SSeS超导结的临界厚度

采用Ginzburg0-Landau方程研究了SSeS超导结的临界厚度问题，在一定的近似条件下，得到了该结临界厚度的计算公式。     

SINS超导结的临界厚度

本文采用Ｇｉｎｚｂｕｒｇ－Ｌａｎｄａｕ方程对ＳＩＮＳ超导结的临界厚度问题进行了理论上的研究，求得该结临界厚度的计算公式，并对相关的其它问题进行了讨论。     

石墨烯带正常-超导结的量子输运

基于非平衡格林函数(non-equilibrium Green's function,NEGF)和密度泛函理论(density functional theory,DFT),从第一性原理出发研究Armchair型和Zigzag型的石墨烯带正常-超导结的电子输运性质,计算了缺陷对这两种正常-超导结输运性质的影响.计算表明,对无缺陷正常-超导石墨烯带,在超导能隙内,Andreev反射系数TA恰好等于正常石墨烯带的电子透射系数TN.当石墨烯带存在缺陷时,Andreev反射系数TA不再是一个常数,而在超导能隙边缘出现两个尖锐的峰,其峰值大于正常系统的电子透射系数.在超导能隙之外,Andreev反射系数TA逐渐减小为0,准粒子的正常隧穿几率T1逐渐增大,且趋于无超导下的正常系统的电子透射系数TN.不同缺陷构型对石墨烯带中载流子的输运过程影响不同.如果缺陷的存在对正常石墨烯带电子散射过程影响越大,则其对正常-超导体系中的Andreev反射和准粒子散射影响也越大.     

两超导电荷量子比特与压缩相干态相互作用的纠缠特性

通过计算线性熵研究了两超导电荷量子比特与压缩相干态相互作用系统的纠缠动力学特性,讨论了两超导量子比特相对位相和压缩参数对线性熵的影响。结果表明：两超导量子比特初时处于最大纠缠态时,线性熵的值在复苏时间的一半时刻几乎趋近于零。随着压缩参数的增大,线性熵随时间的演化呈现更多的振荡行为,并且延长了线性熵最大值的持续时间,而线性熵的最大值基本保持不变。两超导量子比特的相对位相减小了两比特和场的纠缠。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

自动补偿技术在平台惯导系统状态切换中的应用研究

平台式惯导系统作为一种弱阻尼系统在状态切换过程中会产生超调,这些超调会降低导航系统的精度．文中以实际研制的惯导系统为研究对象,在对惯导系统状态切换过程中的超调现象进行详尽分析和研究的基础上,采用自动补偿技术减小状态切换过程中的超调现象．计算机仿真和工程试验的结果表明：该方法能够在不引入新的稳态误差的情况下,大大减小平台式惯导系统状态切换过程中的超调,具有重要的工程实际应用价值．     

铁磁-半导体-铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

针对由1个半导体隔开的2个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,考虑中间层形成双δ势垒,在近自由电子模型的基础上,计算了零偏压下隧穿磁电导和隧穿磁电阻.结果表明,该隧道结的隧穿磁电阻和隧穿磁电导与磁性金属电极分子场的角度有密切的关系.     

自动补偿技术在平台式惯导系统综合校正中的应用研究

综合校正技术作为平台式惯导系统的一项关键系统技术,可以实现陀螺漂移的精确估算,从而实现运载体的长时间精确导航定位.但是在综合校正结束后,系统参数突变使整个导航系统的平衡状态遭到破坏,产生了系统超调,降低了系统精度.在对平台式惯导系统综合校正过程中的超调现象进行详尽研究和分析的基础上,采用自动补偿技术减小综合校正过程中的超调现象.仿真和工程试验结果表明:该方法能够大大减小平台式惯导系统综合校正过程中的超调.     

铋系超导相形成反应动力学（Ⅰ）—低温相形成反应

在样品的Ｘ射线分析和化学动力学基础上，研究了２２０１及２２１２超导相形成的动力学曲线与方程，论证了前者是后者形成的主体，指出了总反应表观活化能是控制超导相形成的主要因素。     

具有部分n~+浮空埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n+浮空层SJ-LDMOS新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得partial n+-floating SJ-LDMOS比传统SJ-LDMOS具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分n+浮空层SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138V提高到302V,且比导通电阻也从33.6mΩ·cm2降低到11.6mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。