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引入SnO2对Li2O-Nb2O5-TiO2体系陶瓷进行掺杂改性研究,考察了SnO2的添加量对LiNb0.6Ti0.5-xSn2O3陶瓷的烧结性能、显微结构和微波介电性能的影响。研究表明:对所考察的体系而言.随着SnO2添加量的增加.烧结样品体积密度和介电常数基本保持不变;而品质因数Qf值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下.当X=0.01时.获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其ε=678.x1=+4ppm/℃.Qf=6780GHz。 相似文献
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超低温烧结微波介质陶瓷作为无源集成技术的主要介质材料,可广泛应用于无线通讯、可穿戴电子、物联网和全球定位系统等领域,其相关研究具有重要的应用价值和理论指导意义,是目前功能材料领域的研究热点之一。本文综合介绍了超低温烧结微波介质陶瓷材料的应用背景和主要的材料体系,以及主要材料体系的介电性能和优缺点,探讨了材料组分、介电常数、Qf值、频率温度系数之间的关系,阐述了超低温烧结陶瓷材料的性能调控手段,并指出了今后超低温烧结微波介质陶瓷材料的主要发展前景和研究方向。钼酸盐基超低温烧结陶瓷兼具超低烧结温度、系列化介电常数和低损耗等优点,有望实现在超低温共烧技术中的应用。离子取代和多相复合是有效调控材料微波介电性能的方法,使材料更利于应用。 相似文献
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《硅酸盐学报》2017,(9)
超低温烧结微波介质陶瓷作为无源集成技术的主要介质材料,可广泛应用于无线通讯、可穿戴电子、物联网和全球定位系统等领域,其相关研究具有重要的应用价值和理论指导意义,是目前功能材料领域的研究热点之一。本文综合介绍了超低温烧结微波介质陶瓷材料的应用背景和主要的材料体系,以及主要材料体系的介电性能和优缺点,探讨了材料组分、介电常数、Qf值、频率温度系数之间的关系,阐述了超低温烧结陶瓷材料的性能调控手段,并指出了今后超低温烧结微波介质陶瓷材料的主要发展前景和研究方向。钼酸盐基超低温烧结陶瓷兼具超低烧结温度、系列化介电常数和低损耗等优点,有望实现在超低温共烧技术中的应用。离子取代和多相复合是有效调控材料微波介电性能的方法,使材料更利于应用。 相似文献
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ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产 相似文献
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BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料.在BNT中添加一定量的Bi2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-Bi2O3 -TiO2)陶瓷.该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响.结果表明:当球磨时间为10 h、烧结温度为1160 ℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm/℃. 相似文献
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考察了几种BaO -TiO2 系微波介质陶瓷材料在真空环境中经紫外和质子辐照后的介电性能变化。结果表明 ,辐照后材料表面均出现发灰黑色现象。材料的介电性能变化规律与材料的组成、初始原料的形态及处理条件密切相关 ,即质子辐照后的试样的介电常数均有提高 ,提高幅度在 10 %左右。紫外线辐照后不含稀土元素试样的介电常数会略有提高 ,而含稀土元素试样的介电常数呈下降趋势。除由纳米粉制成的BaTi4O9 5 %Pr(摩尔分数 )试样外 ,经质子和紫外辐照后试样的介质损耗都增大 ,且质子辐照后试样的介质损耗增大的程度比紫外辐照后试样的大 相似文献
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复合烧结助剂对Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了以Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3(CLST-0.7)为基料,复合添加10 wt%CaO-B_2O_3-SiO_2(CBS)、4 wt%Li_2O-B_2O_3-SiO_2-CaO-Al_2O_3(LBSCA)和0~2 wt%CuO氧化物为烧结助剂的微波介质陶瓷的低温烧结行为及微波介电特性.结果表明:随着CuO添加量的增加,陶瓷体积密度、介电常数ε_r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值,都呈先增加后降低,频率温度系数τ_f呈降低的趋势.添加10 wt%CBS、4.0 wt% LBSCA和1.0 wt%CuO的CLST-0.7微波介质陶瓷,在900 ℃烧结5 h具有较佳的微波介电性能:ε_r = 67.31,Qf = 2197 GHz,τ_f=40.28 ppm/℃. 相似文献
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添加Li_2O的CaO-B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃的性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以Li_2O为烧结助剂,采用DTA、XRD、SEM等分析手段研究了添加1.0~2.5 wt%Li_2O对CaO-B_2O_3-SiO_2(CBS)系微晶玻璃性能的影响.结果表明:Li_2O降低了CBS系微晶玻璃的玻璃转变温度和析晶温度.未添加Li_2O的试样在930 ℃烧结,而添加Li_2O的试样可以在820 ℃以下烧结,Li_2O显著降低了试样的烧结温度.当Li_2O添加量为1.0wt%时,试样可以在760~820 ℃范围内烧结,800 ℃烧结试样介电常数为5.71,介电损耗为0.0024(测试频率为10 MHz). 相似文献
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BaCu(B_2O_5)助烧对CaO-BaO-Li_2O-Sm_2O_3-TiO_2微波介质陶瓷低温烧结和介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了BaCu(B_2O_5)(简写为BCB)掺入对14CaO-4BaO-8Li_2O-12Sm_2O_3-63TiO_2(简写为CBLST)微波介质陶瓷介电性能的影响.用XRD和SEM研究其相组成及微观形貌.结果表明:BaCu(B_2O_5)掺入能显著降低CBLST陶瓷的烧结温度,由1325 ℃降至1100 ℃.1100 ℃烧结2 h后,仍包含正交钙钛矿相和棒状的BST相.掺入6wt% BaCu(B_2O_5)的CBLST陶瓷取得了较好的介电性能:Kr=87.76,tanδ=0.018,TCF=-4.27 ppm/℃(1 MHz). 相似文献
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V. A. Isupov O. V. Rubinstein B. A. Rotenberg N. V. Emel'Yanova 《Ferroelectrics Letters Section》2005,32(1):23-29
