制作开关的掺锰的硅-钢合金

英国伦敦大学学院的一个研究组在硅和钢铁中掺杂了少量的锰,制备出一种既不是磁体又不是普通半导体的材料,这种新材料介于磁体和半导体之间。新材料的制备首次揭示了一种达到这种中间状态的简单配方,同时提出了一种在半导体设备中控制电流和磁力的新机制。     

添加钬的钕铁硼烧结磁体的结构与磁性能

在工业生产线上制备（33-X）（Pr-Nd）-xHo-64．90Fe-0．20Cu-0．75Al-1．15B（wt％,x=0、1、3、5）烧结磁体,分析了其显微组织、取向度、磁性能与钬添加数量的关系。结果表明,添加钬制备的钕铁硼烧结磁体,其取向度提高;磁体显微组织致密,富钕相在主相晶粒边界的分布比较均匀;磁体内禀矫顽力明显上升,而剩磁小幅度下降。通过优化合金成分设计与改进工艺过程控制,实现了45M性能档次的Pr-Nd-Ho-Fe-Cu-Al-B烧结磁体的批量生产。     

微观结构调整对烧结Nd-Fe-B永磁氧化特性和磁性能的影响

采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了新型Nd-Fe-B磁体,采用传统烧结工艺制备了相同成分的磁体.测量了磁体在不同温度下的氧化动力学、不可逆损失以及氧化前后磁性能的变化.利用扫描电子显微镜分析了磁体氧化前后的显微组织结构.结果表明,高温氧化后SPS磁体的磁性能损失低于传统磁体.显微组织观察表明新型磁体具有独特的显微组织特征:主相Nd2Fe14B晶粒细小、均匀;富钕相在主相晶粒边界上分布较少,主要集中在三角晶界处.这种组织结构有效地抑制了磁体沿富钕相发生晶间氧化的过程,因此磁体具有良好的耐氧化性能.     

添加CaF2对烧结稀土永磁体性能的影响

用添加CaF2的方法制备了烧结Nd-Fe-B和烧结Sm-Co复合磁体,并对磁体的性能进行了分析研究.实验结果表明：在添加CaF2的烧结Nd-Fe-B复合磁体的电阻率增大,但其磁性能有一定程度的下降;而添加CaF2的烧结Sm-Co复合磁体,由于制备工艺过程中的氧化问题,导致磁体的磁性能严重下降.扫描电镜分析表明,烧结Sm-Co/CaF2复合磁体中没有形成1∶5相和2∶17R相的微观组织;在烧结Nd-Fe-B/CaF2复合磁体中,CaF2只存在于晶界富Nd相中,对磁体的微观组织没有太大的影响,烧结Nd-Fe-B磁体适合用添加CaF2的方法制备高电阻率的复合磁体.     

添加CaF2对烧结稀土永磁体性能的影响

用添加CaF2的方法制备了烧结Nd-Fe-B和烧结Sm-Co复合磁体,并对磁体的性能进行了分析研究。实验结果表明,在添加CaF2的烧结Nd-Fe-B复合磁体的电阻率增大,但其磁性能有一定程度的下降;而添加CaF2的烧结Sm-Co复合磁体,由于制备工艺过程中的氧化问题,导致磁体的磁性能严重下降。扫描电镜分析表明,烧结Sm-Co/CaF2复合磁体中没有形成1：5相和2：17R相的微观组织;在烧结Nd-Fe-B/CaF2复合磁体中,CaF2只存在于晶界富Nd相中,对磁体的微观组织没有太大的影响,烧结Nd-Fe-B磁体适合用添加CaF2的方法制备高电阻率的复合磁体。     

放电等离子烧结具有优异综合性能的新型NdFeB永磁材料

采用放电等离子烧结技术和传统烧结技术制备了烧结NdFeB永磁体,并研究了2种磁体的磁性能、力学性能和化学稳定性.与传统烧结磁体相比,放电等离子烧结磁体具有与其相当的磁性能及更好的耐腐蚀和力学性能.显微组织结果表明,放电等离子烧结磁体主相Nd_2Fe_(14)B的晶粒细小、均匀.边界富钕相仅有少量位于主相Nd_2Fe_(14)B颗粒周围,大部分以颗粒形式分布在主相三角晶界处.这种独特的显微组织特征对于晶间腐蚀过程及脆性沿晶断裂过程具有明显的抑制作用.因此,放电等离子烧结磁体表现出优异的综合性能.     

