玻璃的光学性能得到了提高。     

沉积温度、压力对CVDZnS晶粒尺寸及性能的影响EI北大核心CSCD

通过控制H2S流量(2±1)L/min、氩气流量(35±2)L/min,在不同沉积温度[(650±10)、(670±10)、(700±10)℃]、不同沉积压力[(5000±200)、(7000±200)、(9000±200)Pa]工艺条件下采用化学气相沉积法制备出原生ZnS(CVDZnS)样品。利用X射线衍射、金相显微镜、Spectrμm100 Fourier红外变换光谱仪对CVDZnS样品分别进行了物相分析、微观晶粒形貌观察以及2~15μm波段的红外透过率测试。结果表明:CVDZnS主要以立方相形式存在,有少量六方相,沉积生长的优先取向为s(111);金相分析表明在沉积压力为(5000±200)和(7000±200)Pa时,随着温度的升高平均晶粒尺寸有增大趋势,最大平均纵向晶粒尺寸值为15.5μm。平均纵向晶粒尺寸和平均横向晶粒尺寸的比值越接近"1",对于提高材料弯曲强度越有利。确定了在沉积温度为(670±10)℃、沉积压力为(7000±200)Pa工艺条件下,制备的CVDZnS可以有效提高2~5、7~10μm的平均透过率(~72.15%),降低6.0μm左右的吸收。     

红外材料硒化锌制备方法的研究进展

本文主要介绍了红外材料硒化锌制备方法的研究进展,尤其重点介绍了采用化学气相沉积法生产硒化锌的进展情况,介绍了化学气相沉积法两种反应体系的不同点。针对Zn-H_2Se-Ar体系,重点介绍了整个反应系统的结构及各个结构的作用。     

原料中TiO2对超白玻璃光学性能的影响

结合生产实际介绍了原料中TiO2的含量对超白玻璃颜色及透过率的影响。指出在超白玻璃的生产控制中,不仅仅要降低原料中的铁含量,还要控制原料中TiO2的含量,对保持超白玻璃的生产及质量稳定具有一定的指导意义。     

铝酸钙玻璃中羟基对红外透过性能的影响

采用不同熔化方法制备了铝酸钙红外玻璃并考察了其红外透过性能。研究了结构中的羟基对玻璃红外透过性能的影响。通过红外光谱和固体核磁共振技术对玻璃中羟基的结构特征、氢键结合状态以及红外吸收情况进行了研究和探讨。结果表明:羟基会引起铝酸钙玻璃在近红外2.9μm左右的宽带吸收,这是由于玻璃中羟基结构形式的多样化所造成的;在玻璃结构中,羟基与氢键结合会造成振动频率下降,红外吸收峰向长波移动,羟基氢键结合强度越大,长波移动越严重,羟基与氢键结合形式越多,羟基的红外吸收范围越宽;在铝酸钙红外玻璃中主要存在3种羟基存在形式:孤立羟基基团、邻近的羟基对和带有氢键的单个羟基。不同制备方法获得的玻璃结构中羟基存在形式基本相同。     

化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶

采用化学气相沉积(CVD)法,在Zn-Se-Hz-Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱,用光学显微镜观察了样品的显微形貌;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明：通过优化的生长工艺,生长温度在500～750℃,压力在100～1500Pa的范围内,可以制备出高质量ZnSe多晶体;在8～12μm波段范围内,其红外透过率达70％以上。     

红外遮光剂对硅酸盐隔热保温涂料性能的影响

分别选取六钛酸钾晶须(PTW),金红石型二氧化钛(TiO2)和钛溶胶作为红外遮光剂,以九水合硅酸钠为粘结剂,添加SiO2气凝胶等隔热填料,用机械搅拌的方法制备出硅酸盐隔热保温涂料.研究了红外遮光剂对涂料红外透过率,消光系数和导热系数的影响.结果表明:三种红外遮光剂中,钛溶胶分散性最好,掺杂钛溶胶的涂料红外透过率最低,消光系数最大,导热系数最低,可降低至0.032 W·m-1·K-1.     

