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1.
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SrBi4Ti4O15/Ag复合材料的制备及其介电特性 被引次数：1
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黄平 徐廷献《硅酸盐学报》,2004年第32卷第9期
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采用固相烧结工艺制备了SrBi4 Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料，用X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究，并测量了样品的介电温度谱。结果表明：复合材料是由SBTi和Ag两相组成。金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下。随着烧结温度的提高，Ag颗粒的尺寸增大，但SBTi晶粒并无明显变化。Ag的加入可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数，但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入抑制了介电温度曲线介电常数的Curie峰。
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2.
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退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结微观结构与性能的影响
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任明放 王华《无机材料学报》,2008年第23卷第4期
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采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时, SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700°C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700°C范围内,Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650°C后漏电流密度明显增大,经650°C退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
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3.
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退火温度对Pt／SrBi2Ta2O9／BiaTi3O12／p—Si异质结微观结构与性能的影响
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任明放 王华《无机材料学报》,2008年第23卷第4期
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采用sol-gel工艺制备了Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结．研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响．研究表明：成膜温度较低时，SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜，但随退火温度升高，Bi4Ti3O12薄膜沿C轴择优生长的趋势增强；经不同退火温度处理的Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性，且回滞窗口随退火温度升高而增大，经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0．78V；在550～700℃范围内，Pt／SrBi2Ta2O9／Bi4Ti3O12／p—Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降，当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大，经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2．54×10^-7A／cm^2的最低值．
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4.
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低温烧结SrBi4Ti4O15／Ag复合材料的制备及其介电特性
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黄平 徐廷献《稀有金属材料与工程》,2005年第34卷第7期
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摘要：采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)／Ag铁电复合材料，通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究，并测量样品的介电温度谱。结果表明：复合材料是由SBTi和Ag两相组成。微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1120℃降低到950℃以下：可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数，但对材料的介电损耗影响很小。同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰。
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5.
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层层组装晶种法制备Mg-MOF-74膜及其分离性能
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李芳 李其明 于晓飞 鲍新侠 刘浩林 贾坤《化工学报》,2015年第66卷第1期
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以2,5-二羟基对苯二甲酸和乙酸镁溶液为原料通过交替浸渍层层组装法在α-Al2O3载体表面预置晶种层,再利用二次生长法制备出连续而致密的Mg-MOF-74晶体膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对膜进行了表征。实验结果表明:相比于原位溶剂热合成法,通过2,5-二羟基对苯二甲酸和乙酸镁交替浸渍层层组装法可以增强Mg-MOF-74与氧化铝基体之间的附着效果,提高晶体薄膜的致密性与连续性,实验发现4次交替浸渍层层组装预置晶种可以制备出具有分子筛分性能的Mg-MOF-74晶体膜,单组分气体渗透测试表明其H2/CO2的理想选择性可以达到8.96,高于其努森扩散选择性。XRD测试表明该晶体膜的特征衍射峰与文献报告的粉末MOF-74完全一致,表明Mg-MOF-74晶粒以无取向形式生长于氧化铝载体表面。SEM表征表明Mg-MOF-74晶粒呈麦粒状微观外形,其BET比表面积可以达到1182 m2·g-1。
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6.
