铅硼玻璃含量对(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷性能与显微结构的影响

采用常规电容器陶瓷制备工艺，研究了铅硼玻璃加入量对(Ba，sr)TiO3(BST)基电容器陶瓷性能的影响。利用SEM研究了铅硼玻璃对BST基电容器陶瓷微观结构的影响。探讨了铅硼玻璃加入量对BST基电容器陶瓷性能和结构的影响机制。结果表明：铅硼玻璃是通过细晶化，降低烧结温度，形成铅硼玻璃——(Ba，sr)TiO3基复合材料等来影响瓷料性能和结构。当添加4．0wt％铅硼玻璃时，烧结温度为1150℃，介电常数为3240，介损损耗为O．011，电容温度变化率≤50％。     

Zn2+掺杂对0.965MgTiO3-0.035SrTiO3微波介质陶瓷结构与性能影响研究

采用固相反应法制备了0.965 MgTiO3-0.035SrTiO3 (MST)微波介质陶瓷,选用Zn2+对MST陶瓷进行了A位离子掺杂,研究了不同Zn2+掺杂量对陶瓷烧结性能、晶相组成、显微结构及微波介电性能的影响.结果表明,Zn2的掺入促进了陶瓷的烧结,显著提高了陶瓷的致密度,且没有改变陶瓷的主晶相.在掺杂量小于0.04mol％范围内,随着Zn2+掺杂量的增加,陶瓷的介电常数增加,品质因素和频率温度系数略有降低.中间相MgTi2 O5的衍射峰强度随着Zn2+掺杂量的增加逐渐减弱直至完全消失.当Zn2掺杂量为x=0.03时,陶瓷的烧结温度由1380℃降低至1290℃,并呈现优异的微波介电性能:εr=22.51,Q×f=16689 GHz,τf=-4.52×10-6/℃.     

固有烧结温度低的微波介质陶瓷

微波介质陶瓷是现代通讯技术中的关键基础材料。在制备多层微波介质片时,为了使用Cu、Ni等低熔点电极,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。开发固有烧结温度低(<1060℃)同时具有良好性能的微波介质材料成为必然的选择。本文简要介绍了7类固有烧结温度低的微波介质陶瓷的烧结特性与微波介电性能,同时也指出了研究中存在的一些问题。     

MgTiO3-Bi4Ti3O12微波介质陶瓷的制备及性能研究

采用传统固相法制备了Bi4Ti3O12掺杂的MgTiO3陶瓷,研究了其对MgTiO3陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响。通过测试分析发现,Bi4Ti3O12不仅可以显著降低陶瓷的烧结温度,同时还可以大大提高其介电常数,当Bi4Ti3O12/MgTiO3摩尔比为0.02时,MgTiO3-0.02Bi4Ti3O12陶瓷的最佳烧结温度为1 150℃,介电常数为31.99。     

单相钛酸镁微波介电陶瓷的制备和性能(英文)

以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz.     

MgTiO3基微波介质陶瓷研究进展

本文综述了MgTiO3基微波介质陶瓷的性能与最新研究进展,分析了不同添加剂对MgTiO3微波介电性能的影响;总结了MgTiO3材料改性研究的途径及性能;指出了MgTiO3基材料存在的问题与今后的发展方向.     

添加剂对MgTiO3陶瓷性能的影响

研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料的MgTiO3陶瓷的介电常数分别为20.8,17.5和19.8,在5～20MHz下,介电损耗低,多为10-4数量级;在10kHz下,介电常数的温度系数在-66×10-6/℃左右,是一种性能良好的微波介质材料。     

铋基烧绿石陶瓷及其微波特性

介绍了低烧结温度的铋基烧绿石系介质陶瓷的结构特点和微波响应行为。以铋基烧绿石中典型的Bi2O3-ZnO-Nb2O3系及其四元系固溶体陶瓷为例，详述了这些体系的相结构、相变及其改变其微波介电性能的途径。指出低烧结温度的铋基烧绿石系介质陶瓷的基本实验制备工艺与检测技术，并讨论了进一步降低烧结温度的方法，对其今后的发展进行了展望。     

BaCu(B_2O_5)助烧对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

研究了BaCu(B2O5)的掺入对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3微波介质陶瓷介电性能的影响。用XRD和SEM分析其相组成及微观形貌。结果表明:BaCu(B2O5)的加入能够使0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷的烧结温度降至1100℃并有效抑制第二相MgTi2O5的形成。在1100℃烧结3h,加入3wt%BaCu(B2O5)的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷获得了较好的介电性能:εr=22.9,Q×f=25,000GHz(7GHz),τf=-3.3ppm/℃(7GHz)。     