石英晶体的条纹缺陷及其对透过率的影响

采用正交偏光条纹检测仪观察了水热法生长的光学石英晶体中的条纹缺陷,分析了光学石英晶体中条纹缺陷产生的原因和对晶体样品的透过率的影响。结果表明:晶体中的条纹缺陷主要是由在生长过程中籽晶中缺陷的遗传和高压釜中局部生长条件变化引起的。有条纹和无条纹缺陷晶体在400～800nm波段存在最高吸收峰,800～2500nm波段存在最低吸收峰。有条纹缺陷和无条纹缺陷晶体样品的透过率存在0.64%的差异。     

氟化铅晶体中针状缺陷的成因研究

利用光学显微镜观察了立方氟化铅晶体中的针状结构缺陷,根据ＸＲＤ,ＥＭＰＡ和透射光谱测试以及原料的ＸＲＤ和ＤＴＡ特征,认为这种结构缺陷属于斜方氟化铅,对试样的退实验证实,在高于氟化铅相变温度的条件下退火若干小时可以有效地消除这种缺陷,在上述基础上提出针状缺陷的形成与热应力作用下部分β－ＰｂＦ２向α－ＰｂＦ２的相转变有关,而针状缺陷的消除则被归在子退火后热应力的释放和在高于３６５℃温度下α－ＰｂＦ２向     

表面活性剂对氧化锌纳米棒形貌的影响与机理

分别以PEG400和PVA124为表面活性剂辅助水热法合成了氧化锌(ZnO)纳米棒.X射线衍射分析显示:产物为结晶良好的六角结构ZnO晶体,PEG400为表面活性剂制得的ZnO比PVA124为表面活性剂时的结晶性好.用透射电镜和选区电子衍射研究了不同表面活性剂对ZnO纳米棒形貌和结晶性的影响,解释了PEG400和PVA124对ZnO形貌影响的机理,并对ZnO的生长机制进行了初步探讨.     

PC注塑制品常见缺陷分析及解决方法

针对聚碳酸酯(PC)粘度高、热稳定性较差、成型加工困难的情况，对多年来注塑过程中遇到的各种制品缺陷及所采取的措施进行了深入的分析、总结。介绍了PC的加工特性及注塑制品中常见的变色、银纹、气泡、冷料斑及内应力等缺陷，分析其成因并提出了相应的解决方案。     

热丝CVD法高速生长金刚石膜研究

使用热丝ＣＶＤ研究了碳源种类，氧气含量，灯丝温度，基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优化工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ。     

铟掺杂氧化锌纳米线的制备及光致发光特性

采用化学气相沉积法合成了高质量的铟(In)掺杂的氧化锌单晶纳米线。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和粉末X射线衍射对其形貌与结构进行了表征。结果表明:纳米线的直径约为30nm,粗细均匀,具有六角纤锌矿结构。在纳米线的变温光致发光光谱中,由于In的掺杂,只观察到紫外发射峰,未见可见光发射峰;低温下的紫外发射来自于施主-受主对(donor-acceptor pair,DAP)的跃迁。随着温度的升高,DAP的跃迁逐渐减弱,在高于140K时,紫外发射来自于自由电子到中性受主(free-electron-to-neutral-acceptor,eA0)的跃迁。     

钨酸锌纳米棒的水热合成条件对其荧光及光催化性能的影响

以硝酸锌和钨酸钠为原料,采用前驱体一水热法制得了钨酸锌纳米棒.X射线衍射、透射电镜和扫描电镜等分析结果表明:所得产物为直径约20nm,长度约200nm的ZnWO4纳米棒.详细研究了水热温度和水热时间对纳米棒的形成、荧光发射强度以及对有机染料罗丹明B(maodamine B,RhB)光催化降解的影响.结果表明:水热温度为200℃,反应时间为16h得到的产品直径小,形貌均一,结晶度高且对RhB的光催化降解效率与商用光催化剂二氧化钛(P-25)接近.     

体块氧化锌单晶生长的研究进展

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管.综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZaO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理.介绍了体块ZaO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响.     

化学气相淀积反应器中成核与成膜控制

基于气溶胶动力学和化学反应动力学,建立了化学气相淀积(CVD)反应器中普适动力学方程,导出了CVD反应器中超细颗粒粒径分布谱函数和薄膜淀积速率的计算方法;研究了操作参数对钛酸丁酯高温裂解过程中成核与成膜的影响.用成核与成膜竞争判据——H准数,研究了CVD反应器中成核与成膜的控制策略.