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掺铁近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其光学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在LiNbO3(LN)中掺进0.01%Fe3O3(质量分数)和10.9%K2O(摩尔分数)助熔剂,用顶部籽晶(TSSG)法生长近化学计量比掺铁铌酸锂(SLN:Fe),以及采用Czochralski法生长同成分掺铁铌酸锂(CLN:Fe)。测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱。Li^ 取代反位铌(NbLi^4 )和占据锂空位,使SLN:Fe晶体的晶格常数变小。SLN:Fe晶体的吸收边相对于CLN:Fe晶体发生了紫移。SLN:Fe晶体的OH吸收峰移到3466cm^—1。利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数和响应时间,计算了有效裁流子浓度。测试结果表明:SLN:Fe晶体的指数增益系数达到28cm^—1,而CLN:Fe晶体的指数增益系数为18cm^—1;SLN:Fe晶体的响应速度比CLN:Fe晶体提高了1个数量级。 相似文献
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近化学计量比LiNbO3晶体的坩埚下降法生长 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了化学计量比LiNbO3(stoichiometric
lithium niobate, SLN)晶体的坩埚下降法生长.采用一致融熔成分铌酸锂籽晶,以K2O为助熔剂,在自制的坩埚下降炉内生长SLN晶体.最高炉温控制在1
300 ℃附近,固液界面处的纵向温度梯度为40~60 ℃/cm,坩埚下降速率小于5
mm/d,在密闭的铂坩埚中,成功地生长出尺寸为25 mm×40 mm的近化学计量比铌酸锂单晶.测得晶体的Curie温度为190
℃,利用有关公式计算出所得晶体的n(Li)/n(Li+Nb)为0.495 6,研究了熔体的析晶行为及晶体的宏观缺陷. 相似文献
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采用提拉法生长了掺质量分数分别为0.01%,0.05%和0.10%Fe2O3的近化学计量比掺铁铌酸锂晶体(near stochiometric Fe:LiNbO3,Fe:NSLN)。采用633nm波长的激光作为光源,利用二波耦合实验和光斑畸变法研究了晶体的红光全息性能。结果显示:当铁含量小于0.05%时,随着铁含量的增加,晶体的写入时间和擦除时间变短,灵敏度增加,动态范围增大,最大衍射效率增强,抗光损伤能力降低。但当铁含量为0.10%时,最大衍射效率减小,抗光损伤能力急剧降低。结合晶体的结构缺陷模型对此现象进行了解释。 相似文献
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采用助熔剂提拉法,从掺入0.1%(摩尔分数)Fe2O3,0.2% MnO和11.2% K2CO3的同成分LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体.采用提拉法生长了相同掺杂的同成分晶体.与同成分晶体相比较,近化学计量比晶体的紫外吸收发生紫移,红外吸收变窄.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、增益系数和响应时间.结果显示:近化学计量比晶体的增益系数和衍射效率分别达到25 cm-1和68.3%,响应时间为亚秒级. 相似文献
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用导模法生长成功φ0.5×(160—170)mm各种取向的LiNbO_3单晶光纤。研究了单晶光纤形貌和生长参数的关系。比较了α轴和c轴LiNbO_3单晶光纤在生长速度、抗张强度上的差别。对c轴光纤单畴结构的形成机制进行了简单讨论。 相似文献
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在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体. 相似文献
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首次测量了同成分和掺铁铌酸锂晶体中氧空位的生成焓,发现掺铁可以使铌酸锂晶体中氧空位生成焓大为降低。讨论了实验结果,并提出光折变铌酸锂晶体的还原处理可以在较低的温度下进行。 相似文献
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通过电子探针显微分析表明,铌酸锂单昌光纤经镁离子的内扩散后,镁离子已完全扩散进晶纤内部,且扩散层镁离子浓度呈现抛物线形分布。通过常规X射线衍射的LaueX射线衍射照相证明:铌酸锂单晶光纤并不因镁离子的进入百破坏其晶体特性,而是保持了完好的单晶结构。 相似文献