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高能喷丸对TA2表面TiN薄膜生长和力学性能的影响
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张聪惠 高鹏 王耀勉 胡晓《稀有金属》,2018年第8期
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利用脉冲磁控溅射法分别在工业纯钛TA2表面和高能喷丸(HESP)工业纯钛TA2表面沉积Ti N薄膜,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析Ti N薄膜的形貌、晶体结构,采用划痕仪、纳米压痕仪测量Ti N薄膜的膜基结合力、硬度和弹性模量,研究TA2基材HESP对Ti N薄膜生长和力学性能的影响。结果表明:在脉冲磁控溅射条件下,基材HESP可改变Ti N薄膜生长择优取向,原始基材表面Ti N薄膜为(200),(220)晶面共同择优生长,而HESP 20 min基材表面(200)面择优取向十分明显;基材HESP可改变Ti N薄膜生长方式,原始基材表面Ti N薄膜为混合生长,HESP基材表面薄膜变成层状生长,使薄膜更致密;基材HESP可提高Ti N薄膜膜基结合力,原始态基材表面Ti N薄膜结合力为21.4 N,HESP 20 min基材表面Ti N薄膜结合力达到42.3 N,提高了约一倍;基材HESP可以提高Ti N薄膜抵抗塑性变形能力,且原始基材表面Ti N薄膜硬度和弹性模量最小,分别为30.1,343.6 GPa,HESP 20 min基材表面Ti N薄膜硬度达到35.1 GPa,弹性模量达到347.9 GPa。
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7.
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Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备
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肖清泉 谢泉 余志强 赵珂杰《材料导报》,2010年第24卷第18期
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采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nm Mg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小.
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8.
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Mg2Si半导体薄膜的热蒸发制备
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余宏 谢泉 肖清泉 陈茜《功能材料》,2013年第44卷第8期
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采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
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9.
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退火工艺对Nd掺杂Ca0．4Sr0．6Bi4Ti4O15薄膜的性能影响
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张伟《山东建筑大学学报》,2009年第24卷第6期
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利用Sol-Gel法、快速退火工艺在Pt(100)/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了Nd掺杂的Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.分别研究了退火工艺中热解温度、退火温度对C0.4S0.6NT薄膜取向及铁电性能的影响,并探讨了C0.4S0.6NT薄膜取向生长的微观机制.XRD衍射分析表明:350℃热分解温度得到的薄膜I(200)/I(119)达到最大;退火温度达到700℃,薄膜中的Bi2Ti2O7相全部转化成铋层状钙钛矿相;P-E电学性能测试显示:退火温度高有助于提高薄膜的剩余极化(Pr);350℃热分解温度,750℃退火温度得到高(200)取向的薄膜,铁电性能较好,Pr 和Ec分别为14.2μC/cm2和84.5kV/cm.
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10.
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退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响
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程峰 钟玉荣 王宝义 王天民 魏龙《核技术》,2008年第31卷第1期
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采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得241Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额.结果表明,该CsI薄膜沿(200)晶面择优取向生长.退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响.CsI薄膜经过250℃退火后,(200)晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400℃时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降.
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11.
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快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响
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杨秋旻 刘超 张家奇 崔利杰 曾一平《半导体技术》,2013年第2期
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研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。
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12.
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Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
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邓荣斌 王茺 陈寒娴 杨瑞东 秦芳 肖军 杨宇《功能材料》,2008年第39卷第5期
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对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.
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13.
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燃焰法沉积金刚石薄膜的成核与生长
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黄树涛 姚英学《哈尔滨工业大学学报》,1996年第28卷第4期
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用扫描电镜研究了燃焰法沉积金刚石薄膜的成核与生长行为．分析了从成核至形成连续膜期间金刚石晶粒的生长特点．研究了沉积时间对金刚石薄膜晶体形态和表面形貌的影响。
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14.
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Influence of Helium on Microstructure and Electrochemical Properties of LiFePO4 Thin Films Electrodes
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王 茂 汪 渊《稀有金属材料与工程》,2015年第44卷第11期
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提出利用氦渗透法优化LiFePO4材料的结晶生长过程，达到提高材料电化学性能的目的。采用磁控溅射法制备含氦LiFePO4薄膜电极，利用扫描电镜观察样品的微观形貌，发现样品表面与截面皆呈现多孔结构。用X射线衍射仪分析含氦LiFePO4薄膜电极的晶体结构。结果表明，氦渗入薄膜后显著增强了材料在29.81o的衍射峰强度，而此处正对应了锂离子在LiFePO4材料中的扩散路径（[010] 方向）。这表明含氦LiFePO4薄膜中存在有利于材料脱锂/嵌锂的结晶择优生长取向，会导致薄膜电极电化学性能的提高。
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15.
