LaNiO_3薄膜的制备及其氧敏特性的研究

本文以Ｌａ（ＮＯ_３）_３·６Ｈ_２Ｏ和Ｎｉ（ＮＯ_３）_２·６Ｈ_２Ｏ为配位前驱体,采用柠檬酸为螯合剂,利用溶胶－凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物ＬａＮｉＯ_３薄膜,研究了薄膜的氧敏特性及烧结温度对薄膜氧敏特性的影响。     

稀土───SnO_2薄膜气敏特性的研究

本文用真空镀锡膜、氧化和化学浸渍技术研制了稀土氧化物的ＳｎＯ_２薄膜气敏元件，并测试了薄膜的气敏特性，实验表明，元件对乙醇、丙酮蒸气的灵敏度高、线性范围宽，而对苯、丁烷、液化石油气、ＮＨ_３、Ｈ_２和煤气等不敏感。     

钛酸钡系薄膜的制备方法、性质及应用

综述了制备钛酸钡系薄膜的各种方法，如：溶胶-凝胶法、有机金属化学气相沉积法、射频磁控溅射法、脉冲激光沉积法等，其中主要对溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法的制备原理及工艺特点进行了讨论。介绍了钛酸钡薄膜的性质和掺杂后(主要是锶掺杂)对薄膜电性能的影响，对它们的应用现状进行了概括，并对钛酸钡系薄膜的发展趋势做了展望。     

La2-xSrxNiO4薄膜的制备及氧敏特性的研究

本实验采用无机盐为原料的溶胶－凝胶法制备了复合氧化物La2-xSrxNiO4薄膜，研究了它的阻温特性和氧敏特性，并采用XRD，SEM，AFM（原子力显微镜）等对该薄膜的结构进行了表征。     

WO_3-SiO_2复合薄膜的烧结温度–相组成–气敏特性关系

以钨酸和正硅酸乙酯(tetraethyl orthosilicate,TEOS)为原料,采用改进的溶胶–凝胶工艺,在Al2O3基底上制备WO3–SiO2复合薄膜,重点考查复合薄膜的烧结温度、物相组成及气敏性三者之间关系。用X射线粉末衍射仪和场发射扫描电子显微镜表征复合薄膜的微观结构,结果表明:在烧结温度为500℃与650℃时,复合薄膜为立方相和正交相混合相,复合薄膜的晶粒尺寸为25～30nm,分布均匀。650℃烧结时,对还原性挥发性有机化合物(volatileorganiccompounds,VOCs)气体中丙酮具有较好的敏感性。750℃烧结时,复合薄膜只有单一的正交相,晶粒尺寸在30nm左右,此时复合薄膜对氧化性气体NO2具有很好的敏感性与选择性,最低响应浓度(体积)为10–7,响应时间为2s,恢复时间约为10s。     

Fe2O3-A12O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜的Sol-Gel制备

利用溶胶凝胶法制成了Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜。用扫描电镜和原子力显微镜对膜的表面形貌和显微结构进行表征，分析了处理方式对膜的表面形貌和微观结构的影响。制成的Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜具有广谱抗菌、高效、无毒、持久和耐热等特点。湿敏特性测试结果表明：Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米陶瓷薄膜制品的感湿灵敏度高，具有较好的响应特性和稳定性。     

Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜的Sol-Gel制备

利用溶胶凝胶法制成了Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜.用扫描电镜和原子力显微镜对膜的表面形貌和显微结构进行表征,分析了处理方式对膜的表面形貌和微观结构的影响.制成的Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米湿敏陶瓷薄膜具有广谱抗菌、高效、无毒、持久和耐热等特点.湿敏特性测试结果表明:Fe2O3-Al2O3-SiO2-TiO2抗菌、纳米陶瓷薄膜制品的感湿灵敏度高,具有较好的响应特性和稳定性.     

溶胶-凝胶法制备LiCl/SiO2-Al2O3纳米复合薄膜的湿敏特性

采用溶胶-凝胶工艺,将LiCl湿敏组元复合到SiO2-Al2O3玻璃先驱体中,用提拉法镀膜,经过适当的热处理,可以获得具有纳米结构和良好湿敏特性的LiCl/玻璃基薄膜.湿敏特性研究表明该类薄膜制得的传感器可在全湿范围内实现对湿度的测量.     

In2O3纳米材料气敏传感器制备方法综述

氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能,如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等,与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来纳米结构的In_2O_3研究进展进行了综述,以In_2O_3纳米材料的制备方法以及所制备出的不同形貌结构进行分类介绍,对In_2O_3气敏传感器应用进行展望。     

掺铝钛酸锶薄膜及其与CrOx复合膜的制备及氧敏性能的研究

以ＴｉＣｌ４,ＳｒＣｌ２．６Ｈ２Ｏ为主要原料,采用溶胶－凝胶法制备出掺Ａｌ＾３＋的钛酸锶薄膜,分析了薄膜的表面形貌和晶相组成,并比较了铝含量不同的ＳｒＴｉ１－ｘＡｌｘＯ３－δ薄膜的氧敏性能,实验结果表明：掺摩尔分类为０．０１的铝的钛酸锶薄膜表现出较高的氧敏性,但是,铝的掺入并没有消除钛酸锶薄膜的半导体特在中性气氛附近从ｎ型向ｐ型转变。在此基础上,又合了了ＳｒＴｉ０．９９Ａｌ０．０１Ｏ３－δ－ＣｒＯ     

