电迁徒参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜波法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徒阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符，同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽度的温度范围和测试时间内获得ｎ值一致性很好。     

SiO_2介质覆盖层对Al-Cu膜晶粒生长的影响

观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下,ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸,使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ;从而有效地提高了Ａｌ－Ｃｕ膜的电徙动寿命。     

一类空间自仿射集的Hausdorff维数

给定正整数ｎ≥ｍ≥ｌ，及三维正整数组（ｉ，ｊ，ｋ）组成的集合Ｒ，其中０≤ｉ≤ｎ，０≤ｊ〈ｍ，０≤ｋ〈ｌ。令Ｒ↑－＝｛（∑↑∞１ｘｓ／ｎ＾ｓ，∑↑∞１ｙｓ／ｍ＾ｓ，∑↑∞１ｚｓ／ｌ：ｓ）：（ｘｓ，ｙｓ，ｚｓ）∈Ｒ，Ａ↓Ｓ｝，Ｒ↑－是一类空间自仿射集，本文证明了：（ｉ）当ｌ≤ｍ＝ｎ，ｄｉｍＨＲ↑－＝ｌｏｇｌ［∑↑ｌ－１ｋ＝０（∑↑ｎ－１ｊ＝０ｔｋ，ｊ）ｌｏｇｎｌ］（ｉｉ）当ｌ＝ｍ≤ｎ，ｄｉｍＨＲ↑－＝     

含共晶体二元金属熔体作用浓度的计算模型

根据混合自由能有最小值，过剩自由能有最大值（或最小值），激冷条件下产生化合物状亚稳相及共晶，分层等现象，针对Ｃｄ－Ｂｉ，Ｇｅ－Ａｌ，Ｂｉ－Ｓｎ，Ｃｄ－Ｓｎ，Ａｇ－Ｃｕ，Ａｌ－Ｇａ；Ｓｉ－Ａｇ，Ｐｂ－Ｓｎ和Ａｌ－Ｓｎ金属熔体推导了作用浓度的计算模型，计算结果与实测值符合较好，从而证明所提出的计算模型符合本类熔体的结构特点。     

Al-10Sn-4Si合金高温塑性变形的流变应力特征

采用高温压缩试验法,测定了新型Ａｌ－１０Ｓｎ－４Ｓｉ合金高温变形过程的真应力一直应变曲线;在温度为１００－４００℃范围和应变速率为０．０１－１．０ｓ＾－１范围的变形条件下,研究了该合金的流变应力变化规律。结果表明,Ａｌ－１０Ｓｎ－４Ｓｉ合金为正应变速率敏感材料,表现出稳态流变特征：稳态流变阶段,流变应力基本保持不变;稳态流变应力随变速率的增加而增大,随变形温度的升高而降低,进一步分析表明,这种稳态     

Cr-Al复合钝化膜的组成及稳定性研究

本文在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中测定了Ｆｅ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ和Ｆｅ－Ｍｎ－Ａｌ－Ｃｒ合金的极化曲线，用透射电镜和光电子能谱仪对它们的钝化膜的组成和稳定性进行了分析研究．结果表明：在上述合金的钝化膜中，均出现Ｃｒ、Ａｌ的富集，但在Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金的钝化膜中，Ｃｒ的富集受到抑制，而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ａｌ－Ｃｒ合金的钝化膜中Ｃｒ富集未受到抑制．Ｆｅ－Ｍｎ－Ａｌ－Ｃｒ的Ｃｒ、Ａｌ复合钝化膜的钝性优于同等含Ｃｒ量的Ｆｅ－Ｃｒ合金，更优于同等Ｃｒ、Ａｌ含量的Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金．本文认为，锰使得膜中的硫含量降低，致使钝化膜的稳定性提高     

Cr—Al复全钝化膜的组成及稳定性研究

本文在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中测定了Ｆｅ－Ｃｒ，Ｆｅ－Ａｌ，Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ和Ｆｅ－Ｍｎ－Ａｌ－Ｃｒ合金的极化曲线，用透射电镜和光电子能谱仪对它们的钝化膜的组成和稳定性进行了分析研究。结果表明：在上述合金的钝化膜中，均出现了Ｃｒ，Ａｌ的富集，但要Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金的钝化膜中，Ｃｒ的富集受到抑制，而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ａｌ－Ｃｒ合金的钝化膜中Ｃｒ富集未受到抑制。     