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层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究
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苏东 姚阳阳 丁勇 徐庆宇 陈恺 刘建设 朱劲松 王业宁《哈尔滨理工大学学报》,2002年第7卷第6期
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利用电子显微镜比较研究了SrBi_2Ta_2O_9(SBT),Bi_3TiTaO_9(BTT),Bi_4Ti_3O_12(BTO),Bi_3.25La_0.75Ti_4O_12(BLT),SrBi_4Ti_4O_15-Bi_4Ti_3O_12(SBTi-BT)和SrBi_4Ti_4O_15-Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(SBTi-BLT)各自的畴结构和形态,并讨论了可能的相关机制.研究结果发现:90°畴的形态和密度各不相同,均受材料本征的内应力影响;90°畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好.
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16.
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连续离子层吸附与反应法(SILAR)生长ZnO多晶薄膜的研究 被引次数：1
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高相东 李效民 于伟东《无机材料学报》,2004年第19卷第3期
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采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH_3)_4]~(2+))为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH_3·H_2O]/[Zn~(2+)]比率可提高ZnO薄膜生长速率.
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17.
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聚己内酯/纳米Si3N4复合材料的非等温结晶研究
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徐淑杰 程国君 钱家盛 夏茹《化工新型材料》,2013年第41卷第1期
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采用溶液成膜法制备纳米Si3N4/聚己内酯(PCL)复合材料,并通过DSC、偏光显微镜及透射电镜等研究手段分析了纳米Si3N4颗粒对PCL的非等温结晶行为和微观形态的影响。结果表明:改性后的纳米Si3N4粒子在PCL基质中的分散性好于未改性纳米Si3N4;纳米Si3N4具有明显的成核效应,加快了PCL的前期结晶速率,对由成核控制的聚合物结晶前期阶段具有积极作用,而对晶体的生长则具有限制作用,导致聚合物结晶后期速率缓慢,晶体尺寸变小,结晶度下降;当纳米Si3N4的含量为5%时,聚合物结晶温度出现最大值;加快降温速率与添加纳米粒子对聚合物结晶行为的影响具有相似的效果。
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18.
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SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究
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周志刚 朱丽丽 郭冬云 王耘波 徐静平《信息记录材料》,2001年第2卷第4期
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用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。
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19.
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原子层沉积制备VO2薄膜及特性研究
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李建国 惠龙飞 冯昊 秦利军 龚婷 安忠维《真空科学与技术学报》,2015年第2期
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原子层沉积(ALD)技术在制备薄膜时因具有厚度精确可控、三维均匀性好以及可以实现大面积成膜和低的成膜温度等优点而使其在各个领域受到广泛关注。本文采用ALD技术,以VO(acac)2和O2分别为钒源和氧源,使用不同的沉积温度(420~480℃)和退火条件(自然冷却、4和8h程序降温)在玻璃基底表面制备VO2薄膜。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射以及扫描电镜对薄膜的价态、结晶状况及表面微观形貌进行表征;通过四探针测试仪对所制备薄膜的半导体-金属相变特性进行了研究。实验结果表明:VO2薄膜相变特性与其微观结构和晶体取向有着直接关系。选择ALD脉冲时序为[10s-20s-20s-20s],循环周期数为300,在450℃沉积且采取自然冷却所制备的VO2薄膜结晶状态良好,相变前后薄膜方块电阻突变量大,具有良好的热致相变特性。因此,该ALD技术可以制备相变特性较好的VO2薄膜。
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20.
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脉冲准分子激光CuO－SnO_2薄膜沉积及其结构分析
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方国家 刘祖黎 张增常 王豫 刘春 王昕玮 姚凯伦《无机材料学报》,1996年第4期
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采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．
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