DKDP晶体快速生长条件的研究

研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长出ＤＫＤＰ晶体．晶体消光比的测定结果表明，快速生长的ＤＭＰ晶体的光学均匀性并未降低．     

双掺KTP型系列晶体生长及其光谱特性

采用高温溶液缓慢降温旋转籽晶法生长出一系列双掺ＫＴＰ型晶体,研究了晶体生长习性,测定了所有晶体的晶胞参数、粉末倍频效应和晶体中掺质离子的浓度．测试了晶体的Ｒａｍａｎ光谱、激发光谱、发射光谱和 ３５０～８００ ｎｍ之间的光透过曲线．研究了双掺 ＫＴＰ型系列晶体的荧光性质．探索了新型激光自信频晶体存在的可能性．     

Cr：KTP晶体生长及其有关性能研究

采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的０．０３％和０．１％的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，确定了它们的最佳生长温度区间，并讨论了不同生长温度区间对Ｃｒ：ＫＴＰ晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Ｃｒ：ＫＴＰ的３种生长缺陷。利用差热分析法分析了Ｃｒ２Ｏ３对ＫＴＰ晶体分解温度的影响。测定了Ｃｒ：ＫＴＰ品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱，并用间接法估计了晶体中Ｃｒ４＋离子的含量。确定了摩尔原子质量的０．０３％为Ｃｒ：ＫＴＰ晶体的最佳掺质浓度，并用激光激发实验予以证明。     

高温溶液中KTP晶体生长机制的研究

采用激光Ｒａｍａｎ光谱，研究了ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５和ＫＴＰ－Ｋ_２Ｏ－Ｐ_２Ｏ_５－ＷＯ_３两种不同溶液的淬冷玻璃体，这些玻璃体部分地记录了相应溶液的溶质与溶剂间相互作用的信息，溶液中ＴｉＯ_６、ＰＯ_４、ＷＯ_４等阴离子基团形成了不同类型的溶剂合物。随后，以籽晶称重法测定了ＫＴＰ晶体在这两种不同溶液体系中的生长质量速度与溶液过饱和度之间的关系。实验结果表明，ＫＴＰ晶体生长机制与原子化的ＢＣＦ生长理论的面扩散或体扩散的线性定律与抛物线定律相吻合。     

LAP晶体生长过程中母液的变色和防菌研究

ＬＡＰ是一种新型的有机非线性光学晶体，由于其优异的性能，成为很有希望取代ＫＤＰ晶体，应用于激光核聚变反应的晶体。本文探讨了ＬＡＰ晶体溶液降温法生长过程中易出现的母液变色和细菌污染问题，找到了一种效果更为理枋的防菌剂－液体石蜡。通过采取低温生长和防菌措施，解决了上述问题，长出光学质量好的ＬＡＰ单晶。     

KHm溶液的光密度与K~＋含量的关系

用不同浓度的氢氧化钾溶液和相同重量的风化煤，配制成不同浓度的腐植酸钾（ＫＨｍ）溶液，并用７２－１型分光光度计测定了它们的光密度用四苯硼钠法测出了ＫＨｍ中的钾离子（Ｋ＋）含量．研究结果得出，ＫＨｍ溶液的光密度逐步增大到某一数值前，只与氢氧化钾溶液浓度有关，与Ｋ＋含量无关．当达到或超过这个数值后，则Ｋ＋含量与氢氧化钾浓度有关，但光密度与氢氧化钾浓度无关．     

KHm溶液的光密度与K~+含量的关系

用不同浓度的氢氧化钾溶液和相同重量的风化煤，配制成不同浓度的腐植酸钾（ＫＨｍ）溶液，并用７２－１型分光光度计测定了它们的光密度用四苯硼钠法测出了ＫＨｍ中的钾离子（Ｋ＋）含量．研究结果得出，ＫＨｍ溶液的光密度逐步增大到某一数值前，只与氢氧化钾溶液浓度有关，与Ｋ＋含量无关．当达到或超过这个数值后，则Ｋ＋含量与氢氧化钾浓度有关，但光密度与氢氧化钾浓度无关．     

TGS热释电晶体生长工艺研究

目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径，而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础．利用水溶法生长了纯TGS单晶体，系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程．分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因．测定了晶体的热释电性能的主要参数．结果表明此方法生长的晶体达到工业应用的技术要求．从而指出生长均匀、无缺陷TGS单晶体工艺过程中的各个影响因素和应注意的事项，为该晶体改性工作的继续开展提供了技术支持．     

KDP晶体生长工艺研究

利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.     