碳中空纤维膜的研究现状及发展趋势

综述碳中空纤维膜的研究现状和发展趋势,具体介绍这种纺织新材料的基膜制备、预氧化和碳化技术及其应用领域．     

放电等离子烧结NdFeB永磁材料的电化学腐蚀行为研究

利用极化曲线和电化学阻抗谱技术研究了放电烧结NdFeB永磁材料在不同电化学环境下的腐蚀行为及其动力学过程．结果表明：在碱性环境中,磁体的电化学反应受表面电荷传递过程的控制,由于磁体表面形成了一层致密的保护膜,磁体表现出明显的钝化特征;在弱酸性环境中,磁体的电化学反应受表面活性物质吸附过程控制,磁体表面的阳极(富Nd相)区域存在电化学反应的活性通道,磁体因此很容易发生电化学腐蚀;与传统烧结磁体相比,放电等离子烧结磁体具有更好的耐蚀性．     

固化工艺对粘结NdFeB磁体性能的影响

通过快淬NdFeB磁粉,用粘结方法制备了NdFeB粘结磁体,并研究了在制备过程中,固化温度、固化时间等工艺参数对粘结NdFeB磁体磁性能和抗压强度的影响规律及其影响机理。结果表明:随着固化温度的升高和固化时间延长,磁体空隙中的氧气与磁粉发生氧化,以及聚合交联反应生成的水腐蚀磁粉,使磁体磁性能显著降低;同时因为聚合交联反应进行充分,粘结磁体抗压强度显著提高,但当温度过高时,环氧树脂发生热氧化,使磁体抗压强度又略微下降。     

热压HDD NdFeB粉制备各向异性粉末的研究

研究了热压工艺和热处理制度对成份为Nd14Fe73Co7B6合金的HDD粉末各向异性和磁性能的影响．样品的制备采用包覆技术．热压实验在INSTRON1185材料试验机上进行．实验表明,一定的热压温度、形变速率和形变量可以得到良好性能的各向异性热压磁体,合适的热处理制度对热压磁体磁性能的提高是有益的．用机械破碎热压磁体得到各向异性粉末的性能为Br＝1.01T,Hc＝4.64×105A·m-1,(BH)max＝1.20×105T·A·m-1,因此粉末可以制成性能较好的各向异性粘结磁体．     

二次补偿开关型半导体激光温控电源设计

采用开关原理与PID补偿技术结合设计了半导体激光温控电源,用于驱动半导体激光器中的半导体制冷片,从而控制激光器的工作温度．由于采用了独特的二次补偿技术,在获得了良好的动态响应性能的基础上,既大大缩小了温控电源的体积,提高了电源转换效率,同时实现了输出电流和电压能够平滑调节而不是脉冲宽度调节,解决了开关电源很难适应温度控制要求的难题,摒弃了不适合温度控制的脉冲宽度调制输出方式．采用新方法设计的电源体积是原来电源体积的10%,输入功率是原有电源的20%,因此这种新的半导体激光温控电源非常适合在激光电视中使用．     

黏结钕铁硼磁体生产和回收生命周期评价

关于钕铁硼磁体回收的研究越来越受到重视,但在起步阶段回收制备技术是否能够真正带来环境效益是不确定的。采用ReCiPe评价方法,选取制备1 kg黏结钕铁硼磁体为功能单位,分别对黏结钕铁硼磁体直接制备和回收制备流程的环境影响进行评价并对比。结果表明：直接制备流程中对环境影响最大的关键阶段为熔炼阶段,环境影响主要由钕和电力产生;回收制备流程中对环境影响最大的关键阶段为去除有机物阶段和热压固化阶段,环境影响主要由次氯酸钠和电力产生。生产1 kg黏结钕铁硼磁体,直接制备工艺对人体健康损害、生态健康损害和资源耗竭的环境损害分别是回收制备工艺的158.40%、180.63%、63.37%。     