Al_2O_3／Al－Si合金复合材料中硅相形貌观察

利用挤压铸造制备Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－Ｓｉ合金复合材料，在扫描电子显微镜（ＳＥＭ）上观察了复合材料中的硅相形貌．结果表明Ａｌ２Ｏ３纤维与Ｓｉ相之间存在共格界面，可作为硅相非自发形核的衬底；复合材料中的初生硅可在纤维表面形核生长为颗粒状；复合材料中的纤维在Ａｌ－Ｓｉ共晶体的共生生长过程中，可触发孪晶，导致纤维附近的共晶硅里变质形态．     

卤素化合物对NdCl_3·nTBP／MgCl_2－Al（i－Bu）_3体系催化异戊二烯聚合的影响

考察了以卤素化合物为第三组分对ＮｄＣｌ３·ｎＴＢＰ／ＭｇＣｌ２－Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）３体系催化异戊二烯聚合的影响。结果表明，各种卤素化合物的活性顺序为Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ３≈ＣｌＣＨ２—ＣＨ＝ＣＨ２＞Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｃｌ２＞ＡｌＥｔ２Ｃｌ＞ＴｉＣｌ４；以Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ２或ＣｌＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２作第三组分，采用Ｉｐ－Ａｌ－Ｎｄ三元陈化，Ｃｌ单加或内添加卤素化合物方式，均可以提高催化活性，聚合转化率在Ｃｌ／Ｎｄ值为１－６的范围内基本保持不变。经ＩＲ和１３Ｃ－ＮＭＲ测定表明，除Ｓｔ（ＣＨ３）２Ｃｌ２外，第三组分对聚合物的微观结构影响不大。     

新型 Al_2O_3 基陶瓷刀具材料颗粒弥散增韧与晶须增韧的协同作用

研制成功了一种新型陶瓷刀具材料——ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）增韧和ＳｉＣ颗粒（ＳｉＣｐ）弥散增韧Ａｌ２Ｏ３陶瓷刀具ＪＸ－２－Ｉ,该材料具有良好的抗弯强度和断裂韧性,同Ａ（Ａｌ２Ｏ３）,ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ）和ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）等材料相比较表明,在ＪＸ－２－Ｉ材料中具有明显的增韧叠加效应,详细研究了晶须增韧和颗粒弥散增韧的协同作用,建立了理论模型并进行了实验验证．     

铝硅合金热稳定性能的试验研究

利用自制热循环装置对储能铝硅合金进行热循环试验,研究了Si的质量分数12.07%的ZL102合金在不同热循环次数下的热稳定性能的变化,并对其结果进行了分析总结。试验结果表明:经过长达1 600次熔化-凝固循环后,铝硅合金的熔化起始温度随热循环次数的增加而略有上升,相变起始温度从579℃升高到584℃,熔化潜热略有下降,潜热值从537J/g下降到500.6J/g,铝硅合金在长期的热循环过程中有着优良和稳定的储热性能,可应用于高温太阳能热发电蓄热系统中。     

Prediction of the solidification structure of casting and heterogeneous nucleation

The frequency of heterogeneous nucleation during the solidification of Al-Si binary alloy was estimated by comparing experimentally obtained macrostructures of castings with numerically simulated ones. A molten alloy was unidirectionally solidified from a water-cooled copper chill in an adiabatic mold. The location of columnar to equiaxed transition (CET) in the solidified alloy ingot was measured. A numerical simulation for grain structure formation based on the Monte Carlo method was carried out, and the frequency of heterogeneous nucleation in the alloy was evaluated by producing similar structure with the experimental one. The frequency of heterogeneous nucleation was expressed as a probabilistic function with an exponential form of undercooling that determines the probability of nucleation event in the simulation. The value of the exponent is regarded as the nucleation parameter. The nucleation parameter of Al-Si binary alloy varied with initial Si content.     

