SrBi4Ti4O15/Ag复合材料的制备及其介电特性

采用固相烧结工艺制备了SrBi4 Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,用X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量了样品的介电温度谱。结果表明：复合材料是由SBTi和Ag两相组成。金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下。随着烧结温度的提高,Ag颗粒的尺寸增大,但SBTi晶粒并无明显变化。Ag的加入可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数,但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入抑制了介电温度曲线介电常数的Curie峰。     

溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡铁电薄膜的研究

钛酸锶钡(BST)薄膜是一类重要的铁电薄膜材料。采用溶胶-凝胶法制备了不同组分的具有钙钛矿结构的BST薄膜。利用X射线衍射技术(XRD),研究了不同退火条件下BST薄膜的结晶特性,结果表明制备的BST薄膜形成了单一的钙钛矿结构;利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,结果表明制备的BST薄膜光滑,平整,无明显的孔洞和裂纹,且生长良好。BST薄膜的晶粒细致,排列整齐,分布均匀,呈现球状。     

溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜的研究

以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料,乙二醇单甲醚为溶剂,可以获得稳定的SBT溶胶和凝胶.采用Pt/Ti/SiO2/Si基片,通过溶胶-凝胶法在800℃经快速热处理制备出钙钛矿相SBT薄膜.XRD结果分析表明,薄膜的择优取向为(115)和(008),其饱和极化强度和剩余极化强度分别为Ps=8.8μC/cm2,Pr=5.2μC/cm2.     

硅基铌掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜溶胶-凝胶工艺的制备及铁电性改善研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了铌元素(Nb)取代Ti元素的Bi4Ti3O12(BTN)铁电薄膜,研究不同掺杂浓度,不同退火温度等工艺对BTN薄膜的微观特性及剩余极化强度、矫顽场等电性能的影响。研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显。铁电性方面,对Ti进行2%掺杂取代的BTN薄膜的铁电性能最佳。从而获得了BTN薄膜制备的合理工艺参数。     

流延法制备SrBi4Ti4O15压电陶瓷

采用同相法和熔盐法（KCl-NaCl作为熔盐）合成SrBi4Ti4O15陶瓷粉体，用模板晶粒定向技术（TGG）获得具有各向异性晶粒定向排列的SrBi4Ti4O15陶瓷。实验中，着重探讨了流延成型的工艺。分析表明，以预烧温度900℃模板和900℃固相粉体在1200℃烧结合成制得的流延片的取向度（79．52％）较高，定向排列程度较高，但由于实验过程中，添加了大量有机溶剂，所以有许多缺陷存在。以900℃模板在1200℃烧结的流延陶瓷片的介电性能最好.     

制备工艺对溶胶-凝胶法制备BeFeO3薄膜的影响

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基体上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。对不同退火温度和保温时间制备薄膜的微观形貌和铁电性能做了研究。X射线衍射仪（XRD）结果显示,不同的退火温度和保温时间并没有改变BiFeO3（BFO）的钙钛矿结构,但温度的改变会产生不同的晶相。通过扫描电子显微镜（FE-SEM）可以观察到,随着烧结保温时间的延长,薄膜晶粒有减小的趋势。P-E曲线结果表明,BFO薄膜在外加电场较高时易击穿,难以得到清晰饱和的电滞回线。     

BST铁电薄膜的制备、应用及其研究进展

综述了钛酸锶钡（BST）铁电薄膜的4种制备工艺：磁控溅射（Magnetron sputtering）法、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法、脉冲激光淀积（PLD）法,以及溶胶-凝胶（Sol-Gel）法.并介绍了BST铁电薄膜在动态随机存储器、非致冷红外探测器热成像、移相器等方面的应用及其研究进展.     

溶胶-凝胶法制备掺钙钛酸锶铋铁电薄膜

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了CaxSr1-xBi4Ti4O15(CxS1-xBT,x=0～1)铁电薄膜.研究了不同Ca2取代量对薄膜的微观结构、取向生长、铁电性能以及介电性能的影响.结果表明:当Ca2 取代量为x=0.4时,C0.4S0.6BT铁电薄膜样品在一定程度上沿a轴择优取向;样品致密性较好,晶粒呈球型,且大小均匀,尺寸约为100nm.C0.4S0.6BT薄膜的剩余极化强度为8.37μC/cm2,矫顽场强为72kWcm;在1 Hz～1 MHz频率范围内,相对介电常数为234～219,介电损耗为0.009～0.073.     

SrBi4Ti4O15铁电陶瓷的制备工艺研究

研究了固相反应合成SrBi4Ti4O15粉末的反应过程及不同预烧温度对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷物相结构的影响。对不同工艺条件对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷相对密度的影响进行了讨论，确定最佳工艺条件，预烧温度900℃，烧结温度为1100℃(Al2O3埋烧)。     

LaNiO3缓冲层厚度对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15薄膜结构和电性能的影响

利用溶胶–凝胶法在Si（100）衬底上制备了具有（110）取向的LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si（100）上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15（Ca0.4Sr0.6BTi）薄膜。研究了LaNiO3缓冲层厚度对Ca0.4Sr0.6BTi薄膜结构和电性能的影响。结果表明,当引入LaNiO3厚度为250 ...     

