碳化硼陶瓷相对密度与性能的关系

研究了碳化硼陶瓷无压烧结致密化过程中相对密度与力学性能的关系，试验表明，添加碳能显著地促进烧结过程，并提高其烧结制品的相对密度，当含碳质量分数为4.5%，烧结温度为2200℃时，制品的性能达到较高的水平，过高的烧结温度和过多的碳均不利于性能的提高。     

碳化硼烧结动力学和烧结机制

研究了碳化硼（Ｂ４Ｃ）压坯烧结时线收缩和密度与烧结温度和烧结时间的关系,根据黄培云综合作用烧结理论,得出表征密度参数与烧结温度关系的烧结方程以及烧结动力学方程,根据动力学方程的系数,推断碳化硼的主 结机制为体扩散,同时有晶界扩散发生,计算了烧结表现活化能。     

碳化硼陶瓷材料密度的控制方法与应用

采用三种方法研究了热压烧结碳化碳化硼体系密度的控制。其中，炉内限位法控制试样密度精度，其最大偏差为±２Ｔ．Ｄ．；碳化硼体积密度为９２％，Ｔ．Ｄ．时，其各项性能达到或超过反应堆控制棒试制工作要求的指标。从室温到６００℃，其抗弯强度下降约为１０％。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

B4C粉末的气流粉碎及烧结

采用气流粉碎对B4C粗粉（比表面积为0.52m^2/g,中位粒度为20.4μm）进行粉碎实验,研究了气流粉碎次数对粉末性能、压坏密度和烧结密度的影响及成形压力和烧结温度对B4C烧结密度的影响,研究结果表明：当粉碎次数达到3次后,可获得中位粒度小于1μm的B4C超细粉末;经过4次气液粉碎的B4C超细粉末,其比表面积为2.53m^2/g,中位粒度为0.56μm;该粉末于2250℃无压烧结1h,其烧结密度为2.07g/cm^3,达到理论密度的82.5%,平均晶粒粒度为50μm。可见,气流粉碎能改善B4C的烧结性。     

粒度级配比对B4C制品性能的影响

研究了真空热压烧结碳化硼制品过程中粒度级配比对碳化硼制品性能的影响.结果表明,合适的粒度配比(20%W5 80%W3.5)将有利于烧结的进行,在此条件下烧结可使碳化硼制品的体积密度达2.514g·cm-3(理论密度为2.52g·cm-3),抗弯强度达434MPa,显微硬度达27.66GPa.这些数据将为工业化生产提供理论依据.     

配料Z值对常压烧结Sialon结构与性能的影响

由于Si6-zAlzOzN8-z（Z值变化范围为0－4．2）制备过程中物理、化学反应十分复杂，同时几乎没有可能制备单晶全致密Sialon材料，从而使Z值的精确控制十分困难。然而，大量研究表明，Z值对材料的结构和性能，如晶格常数、密度、硬度、断裂韧性、强度等有重要的影响，用Si3N4,Al2O3,AlN,Y2O3混合料以聚乙烯醇（PVA）为成型剂，用模压法成型，单位压制压力为78．5MPa，烧结在石墨电阻炉中进行，以Si3N4 Al2O3 AlN BN混合粉为烧结填料，工业氮气为保护气氛，制得了相对密度大于99％，抗弯强度为612．2MPa的Sialon陶瓷。结果表明：在一定实验条件下，Z为1和2的材料烧结致密化程度最好，强度随烧结坯密度增加呈指数增加，要获得高的强度，材料密度不能低于3．2g/cm^3；晶格常数a随Z值增加呈线性增加，c值随Z变化规律不明显，Z值为1－2的材料烧结性能最好。     

铝、硅对碳化硼陶瓷性能的影响

研究了含有铝、硅的碳化硼陶瓷无压烧结致密化过程和力学性能，添加铝、硅均能促进烧结过程，当铝、硅的质量分数分别为3％和7％时，可达到最大的密度，烧结制品的性能与所添加的铝、硅质量分数关系密切，当添加剂质量分数过高时，会导致性能下降。     

碳化硅陶瓷的耐磨损性能研究

研究了无压烧结和液相烧结碳化硅陶瓷耐磨性能。结果表明：材料的相对密度影响耐磨性能，在高密度时，液相烧结制品的耐磨性能与无压烧结制品接近。腐蚀性介质使碳化硅的耐磨性能大幅度下降，液相烧结制品受腐蚀性介质的影响大于无压烧结制品。     

烧结行为对B4C晶体结构的影响

研究了热压烧结对碳化硼晶体结构的影响，通过以NaCl为内标的XRD慢扫描图谱显示烧结对碳化硼的结构有一定的影响，烧结前碳化硼粉末的晶格常数为α=0．56868nm，c=1．18398nm；烧结后晶格常数为α=0．56082nm，c=1．20302nm．     

冷等静压成形及烧结温度对超细WC-TiC-Co 硬质合金性能的影响

采用高能球磨法制备了平均粒度约为550nm的WC-5TiC-10Co超细粉体.研究了冷等静压成形及烧结温度对合金试样性能的影响.结果表明:超细粉体在280MPa、保压2min的冷等静压条件下,压坯密度达到8.13g/cm3且趋于恒定.相同烧结温度下,冷等静压试样的性能优于普通压制试样;随着烧结温度的升高,合金试样的密度提高,硬度和抗弯强度先升高后降低;最佳烧结温度在1450℃左右,试样的密度达到12.08g/cm3,洛氏硬度(HRA)值高达93.6,抗弯强度达到1224MPa.     