俄罗斯开发出纳米多孔氧化铝生产新方法

俄罗斯莫斯科国立电子技术学院开发出一种纳米多孔氧化铝生产方法。这种氧化铝可用于制备光子晶体等半导体用先进材料。     

石墨烯／二氧化钛复合光催化剂的制备及可见光催化性能研究

以钛酸正丁酯为钛源,采用一种简单的原位水解技术制备了石墨烯／二氧化钛复合光催化剂．通过XRD、SEM、TEM、Raman、PL和UV-vis光谱仪等分析手段对产物进行了表征,并测试了该复合光催化剂在可见光区对染料罗丹明B的光催化降解性能．实验结果表明：制备的复合光催化剂主晶相为锐钛矿型二氧化钛,石墨烯表面富集的二氧化钛颗粒尺寸约为10-20nm左右,均匀弥散、形成一层致密的氧化钛膜层．样品降解罗丹明B测试结果表明,石墨烯与二氧化钛的复合,一方面使得二氧化钛光催化剂在可见光区的吸收大大增强,另外,石墨烯的存在能够促进二氧化钛半导体中电子和空穴的有效分离,并且在一定程度上提高了污染物在半导体表面的富集效率,从而使石墨烯／二氧化钛复合光催化剂对降解罗丹明B表现出良好的光催化活性．     

简式乔赫劳斯基单晶炉

绪言由于晶体三极管的发明,对于高质量的半导体材料的要求越显得需要。但多晶的半导体材料不能满足这种要求,而必须制备结构完正,纯度甚高,并具有可控制电阻率的单晶材料。此外在固体物理的研究中;在冶金学关于金属性质的探讨中以及原子能的研究中;都需要超纯的,完正的单晶材料。因此单晶材料制备的研究和技术,不但在半导体材料工艺学中非常重要;而且在其他的科学和工程技术中也越来越感到需要。制备单晶的方法很多,但对半导体材料来说最常用的是乔赫劳新基(Czochralski)的拉制单晶法。虽然近年来区域致均法已广泛地用于半导体锗和其他Ⅲ—Ⅴ族化合物等材料的制备,但对硅来说这种能使固液界面不与坩埚器壁相接触的拉制法,不     

熔体快淬法制备纳米复合磁体Pr10Fe85B5的工艺研究

通过熔体快淬法将Ｐｒ１０Ｆｅ８５Ｂ５合金在三种不同辊速下制备成微晶或非晶薄带,晶化热处理后得到纳米复合磁体,研究了辊速条件及晶化温度对纳米耦合磁体硬磁性能的影响,获得了高矫顽力的纳米复合磁体。     

Mn、Co掺杂ZnO稀磁半导体的研究进展

ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的体积、提高集成密度,而且在传输效率上也有非常大的提升。目前,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体的制备方法可重复性差,且其磁性来源尚无统一理论解释。为了梳理不同实验方法制备出的ZnO稀磁半导体磁性能及其来源,本文对近10年来纯ZnO和Mn、Co单元素掺杂ZnO以及Mn、Co双元素共掺杂ZnO的制备方法、磁性能及磁性来源研究进行了综述,并认为:在制备过程中掺杂过渡金属离子对提升ZnO稀磁半导体室温铁磁性能有明显效果;在较低含量的Mn、Co掺杂ZnO体系中,可实现较稳定的室温铁磁性;要更好地理解磁性来源,必须从原子尺度通过理论计算与实验相结合的方式进行探索。     

电子束制版中的干法刻蚀技术

介绍一种新型的半导体刻蚀方法，这种干法刻蚀采用电子束微细加工进行试验和研究，从而体现出它的优越性和发展前景．     

IBED和Sol-gel制备方法对二氧化钒薄膜性能的影响

采用离子束增强沉积(IBED)法和溶胶-凝胶法(Sd-ged)在SiO2/Si衬底上制备了具有半导体相-金属相转换特性的二氧化钒薄膜．对两种方法制备薄膜的性能测试结果表明，其转换温度、相变滞豫、热电阻温度系数等都有较大差别．     

复合添加Dy2O3和Sn对Nd—Dy—Sn—Fe—Nb—B的性能和结构的影响

采用双合金法制备Nd-Dy-Sn-Fe-Nb-B永磁体，并对其磁性能、温度稳定性和显微组织进行了研究，研究结果表明：Nd-Dy-Sn-Fe-Nb-B磁体的内禀矫顽力Hci随Dy2O3含量的增加而增大，当Dy2O3含量为2％时，磁体的Hci和（BH）max较高，添加2％Dy2O3和0．3％Sn时，磁体的Br和（BH）max降低，而Hci可由656.0kA/m升高到1024.0kA/m。同时磁体的温度稳定性加强，磁通不可逆损失降低；当测量温度从20℃增加到160℃时，hirr为－2．3％，温度系数α为0．014％／℃。