热处理工艺对钙锶铋钛铁电薄膜性能的影响

用溶胶-凝胶法和快速退火技术在带白金电极和钛过渡层的硅片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15,CsBT-0.4)铁电薄膜.结果表明:退火温度及保温时间对CSBT-0.4铁电薄膜的微观结构、晶粒取向以及铁电性能的影响较大.x射线衍射谱表明:退火温度为750℃、保温时间为5min,得到的CsBT-0.4铁电薄膜样品的晶粒大小较均匀且致密性好,而且晶粒以a轴取向的球状晶粒为主,剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为16.2 μC/cm2和130kV/cm.     

PZT薄膜晶化过程的相变及铁电畴监测

采用射频磁控溅射法，在室温Pt／Ti／SiO_2／Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜，经不同温度，相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD，AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构，并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microsco-py，PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴。结果表明：PZT薄膜晶化发生在550℃，PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴。650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向，用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴。由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)％和(97.3±0.2)％。PFM结合XRD，AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径。     

共沉淀法制备Bi3.25La0.75Ti3O12纳米粉体

用硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料，硝酸、无水乙醇和去离子水为溶剂，氨水为沉淀剂，采用共沉淀法合成了单相铋层状钙钛矿结构Bi3.25La0．75Ti3O12(BLT)纳米粉体。用DTA／TG和XRD研究了BLT前驱体的热行为和晶相转化过程，用场致发射扫描电子显微镜观察了BLT粉体的颗粒形貌和大小的变化。结果表明：共沉淀前驱体溶液的配制过程中，硝酸铋水解生成的硝酸氧铋不利于层状钙钛矿结构BLT相的合成。利用浓度较高的硝酸作溶剂，可以防止硝酸铋的水解，采用氨基共沉淀法直接合成出了单一相的BLT纳米粉体，在煅烧过程中，未出现Bi2Ti2O3焦绿石相。700℃煅烧2h合成的BLT粉体颗粒不大于100nm，颗粒间结合疏松，具有良好的分散性。     

模板晶粒生长技术制备织构化SrBi2Nb2O9陶瓷

以熔盐法合成各向异性的片状单相SrBi2Nb2O9(SBN)陶瓷粉体作为模板,采用模板晶粒生长(templated grain growth,TGG)技术制得织构化SBN陶瓷.研究结果表明:随着烧结温度的升高和模板数量的增加,其晶粒取向率升高.当模板数量(质量分数)为20%时,在1 300 ℃烧结3 h可获得晶粒取向率为0.86的织构化SBN陶瓷.同时,TGG技术制得的织构化SBN陶瓷的相对体积密度在烧结温度低于1 300 ℃时,随烧结温度的升高而升高;在1 300 ℃时为91.22%;在高于1 300 ℃时开始下降.     

熔盐法合成片状BaBi4Ti4O15粉体

以NaCl-KCl为助熔剂,熔盐法合成了片状BaBi4Ti4O15粉体.采用X射线衍射分析粉体的相结构,用扫描电镜观察其微观形貌,研究了不同预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及相结构的影响.结果表明;在850～1 050℃范围,可生长出各向异性的片状BaBi4Ti4O15粉体;随着温度的升高,合成粉体的片状更趋明显,但生长各向异性程度减小;生长各向异性粉体的最佳预烧温度为850～950℃.当熔盐含量与反应物的质量比小于1时,晶粒尺寸随熔盐含量增加而增大;当熔盐含量继续增加时,粉体的晶粒尺寸反而减小.     

YSZ薄膜的溶胶—凝胶法制备及其电导性能

应用溶胶－凝胶方法制备了ＹＳＺ薄膜，通过ＸＲＤ，ＳＥＭ和低频阻抗分析仪等分析手段，研究了ＹＳＺ薄膜的相结构，形貌特征及其电导性能，结果表明，应用溶胶－凝胶方法制备的ＹＳＺ薄膜经８００℃以上热处理后形成完整的立方相结构，随着烧结温度的升高，薄膜表面变得致密，气孔明显减少，至１０５０℃时，薄膜表面光滑，无裂纹，无针孔，圆球形的小颗粒均匀分布，薄膜与衬底的结合紧密，薄膜厚度均匀，膜厚约为１．０μｍ，阻抗     

溶胶-凝胶法制备中孔炭材料及其表征

以正硅酸乙酯为无机模板硅源，蔗糖为炭前驱物，采用溶胶-凝胶法制得了比表面积达1073．36m^2／g，孔径分布集中，平均孔径为2．75nm的中孔炭材料，并采用FT—IR、N2吸附、TG—DTA和XRD等分析手段对其进行了表征。