增强剂对碳／碳材料沉积速率影响的实验研究

从实验探索了增强剂对碳／碳复合材料沉积速率的影响，提出了提高沉积速率的方法。实验结果表明：采用经过石墨化处理和表面改性处理的碳布作为增强剂，所制得的坯体沉积速率快，样品最终密度高；碳纤维体积含量（为３０％～４５％时）对样品最终密度无明显影响。     

原料粉末对碳化硼烧结性能的影响

研究了原料粉末对碳化硼陶瓷常压烧结性能的影响，试验表明增加原料粉末的比表面积和纯度能显著地促进烧结过程，且提高其烧结的质量密度，当比表面积大于16m^2/g时，可使烧结体的相对密度达到98.7%以上，抗弯强度达到456MPa，硬度HV达到为2790。制品的性能接近热压制品的水平。     

素坯结构对RBSC材料性能的影响

研究了制备反应烧结碳化硅过程中，配合料中碳质原料比例、原料粒度与生坯成型压力的关系，分析了素坯制备工艺对烧结体显微结构的影响，确定了利用金相显微镜诊断工艺缺陷的方法     

素坯结构对RBSC材料性能的影响

研究了制备反应烧结碳化过程中，配合料中碳质原料比例，原料粒度与生坯型压力的关系，分析了素坯制备工艺对烧结体显微镜结构的影响，确定了利用金相显微镜诊断工艺缺陷的方法。     

Si3N4-SiO2复合材料的制备及介电性能研究

以国产氮化硅、二氧化硅粉为原料，以氧化镁、氧化铝为烧结助荆，经干压成型后，在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下，常压烧结出结构均匀，具有良好介电性能的Si3N4-SiO2复合材料。研究了原料、烧结温度、烧结助剂对材料介电性能的影响。结果表明：SiO2、MgO、Al2O3可促进坯体的烧结及致密，同时时材料的介电性能有较大的影响。当烧结温度低于1550℃时，随着烧结温度的升高，材料的介电常数趋于增大。当烧结温度高于1550℃时，随着温度的升高，材料中缺陷增加，相对密度降低，因此材料的介电常数趋于减小。     

微波场中铜粉烧结行为的初步研究

实验研究了铜粉在微波场中的烧结行为,并就微波场中烧结金属粉末压坯的机理进行了相关讨论。结果表明在微波场中铜粉压坯能被无氧化快速烧结;经微波烧结后铜粉压坯内外具有均匀的致密度。微波不仅通过涡电流作用烧结铜粉压坯,铜粉颗粒间产生的弧光效应也起着重要的作用。     

特种陶瓷的成型与坯体密度的关系

探讨了干压成形法对特种陶密度的各种影响因素。从理论上分析了压力与密度的引起民层裂的原因以及所采取的预防措施。对实际生产具有一定的指导意义。     

纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究

以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时间短使晶粒细化 ,是材料强度提高的主要原因。 90 %理论碳含量的素坯渗硅后 ,所得材料的密度为 3.0 8～ 3.12 g/ cm3,强度为 (5 5 0± 30 ) MPa     

Sialon陶瓷的常压烧结

在Si3N4,Al2O3,AIN和Y2O3混合料常压烧结过程中,由于过程反应生成SiO,CO,N2等气相物质和由于Si3N4原料在高温常压下分解压高,从而常压烧结致密化过程始终伴随着一个失重的塑致密化过程。为了解决这一问题,作者研究了填料成分、烧结温度、烧结时间等工艺条件对Sialon陶瓷常压烧结密度的影响,分析了烧结过程的物理化学机制和致密化机制。4种填料分别为Si3N4,Si3N4 SiO2,Si3N4 Al2O3 AIN和Si3N4 Al2O3 AIN BN。被烧料典型配方为：Si3N465%-70%,Al2O320%-25%,AIN10%,另加6％Y2O3。当填料成分为70％Si3N4 24%Al2O3 3%AIN 3%BN时,制得了相对密度达99％,抗弯强度达612．2MPa的常压烧结Sialon陶瓷。研究结果表明：对于通式为Si6-zAlzOzN8-z的Sialon陶瓷,当Z＝2时,其最佳烧结温度为1750℃,烧结时间为40min;Sialon的烧结过程是1个多因素控制的瞬时液相烧结过程。