Solid solutions (1-x)PbMg1/3Nb2/3O3 + xPbCd1/3Nb2/3O3 with x = 0-0.30 are investigated with purpose to work out a capacitor ceramics with good dielectric properties and low sintering temperature. It is found that the perovskite phase forms at sintering near to 980°C and begins to decompose at higher temperatures. When x grows from 0 to 0.30, the Curie temperature linearly grows from -10°C to +25°C, the dielectric permittivity εm in the Curie point TC decreases from 18000 to 6800 and the phase transition becomes more diffused. The dielectric permittivity at room temperature is rather high and the temperature stability is improved. The system is of interest, because it can serve as a base for working out some ceramic materials for capacitors with low sintering temperature, which needs of no special atmosphere at burning. 相似文献
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《Journal of the European Ceramic Society》2023,43(14):6107-6111
To satisfy the requirements of miniaturization and integration of microwave devices, microwave dielectric ceramics with low sintering temperatures and good microwave dielectric properties are particularly important for LTCC materials. In this study, low-cost BaB2O4 ceramics were prepared with different Ba/B ratios using a solid-phase method. Combined with the Raman spectra, the effects of the Raman shift and FWHM of the vibration peaks on the microwave dielectric properties were determined. As a novel microwave dielectric ceramic, BaB2O4 consists of a highly dense structure with optimal microwave dielectric properties (εr = 4.06, Q×f = 23845 GHz, and τf = −7.2 ppm/℃) at a low sintering temperature (840 ℃). In addition, BaB2O4 ceramic is chemically compatible with Ag, making it a promising candidate substrate for microwave communications. 相似文献
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利用低温共烧陶瓷(简称LTCC)技术设计制造片式多层微波器件已成为当今的研究热点。ZnO-TiO2系微波介质陶瓷具有介电常数适中、介电损耗低、频率温度系数可调和低温烧结等特点,它是具有开发价值的LTCC微波介质材料。实验结果表明:在ZnO-TiO2系统中加入微量的添加剂MgCO3与ZrO2,构成双元复合取代掺杂系统Zn1-xMgxTi1-xZrxO3,当x值取0.07时,最佳介电性能为:εr为29.4,Qf为4285GHz,τf为-8ppm/℃,且该微波介质陶瓷适合于水基流延成型和低温烧结,为LTCC微波介质陶瓷产业化打下了良好的基础。 相似文献
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Microstructure and broadband dielectric properties of Zn2SiO4 ceramics with nano-sized TiO2 addition
《Ceramics International》2019,45(10):13251-13256
Zn2SiO4 ceramics with nano-sized TiO2 addition (ZST) were synthesized by conventional solid state method. The association between the new composite's microstructures and dielectric properties reveals that reduced pores, increased density and average grain sizes with increasing sintering temperatures, have contributed to the increased permittivities at kHz and microwave bands; the decrease of the permittivities at 1275 °C is due to the form of twin planes. At the terahertz band, the competition of generating oxygen vacancies and forming them into twin crystallographic shear planes dominates the change of permittivities: the crystallographic shear planes decrease the permittivity at the sintering temperature 1225 °C and 1250 °C, and the high-rate generation of oxygen vacancies at 1275 °C increases the permittivities. The ZST ceramics demonstrate stable permittivity and low dielectric losses (<10–3 from 10 kHz to microwave band; and <10–2 at THz range); and the temperature coefficient of resonant frequency is optimized to close zero. These advanced dielectric properties and low sintering temperature (<1300 °C) provide the ZST ceramics great potential in designing microwave and THz devices. 相似文献