喷雾热分解法制备掺杂SnO2电热薄膜及其电热性能

以SnCl4·5H2O,SbCl3和ZnO为原料,采用喷雾热分解法在石英和陶瓷基材上制得了阻温特性良好的掺杂的SnO2导电发热薄膜.用X射线衍射,扫描电镜对薄膜进行了结构表征.研究了Sb,Zn的不同掺杂浓度及热处理温度对薄膜电阻特性的影响.实验结果表明当三氯化锑和氧化锌掺量摩尔分数分别为8.2%和17%时,薄膜的方阻R□为32Ω/□.     

KTa1-xNbxO3三组分复合热释电薄膜的制备与性能研究

利用多组分复合宽化铁电相变温区, 使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围.在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用溶胶-凝胶法制备了0.5 μm KTa1-x Nb xO3(x=0.45, 0.50, 0.55)三组分等厚度的复合薄膜.0.5 μmKTN-0.08 μmB T薄膜在28～72 ℃温度范围内, 1.0 kHz时, 其εr=1100, tanδ=1.2% .在室温及120 kV/cm下极化30 min后, 0.5 μm复合薄膜在28～72 ℃温度范围内热释电系数出现峰值, 平均热释电系数p=2.7×10-6C/cm2*K, 电压响应优值Fv =8.99×10-10 C*cm/J,探测度优值Fd=27.0×10-8 C *cm/J, 该薄膜工作温度范围很宽, 是一种优异的热释电材料.     

铁电陶瓷薄膜的制备与结构表征

本文综述了近年来铁电陶瓷薄膜的化学制备方法,及薄膜材料在结构表征方面的最新研究进展。     

三氧化钼薄膜材料的制备及其变色性能的研究

MoO3因在催化剂,电致、光致变色器件,电子显示设备和感测气体如NH3、CO2和乙醇等方面的应用而逐渐成为引起科技研究者们关注的焦点。本文综述了制备MoO3薄膜的制备方法,包括:热蒸发法、电子束蒸镀法、脉冲激光沉积法、溅射法、化学气相沉积法、电沉积法、活性反应蒸发法等。同时,对MoO3薄膜的变色性能及其发展趋势和广阔的应用前景都作了简要介绍。     

PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）工艺在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）薄膜。ＸＲＤ分析显示薄结晶状态良好,无焦绿石相存在。ＡＥＳ测量表明：薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅。分析了薄膜的形成机理,安性地解释了晶粒的生长过程。     

KTa0.55Nb0.45O3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究

在ＢＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用溶胶－凝胶法制备了ＫＴａ０．５５Ｎｂ０．４５Ｏ３（ＫＴＮ）薄膜,０．５μｍＫＴＮ－０．０８μｍＢＴ薄膜在２５℃,１．０ｋＨｚ时,其εｒ＝１１１４,ｔａｎδ＝２．５％;１２℃时,其中Ｐｒ＝２．１μＣ／ｃｍ＾２,Ｐｓ＝４．２μｃ／ｃｍ＾２,Ｅｃ＝５．８ｋＶ／ｃｍ,０．５μｍ厚ＫＴＮ膜的Ｃｕｒｉｅ温度为３５℃;１．０ＫＨｚ时,ＫＴＮ膜的εｒ＝１４１２,估算ＫＴＮ     

SrTiO3薄膜的自组装生长

利用激光分子束外延技术在LaAlO3(100)单晶基片表面生长SrTiO3(STO)薄膜。通过反射式高能电子衍射原位实时监测STO薄膜自组装生长过程，采用原子力显微镜分析自组装生长演化过程，并利用X射线衍射分析薄膜结构及其生长方向。对不同生长条件下薄膜的生长的研究发现：在较低生长温度时，STO薄膜在(200)方向上以三维岛状模式进行生长，小岛在单位原胞尺度呈波浪状周期性排列，即出现自组装生长；而在较高的生长温度时，薄膜以层状模式进行生长自组装行为被抑止。并据此讨论了STO多元氧化物薄膜自组装生长条件及生长机理。     

离子层气相反应法制备CulnS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂，CuCl和InCl3为反应物，H2S为硫源，用离子层气相反应法制备了CulnS2半导体薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比【Cu】／[In】对薄膜化学计量及性能的影响。[Cu]／[In]〉／1、25时，可获得黄铜矿结构的CulnS2薄膜，其单相形成区外【Cu】／叫为1．45-1．65。     

离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂,CuCl和InCl3为反应物,H2S为硫源,用离子层气相反应法制备了CuInS2半导体薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征.分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比[Cu]/[In]对薄膜化学计量及性能的影响.[Cu]/[In]≥1.25时,可获得黄铜矿结构的CuInS2薄膜,其单相形成区外[Cu]/[In]为1.45～1.65.