低温烧结Mg_4Nb_2O_9-0.75wt%V_2O_5-1.5wt%Li_2CO_3微波介质陶瓷及其性能研究

采用高能球磨法制备陶瓷,研究了0.75wt%V2O5和1.5wt%Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷的烧结性能和微波介电性能的影响。实验结果表明0.75wt%V2O5和1.5wt%Li2CO3共掺杂有助于Mg4Nb2O9陶瓷在烧结过程中形成液相,促进低温致密化烧结,进而降低陶瓷的烧结温度。900℃烧结Mg4Nb2O9陶瓷,结构致密、组织均匀,平均粒径0.75μm,εr=12.58,Q×f=5539 GHz。随烧结温度升高,晶粒长大,密度升高,εr和Q×f值增大。微波介电性能表征表明Mg4Nb2O9-0.75wt%V2O5-1.5wt%Li2CO3陶瓷在950℃下低温烧结,获得εr=13.07,Q×f=10858GHz的亚微米级陶瓷,其优良的微波介电性能使其有望成为新一代低温烧结低介高频微波介质基板材料。     

ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产     

微波陶瓷在高阻带低损耗介质滤波器上的应用研究

研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。介绍了用掺入ZnO的ZST系微波陶瓷材料制作高阻带、低损耗介质滤波器的方法;分析了影响滤波器插入衰耗的主要因素。通过对制造的滤波器测试结果表明;其电性能满足设计要求。     

添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究进展

综述了添加剂对钛酸镁陶瓷性能影响的研究现状,烧结及介电性能等方面的进展。研究结果中可以看出,Bi2O3-V2O5、Co2O3、ZnO等氧化物及氧化物玻璃料的添加可以不同程度地大幅降低陶瓷的烧结温度。在Mg2TiO4中掺杂不同添加剂可适当改变其介电常数,满足其介电常数材料的应用需要;在MgTiO3中掺入不同添加剂可不同程度改变其介电常数,得到具有较高Q*f值且τf≈0的钛酸镁基陶瓷材料。从当前研究现状可以看出,掺杂改性是获得所需性能材料的强有力手段,也是今后对钛酸镁基陶瓷性能优化的主要研究方向之一。     

原材料和制备工艺对硅酸锌陶瓷微波介电性能的影响

为了提高硅酸锌介质陶瓷的性能,研究了添加物、原材料和制备工艺对其微波介电性能的影响。采用固相法、并以去离子水代替乙醇作分散剂制备陶瓷粉料,闭腔法测量其无载Q值和频率温度系数。研究结果表明原材料的粒度、球磨工艺和烧结温度对Q.f值影响大,添加物TiO2不仅调节频率温度系数(τf),而且促进陶瓷烧结。当TiO2(wt%)12%,1240℃烧结时,获得优良的微波介电性能:介电常数(εr)为10.2,Q.f=91640GHz,τf=-5.78ppm/℃。并用该组成的材料制作了中心频率f0=5.4GHz,带宽Δf=96MHz,插损小于1.3dB的两级片式介质带通滤波器,可以用于通信系统。     

纳米钛酸镁陶瓷粉体的制备研究进展

钛酸镁粉体是一种非常重要的微波介质陶瓷材料,具有很高的品质因素(Q值)和较低的介电常数,得到了广泛应用。介绍了纳米钛酸镁粉体的主要制备技术,包括沉淀法、溶胶-凝胶法、机械力化学法等,分析了各种制备方法的发展现状、优势及不足。最后,指出了纳米钛酸镁粉体的发展方向。     

高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展

高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。     

微波介质陶瓷的研究进展

综述了微波介质陶瓷材料的特性和发展现状,给出了多数目前已经研究的微波陶瓷体系及其性能,阐述了其制备方法,提出了改善其性能的途径和微波介质陶瓷的预期进展.     

高频、高QMTZ系统微波陶瓷的研究

用一般的电子陶瓷工艺制备MgO-TiO2-ZnO(MTZ)系统陶瓷.XRD分析表明主晶相是MgTiO3,还有少量ZnTiO3等物质.对预烧工艺进行了DTA,TGA实验.分析了组分对系统介电性能的影响,MTZ系统陶瓷材料具有高频高Q等优点.     

浅谈BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷的热稳定性

本文介绍了目前提高BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷热稳定性的几种方法,指出了有待解决的主要问题;而加强对陶瓷结构的理论剖析、寻找合适的添加剂、改进制备工艺等是今后研究工作的重点。