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氮化硅结合碳化硅制品具有耐磨损,抗侵蚀,高温强度大,抗热震性好等优点,近年来其应用领域不断扩大,用量正在迅速增加。其中杂质SiO2直接影响氮化硅结合碳化硅制品的抗碱蚀能力,其含量是氮化硅结合碳化硅制品的重要质量指标之一。目前,这类材料中SiO2的测定方法还没有国家标准。 相似文献
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周宝海 《陶瓷研究与职业教育》1989,(3)
一、前言近年来从节省能源、资源以及提高制品性能的观点出发,需要能有超越金属材料使用温度的新型高温材料。氮化硅、碳化硅等材料的致密烧结体是最理想的新型高温材料。氮化硅、碳化硅比重小、耐磨性强、耐化学腐蚀性优良,在高温下具有很高的强度,碳化硅的烧结温度为2000~2200℃,氮化硅的烧结温度为1700~1800℃。当加热到1000℃时氮化硅的强度高于碳化硅的强度, 相似文献
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铝电解槽用氮化硅结合碳化硅砖的生产广泛地采用反应烧结法,即单质硅粉和碳化硅混合在氮气气氛下烧结而生产氮化硅,单质硅粉的加入量对氮化硅的含量以及氮化硅结合碳化硅砖抗冰晶石侵蚀性能有着重要的影响.模拟挪威SINTEF实验室抗冰晶石试验方法,研究了单质硅粉加入量对氮化硅结合碳化硅制品的抗冰晶石侵蚀性能的影响,为氮化硅结合碳化硅砖的生产和应用提供依据;结果表明,单质硅粉加入量为17%时试样的抗冰晶石侵蚀性能最佳;对氮化硅结合碳化硅抗冰晶石侵蚀机理研究表明,在有氩气保护的环境下,侵蚀机理方面主要是氟盐从气孔对砖的渗透,而F-和Na+的渗透力最强. 相似文献
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氮化硅结合碳化硅具有优异的力学性能、抗蠕变性能、抗热冲击性能、热学性能和抗化学侵蚀性能,被广泛应用于冶金、化工、机械和国防军工等领域。氮化硅结合碳化硅的服役环境恶劣,材料的力学性能、抗热震性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能是影响其服役寿命的关键。本文针对如何提升氮化硅结合碳化硅材料的服役性能,对氮化硅结合碳化硅力学性能、抗热震性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能的优化工艺和技术原理进行了总结与归纳。目前,氮化硅结合碳化硅性能优化的主要措施有:(1)合理选择原料的组分配比、颗粒级配、结合系统和烧结制度;(2)添加含Fe、Co、Ni或Cr等催化剂,促进硅粉的氮化和氮化硅晶须的生长;(3)添加烧结助剂或增强相,促进材料的烧结致密化或材料中高熔点第二相的生成。 相似文献
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氮化硅结合碳化硅材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文系对省部级攻关项目“氮化硅结合碳化硅材料和制品的开发研究”研究部分的总结,分别对氮化硅结合碳化硅材料制备过程的颗粒级配,浆料外加剂,部分成形技术和准静态氮化工艺进行了研究. 相似文献
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以Si3N4结合SiC材料为基础,通过添加不同形态的碳纳米材料来改善其力学性能.采用Si和SiC为主要原料,添加不同含量(1wt%和3wt%)的石墨烯(GPL)和碳纳米管(CNT),氮气气氛下,在1600℃烧结制备Si3N4结合SiC复合陶瓷材料.对试样的气孔率、体积密度和耐压强度等基本烧结性能进行了测试.借助XRD和SEM等方法对试样的物相组成和显微结构进行了表征.实验结果表明,当石墨烯含量为1wt%时,Si3N4/SiC的耐压强度为207MPa,试样的体积密度及显气孔率较好.当碳纳米管含量为3wt%时,力学性能增强,耐压强度达到了247MPa. 相似文献
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显微结构对Si_3N_4(Si_2ON_2)结合SiC质棚板性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过X射线衍射、扫描电镜、压汞议、立体显微镜等检测手段,对Si3N4(Si2ON2)结合SiC质棚板的显微结构进行了剖析,揭示了显微结构对SiC质棚板宏观性能的影响。认为结合相的抗氧化性及氧化“釉层”的稳定性是决定棚权使用寿命的关键;气孔结构及分布是影响Si3N4(Si2ON2)结合棚极热震稳定性的重要因素。 相似文献
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Si3N4结合SiC窑具的研究和开发 总被引:4,自引:0,他引:4
有关反应烧结Si_3N_4结合SiC方面的资料和报导甚多,但总体观之,都是从某一方面加以论述,且目前大生产较为成功的仅限于钢炉衬砖。本文通过对Si_3N_4结合SiC窑具的研究和分析及大量的文献索引,较为系统的报导了反应烧结Si_3N_4结合SiC窑具的成型、烧结过程及其缺陷,并分析了其抗氧化性能及抗热震性能。 相似文献
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将光伏废料经酸洗除杂后,与硅粉按85∶15的质量比配料,以聚乙二醇做结合剂,成型为10 mm×10 mm×20 mm的生坯后,在1380℃保温2 h氮化制成Si3N4-SiC材料,然后研究了该Si3N4-SiC材料的抗氧化性和抗侵蚀性。结果表明:1)制备的Si3N4-SiC材料在空气气氛中抗氧化性较好,主要是由于其氧化产物Si2N2O和SiO2填充气孔,促进烧结,提高了试样的致密度。2)在静态熔盐(Na3AlF6)中的抗侵蚀性能较好,主要是由于Na3AlF6渗入气孔中,使其显气孔率降低。3)在动态熔盐中的抗侵蚀性相对变差,主要是由于CO2气体的搅拌和对Si3N4、SiC的氧化二者共同作用的结果。 相似文献