双坩埚法生长YBCO（123相）超导单晶

本文采用自助熔剂法和对扣双坩埚、高温翻转工艺获得了供超导基础研究用的３×５×８（ｍｍ）３高质量ＹＢＣＯ（１２３相）单晶样品，测得其超导转变温度Ｔｃ在退火前为８４Ｋ，在５００℃氧气氛中退火后达到９１Ｋ．     

多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究

多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团．在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象．最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如...     

Lyocell的原纤化及整理

原纤化现象是Ｌｙｏｃｅｌｌ纤维固有的属性,产生的原因是多方面的。采用生物,化学整理可有效地控制原纤经现象。有时还可利用Ｌｙｏｃｅｌｌ纤维原纤化的特性生产出多种不同风格和手感的织物。     

金属树枝晶的生长行为

对近十几年来树枝晶研究工作取得的进展进行了总结。指出枝晶间距尤其是一次枝晶间距与温度梯度，生长速度的关系基本符合指数关系，分析了二次枝晶的粗化和爬行现象。并对三次枝晶的研究现状作了介绍。     

ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究

介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。     

涤／锦复合超细纤维开纤工艺研究

在利用多种方法对涤/锦复合超细纤维织物精练的基础上,选用不同的开纤剂剥离复合纤维,并通过扫描电镜分析、测试吸附等温线和色差等方法研究实验结果。     

交联处理对Lyocell纤维原纤化性质的影响

Lyocell纤维在潮湿情况下容易原纤化，影响织物外观。采用N，N-二羟甲基二羟基乙基脲以及多元羧酸类交联剂丁烷四羧酸对Lyocell纤维进行处理，使Lyocell纤维获得了良好的抗原纤化性能。综合考虑Lyocell纤维的抗原纤化性能和纤维机械性能的损伤以及SEM分析结果，用40g／L DMDHEU或50g／LBTCA溶液处理Lyocell纤维可以获得比较满意的效果。FT—IR的分析结果表明，Lyocell纤维与DMDHEU发生了醚化交联反应，与BTCA发生了酯化交联，使纤维具有了抗原纤化能力。     

U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体

碘化铅（PbI2）晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。由于铅、碘化铅和碘三种物质的蒸汽压差很大,很难生长出优质的碘化铅单晶体。本文根据碘化铅熔体容易分解及Pb-I系统中熔体分层的特性,设计制作了新型的生长坩埚,并采用U型坩埚上升法生长出了橘黄色、半透明状的碘化铅晶体,初步测得其电阻率为1.7×10^12Ω.cm,红外透过率为45%。     

热处理温度对铟锡氧化物纳米粉显微结构的影响

采用化学共沉淀法制备了铟锡氢氧化物纳米粉，对其热处理前后的粉体进行了XRD和TEM分析，结果表明：未热处理的为铟锡氢氧化物，200℃热处理后铟锡氢氧化物部分晶化，300℃热处理后全部转变成晶态，然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉；600℃热处理1h后粉末粒度为5－10nm，铟锡质量比接近9：1。铟锡氧化物颗粒接近球形，分散性好。     

Ti^3＋：Al2O3单晶光纤生长

本文用LHPG法生长了Ti:Al_2O_3单晶光纤,并探讨其生长规律。证明少量掺杂离子对宝石光纤生长规律影响不大。同时作者用自制的光纤吸收和荧光谱仪对Ti~(3+)离子在光纤拉制过程中的改价问题进行了研究。     

SAPMAC法生长大尺寸蓝宝石单晶工艺研究

采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)在真空条件下,选择<101-0>方向的籽晶成功生长了尺寸为220×200 mm的大尺寸蓝宝石晶体,生长时结晶区温度梯度为0.5~1.0℃/mm,生长速度为0.1~2 mm/h.对生成晶体的透射率进行了检测,测试结果表明在2 500~4 000 cm-1范围内,1mm厚度蓝宝石晶片的透过率达85%以上.     

