GaN基LED与Si键合技术的研究

采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。     

GaN基微波半导体器件研究进展

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力．对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势．     

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。     

GaN基蓝光LED峰值波长蓝移现象分析及解决措施

分析了引起GaN基蓝光LED峰值波长不稳定的原因,它是由多量子阱区内极化效应引起的量子限制斯塔克效应造成的。讨论了通过弱化压电场,采用四元系结构,优化外延材料的生长条件和总应变量等措施来提高波长的稳定性,并指出了提高GaN基蓝光LED峰值波长稳定性的最优方案。     

P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展

增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法。首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展。然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法。最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望。     

Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究

以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。     

GaN类探测成像器件的研究进展及其成果

GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。     

LED蓝光光疗对黑色素合成的作用及机制

探讨了 LED蓝光光疗对小鼠皮肤黑色素瘤细胞(B16F10)色素合成的影响,研究相关机制.选用状态良好的B16F10细胞,采用MTT法测定不同剂量LED蓝光光疗治疗3 d后对B16F10细胞活力的影响,确定安全剂量范围;采用Masson-Fontana黑色素胺银染色测定LED蓝光光疗对黑色素合成和黑色素小体转运的影响;...     

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.     

LED蓝红光及其组合对水稻秧苗素质的影响

以自然光和三基色荧光灯(TFL)为对照,采用LED光源,研究蓝光、红光、蓝红组合光(3B:2R、2B:3R)对水稻秧苗素质的影响。结果表明,LED蓝光抑制水稻幼苗的生长,LED红光促进幼苗的生长,但是单一LED蓝光或红光处理的秧苗综合素质不如LED蓝光和红光搭配的处理。一叶一心期以LED蓝:红为3:2处理的水稻秧苗株高最高,成苗数和整齐度较好。三叶一心期以LED蓝:红为2:3处理的水稻秧苗较高,第三叶的叶长较长,叶面积指数较大,生物量积累的较多,充实度较好,苗较壮,根冠比适宜,发根力较强,秧苗素质较优。     

基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析

通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算.结果表明衬底在清洗前后表面晶格常数基本保持一致,对于氮化层、缓冲层以及外延层情况,表面原子层处于应变状态.     

从RHEED图像间距分析外延GaN基薄膜表面晶格演变

通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,并从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算。     

Thermodynamic analyses and optimization for thermoelectric devices: The state of the arts

Thermoelectric effect is the most efficient way to convert electric energy directly from the temperature gradient. Thermoelectric effect-based power generation, cooling and heating devices are solid-stated, environmentally friendly, reliable, long-lived, easily maintainable, and easy to achieve miniaturization and integration. So they have unparalleled advantages in the aerospace, vehicle industry, waste heat recovery, electronic cooling, etc. This paper reviews the progress in thermodynamic analyses and optimizations for single- and multiple-element, single- and multiple-stage, and combined thermoelectric generators, thermoelectric refrigerators and thermoelectric heat pumps, especially in the aspects of non-equilibrium thermodynamics and finite time thermodynamics. It also discusses the developing trends of thermoelectric devices, such as the heat sources of thermoelectric generators, multi-stage thermoelectric devices, combined thermoelectric devices, and heat transfer enhancement of thermoelectric devices.     

Different properties of GaN-based LED grown on Si(111) and transferred onto new substrate

Nitride light-emitting diodes (LEDs) based on silicon substrate have been extensively studied[1―4]. However, it is difficult to grow high-quality nitride epilayers on Si substrate due to not only the large mismatch of lattice and thermal expansion coefficient between the epilayer and substrate, but also the SixNy will be generated during the growth process. Although it has so many obstacles to obtain satisfied GaN MQW LEDs on Si substrate, some excellent results have been achieved recen…     

制动摩擦材料研究的现状与发展

对轮式车辆摩擦制动器摩擦材料的研究进行了综述,探讨了石棉摩擦材料、半金属摩擦材料、非石绵有机磨擦材料和金属摩擦材料的性能及其摩擦磨损机理,提出了环保与节能交进制动摩擦材料研究的发展趋势。     

High efficiency blue phosphorescent organic lighting-emitting diodes with novel anode structure

High-efficiency blue electrophosphorescent organic light-emitting devices employing MoO3 used as hole injection layer （HIL） and MoO3 doped N,N-dicarbazoly-3,5-benzene （mCP） as hole transport layer （HTL） were demonstrated. The blue OLED with the novel anode structure and TAPC used as electron blocking layer show a low turn-on voltage of 2.4 V, a maximum power efficiency of 33.6 lm/W at 3.1 V and 25 lrn/W with 1 000 cd/m2 at 3.8 V. It is also found that the efficiency of the devices is dependent on the different EBL materials. This is may because of relationship with the charge mobility and the triplet energy level of EBL materials. The device efficiency is determined by the charge balance which plays an important role.     

雷达接收机保护技术进展

介绍了现代雷达接收机保护技术发展的历史和现状,分析了当今正在各类雷达中应用的几种雷达接收机保护技术特征和应用领域,提出了现代电子战技术条件下军用雷达接收机保护技术发展的新要求。