Effects of electric pulse on microstructure of Al-Si alloy in liquid and solid states

In order to investigate the change in liquid microstructure of Al-Si alloy treated by electric pulse (EP), X-ray diffraction tests with liquid A1-Si alloy and ZL109 alloy treated or not by EP were carried out. The results show that the number of Al-Si atomic clusters decreases and that of Al-Al and Si-Si atomic clusters increases for the treated samples. The tests with ZL109 alloy indicate that a large amount of primary crystal Si appears in the solidified microstructure after treated by EP. It is found that EP can change the microstructure of liquid metal by affecting the probability of electrons appearing in different atoms (Al and Si) in the liquid metal.The combining force of different atoms decreases relatively, and that of the same atoms increases, which is the main reason of re-ducing the atomic cluster with different atoms (Al-Si) and increasing the atomic cluster with the same atoms (Al-Al, Si-Si). The in-creasing of the atomic cluster with the same atom cluster resulted in the increasing of Si activity and the higher point of eutectics in the phase diagram. It makes a lot of primary silicon appeared in ZL109 alloy.     

ZrO2陶瓷表面Cu-Ti复合渗镀研究

应用加弧辉光复合渗镀技术和自制Cu-Ti二元金属复合靶,对ZrO2陶瓷表面进行Cu-Ti复合渗镀。采用X射线能量色散谱分析（EDS）、扫描电子显微镜（SEM）面扫描、X射线衍射（XRD）、声发射划痕等试验方法对渗镀层的元素组成、成分分布、相组成、界面结合强度进行分析测试。结果表明渗镀层中存在Cu、Ti及Fe元素,各组分分布较为均匀,没有明显的成分偏聚现象;渗镀层由Cu2Ti、Cu2Ti4O、Ti8O15组成;渗镀层与陶瓷基体结合良好,在100 N最大载荷下未出现剥离和崩落现象。     

铝硅合金潜热变化规律的DSC分析

通过真空电弧炉制备不同Si质量分数的铝硅合金,利用差示扫描量热分析仪测量合金的潜热,分析了Al-Si合金的成分与潜热之间的相互关系。结果表明,Al-Si合金初生相和共晶相的潜热需要进行单独求解,在Si的质量分数为4.16％～21.4％范围内,Al-Si合金潜热随Si的质量分数增加呈线性增加,亚共晶潜热、过共晶潜热具有不同的线性关系,分别为:L_hypo=353.4+12X(亚共晶)和L_hyper=409.6+7.54X (过共晶),其中X为Si的质量分数;过共晶Al-Si合金中初生Si相的潜热与纯Si的潜热相差较大是由Al-Si熔体中与纯Si熔体中Si的形态差异引起的。     

Sr+B联合处理对Al-Si合金组织的影响

采用制备的Al-Sr-B中间合金作为晶粒细化变质剂,观察不同Sr,B含量时Al-Si合金中枝晶和共晶Si形态与大小的变化,考察了Sr,B间的交互作用。研究发现Al-Sr-B中间合金对近共晶Al-Si合金具有很好的细化变质效果。     

半导体器件金属化热电徙动的温度测试

在金属化布线电徙动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为150℃，电流密度为3×106A／cm2和5×106A／cm2时，金属薄膜温度分别高于环境温度32．5℃和100℃；提出了扩散电阻测温法，在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试．     

n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究

对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。     

n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究

对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。     

Mechanical analysis of the strain-hardening exponent under tensile deformation

It has been experimentally proved that strain hardening exponent has very strong sensitivity to structure. The measuring result of precise experiment indicated that the variational laws of nv(the strain hardening exponent under constant velocity), nε( under constant strain rate) and np( under constant load) with ε strain are entirely different. Considering the structure sensitivity in superplasticity and plasticity (which means that the strain hardening exponent is related to strain as well as strain rate), this paper deduces the analytical expressions for nv, nε and np from the state equation. Thus, the mechanical essence of nv, nε and np corresponding the change of e is revealed. And the experimental results on typical material Zn 5%AI are interpreted successfully which show reliability of the theory.