铋钙铟钒石榴石单晶磁晶各向异性的研究

通过对｛Ｂｉ０．４Ｃａ０．６｝［Ｆｅ２－ｙＩｎｙ］（Ｆｅ１．７Ｖ１．３）Ｏ１２（ｕ＜０．３）的室温穆斯堡尔谱分析确定非磁性离子Ｉｎ３＋进入八面体（ａ）晶位置换部分Ｆｅ３＋．按单离子模型对ＢｉＣａｌｎＶＩＧ单晶温磁晶各向异性常数与掺铟量的关系进行叠代得出Ｆｅ３＋离子在单晶ＢｉＣａＶＩＧ和ＢｉＣａＩｎＶＩＧ四面体和八面体晶位上对磁晶各向异性有大体相同的贡献．     

Optimization of control parameters of CdZnTe ACRT-Bridgman single crystal growth

Cadmium zinc telluride is widely used as a substrate material for CdHgTe epitaxyand efficient γ-detectors. However, it is rather hard to get high quality single crystal ofthis material. One of the key difficulties is the solute content segregation. First, it is noteasy to control the chemical compositions of CdxZn1 Te right exactly due to high-partial ?xpressures of the components. Secondly, its heat conductivity is so low that …     

变形单晶铝线材的组织和性能研究

研究了不同程度冷拔变形（29％，51％，64％）的单晶铝线材的拉伸性能，并通过扫描电镜对拉伸断口进行了分析。结果表明：与原始线材相比，变形量为29％的试样抗拉强度提高了67.4%，屈服强度提高了203.3%，屈强比也提高了815，但延伸率降低了70.7%，其应力－应变曲线与原始单晶线材的应力－应变曲线明显不同；对于经冷拔变形的试样，总的趋势是随着变形量的增大，抗拉强度、屈服强度增大，延伸率降低。     

深过冷镍单晶形成的临界过冷度计算

对深过冷金属熔体中单晶形成的临界过冷进行了理论研究,结果表明：过冷度增大到一临界值后,金属熔体的形核点必须减小到１。过冷金属熔体中单晶形成的临界过冷度不仅与金属的本身性质有关,而且也与熔体的冷却速度ｖｃ和金属的体积Ｖ有关。本文计算得到的过冷镍金属熔体中单晶形成的理论过冷度与有关实验结果完全吻合。     

单晶金刚石晶体的机械研磨

为研究单晶金刚石晶体机械研磨过程中表层材料的去除机理,首先从理论上分析了单晶金刚石晶体在机械研磨过程中表层材料发生塑性变形的临界条件,并利用原子力显微镜对研磨后的（110）晶面和（100）晶面进行观测,发现两个晶面沿易磨方向〈100〉和难磨方向〈110〉研磨时的研磨表面都存在塑性变形后的纳米沟槽,表明表层材料实现了望性方式去除,但在相同的晶面和扫描范围内,沿易磨方向研磨的表面塑性沟槽数目少,表面波纹明显;而难磨方向的研磨表面塑性沟槽数目多,所获得的表面粗糙度低,对（110）晶面和（100）晶面各个研磨方向的最大塑性沟槽深度比较的结果表明,两个晶面的最大塑性沟槽深度具有显著的各向异性。     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

退火对PMN-32PT弛豫铁电单晶电畴组态的影响

采用光学显微镜沿[001]方向观察了PMN-32PT弛豫铁电单晶的电畴形貌，考查了在不同温度下退火处理对电畴组态的影响．结果表明：在90℃以下退火后，PMN-32PT晶体的电畴基本保持室温组态，但局部出现微弯曲．在120～160℃退火后，PMN-32PT晶体电畴明显粗化，条带宽大，且局部由条带型转变为回字型．在210℃以上退火后，PMN-32PT晶体电畴条带规则，均匀细小．     

光子晶体光纤熔接热源偏移量的研究

在光子晶体光纤的熔接过程中,由于包层空气孔大小及结构的不同,使得熔接时热源的功率和位置均不同,使得加热过程更为复杂。本文在对待熔的光子晶体光纤的热传导特性研究基础上,通过三维热传导仿真研究光子晶体光纤熔接过程中的最佳偏移量。通过仿真分析和实验研究表明：本文提出的方法可以用于计算光子晶体光纤的最佳熔接条件,从而完成光子晶体光纤与传统单模光纤间的低损耗熔接。