钻井泥浆助剂KHm新工芝

通过试验研究，提出了一种制备钻井泥浆助剂腐植酸钾ＫＨｍ的新工艺．该工艺改变传统方法，采用ＫＯＨ与ＮａＯＨ混合碱液代替ＫＯＨ溶液．并通过改变ＫＯＨ与ＮａＯＨ混合液配比的方法，控制ＫＨｍ中Ｋ＋的含量．从而达到降低ＫＨｍ生产成本的目的．     

AlN晶体声子谱及其热学性能的第一原理计算

针对AlN晶体的声子谱和热学性能,采用密度泛函理论、第一性原理以及ABINIT软件进行了理论计算,得到了AlN晶体的声子谱以及内能、质量定容热容、熵和自由能与温度的关系曲线,并对曲线进行了理论分析.计算结果表明：AlN晶体的声子谱有12条曲线,其中3支为声学波,9支为光学波,并且形成了一光学带隙.AlN晶体的内能随着温度的增加而增加;质量定容热容起初随着温度的增加而较快地增加,后来逐渐达到稳定值;熵随着温度的增加也在增加,并且关系曲线有一定的弯曲;自由能随着温度的增加在不断地减小.以上计算结果与物理规律具有一致性.     

化学计量比和铜离子对Fe:LiNbO3晶体光学性能的影响

以K2O作助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.测试了晶体的红外光谱,吸收光谱和抗光损伤能力.由红外光谱OH-吸收峰位置,确定Cu:Fe:LiN-bO3晶体是近化学计量比.吸收光谱显示出Cu:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.其抗光损伤能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级.对红外光谱OH-吸收峰移动机理,吸收光谱吸收边移动机理和抗光损伤增强机理进行讨论.通过二波耦合光路测试并计算了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间、灵敏度和动态范围.近化学计量比掺杂LiN-bO3晶体的光学性能优于Fe:LiNbO3晶体.     

可修复水凝胶光子晶体的制备

采用冷冻-解冻法制备物理交联聚乙烯醇(PVA)水凝胶,在常温下可通过简单贴合实现断口自修复。考察了不同冷冻时间和解冻时间对自修复后水凝胶断裂拉伸应力的影响,结果表明,冷冻时间为24 h,解冻时间为1 h,所得水凝胶在自修复后具有最佳机械性能。进一步研究发现,以PVA水凝胶为基体包封180 nm聚苯乙烯(PS)微球制备的凝胶光子晶体(PC)可通过断面涂覆PVA溶液实现常温自修复,且PVA PCs可以制备成任意形状。衍射光谱表征证明了PVA PCs能够对外部压力刺激产生响应。     

溴化钾晶体生长及性能研究

对KBr原料进行了纯化处理,采用提拉法生长KBr晶体,获得了合适的晶体生长工艺参数：熔液上方温度梯度-20℃/cm~-30℃/cm,下方温度梯度10℃/cm~15℃/cm,拉速1~4mm/h,转速5~20r/min。测量了KBr晶体的红外光谱,表明纯化后的多晶料能够有效去除杂质,有利于获得高透过、低吸收的晶体。TG-DSC表明KBr在720.9℃发生熔化。XRD表明KBr晶体属于立方晶系,Fm3m空间群。测试了KBr晶体透过光谱,透过率大于92％。     

鉬酸二铅中鉬酸根离子内振动喇曼谱线的研究

在钼酸二铅的单晶体中测出的拉曼谱,其钼酸根离子内振动的谱线与对称分析的理论结果完全一致。对室温下该晶体的全部拉曼谱线进行了测定与分析。     

水热法合成水溶性CdTe量子点及其光谱表征

用半胱胺作为稳定剂,采用水热法快速合成了水溶性的CdTe量子点。荧光光谱表明所合成的量子点具有优异的发光性质,所得到的量子点尺寸分布均匀、半峰宽较窄。透射电子显微镜(TEM)表征了量子点的结构和粒径分布。通过荧光发射光谱研究了前驱体溶液中铬离子的浓度和配体浓度对量子点晶体生长速度的影响,前驱体溶液中铬离子浓度增加或稳定剂半胱胺的浓度减小,纳米晶体的生长速度加快。通过荧光发射光谱的研究,确定了合成前驱体溶液的最佳pH值为5.6。实验中还研究了不同pH值的磷酸盐缓冲溶液对CdTe量子点荧光强度的影响。     

Nd，Yb：YAG晶体生长及性能表征

采用中频感应加热提拉法,生长Nd,Yb：YAG激光晶体．利用XRD、吸收光谱和荧光光谱对晶体的物相结构及光谱性能进行分析,结果表明：Nd,Yb：YAG晶体属于立方晶系,晶格参数a=1．2021nm,在808nm处有较强的吸收能力．室温下,Nd,Yb：YAG晶体荧光光谱的最强荧光发射峰位于1030nm处,归属于Yb^3＋离子的^2F5/2-^2F1／2能级跃迁．