一种新型电调谐CMOS电流传输器

基于现代VLSI设计采用CMOS工艺的趋势，提出的新型可调谐CMOS电流传输器(CCII)电路，利用辅助电压源交叉耦合的方法，可使Z端口传输特性的线性范围得到显著改善，而且可调因子可以通过外加电压源线性调节。PSPICE仿真结果表明，该电路输入电压动态范围较宽，增益因子的调节线性灵敏度较高，而且可以通过增大辅助电压源的宽长比减少传输误差，使Z端口电流能更好的跟随X端口电流。     

利用新型CMOS CCDVCCⅡ实现的电流模式和电压模式可编程二阶滤波器

利用宽线性范围跨导器构成新型CMOS电流控制差分电压输入电流传输器(CCDVCCⅡ),所提出的电路由具有动态的长尾电流的差分对和跨导线性环构成.并且用此种新型CCDVCCⅡ分别构成电流模式二阶滤波器和电压模式二阶滤波器.构成的两种滤波器都可通过数字开关获得低通、高通、带通、带阻、全通传输函数,且可以由CCDVCCⅡ的偏置电流改变品质因素和固有频率.采用SMIC 0.18工艺,用Spectre对电路进行仿真,电源电压仅为1.8 V.     

新型电流型CMOS三值施密特电路设计

以开关信号理论为指导,建立了实现电流型CMOS三值施密特电路中阈值控制电路的电流传输开关运算. 在此基础上提出了一种新的电流型CMOS三值施密特电路设计, 该电路可提供三值电流和电压输出信号. 电路的两个电流回差值的大小只需通过改变MOS管的尺寸比来调节. 与以往设计相比,所提出的电路具有结构简单、回差值调整容易以及可在较低电压下工作等特点. 采用TSMC 0.25 μm CMOS 工艺参数和1.5 V电源电压的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方法的有效性和电路所具有的理想回差特性.     

一种新型用于VGA的微功耗指数电流电路

提出了一种适用于可变增益放大器(VGA)的微功耗指数电流电路. 该电路结构简单, 以偏置在亚阈值区的MOSFET为核心器件, 并利用其漏源电流Ids与栅源电压Vgs呈指数关系的特性产生指数电流. 该电路从系统架构出发, 通过引入阈值监测电路, 控制电压转换电路及求和电路, 补偿了其阈值的工艺和温度偏差, 使该指数电流电路具有较好的工艺和温度偏差抑制能力. 基于TSMC 0.18μm标准的CMOS工艺平台验证表明: 该指数电流电路dB线性动态范围为30dB, 其线性误差为±0.41dB, 最低工作电压为0.9V, 功耗为11μW.     

一种新型低压COMS四象限模拟乘法器

一种新型低压CMOS四象限模拟乘法器以源衰减器和全差分电流传输器(FDCC )为核心,当电源电压为±1.5V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3dB带宽约为10MHz.     

线性含源二端网络的Therenin等效电路的一种求法

本文从线性含源二端网络在接有有源负载情况下的输出电压(电流)特性方程出发,利用迭加原理,提出了此类二端网络戴维南(诺顿)等效电路的一种新求法—虚电源法。本文指出:若在端口施以虚拟的电流源Ix,则端口电压Ux=K.Ix+b.那么此二端网络的开路电压U_o=b;入端电阻R_o=K,此法的特点是:U_o和R_o同时得到,不需要单独求,对于分析含受控源的电路,颇为有效。若在端口施一虚拟的电压源,求端口电流的表达式,可得到诺顿等效电路的参数。     

分段式线性LED照明驱动电路的比较

针对数瓦级的LED照明应用,分段式线性驱动电路比传统开关式驱动电路具有更高的性价比。分段式线性LED照明驱动电路因结构组成不同,性能也会存在差异。对两种典型的分段式线性LED照明驱动电路进行了比较研究。宽电压范围输入的实验样机均采用了输入电压自适应以及输入电压静态和动态滞回区域相结合的电流控制策略,实验结果表明:当满足相同的电气要求时,多电流源型分段式线性LED照明驱动电路主电路效率更高、成本较低,而单电流源型分段式LED照明驱动电路输入电流谐波表现更优、电路段数更易扩展以及控制程序较容易编写。     

一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计

介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理，设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源．电路没有采用运算放大器，从而使设计得到了简化．采用2μm p阱CMOS工艺模型模拟分析，可以发现该参考源在0℃-100℃温度范围内有较好的温度特性．     

一种宽带自偏置CMOS CCII的设计

一种宽带自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)电路,由轨到轨输入级、缓冲级、电流镜和偏置电路组成,其主要特点是带宽宽、低功耗、电压和电流的传输误差小.通过采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺参数,进行HSPICE仿真,结果表明:vx/vy和iz/ix的-3 dB带宽分别为1.22 GHz和1.01 GHz,电压和电流传输增益分别为0.982和1 0049,在直流电下的静态功耗为1.9512 mW.据此电路设计的二阶通用滤波器,经仿真结果证明也是可行的.     

2．4GHz高线性CMOS混频器设计

依据使用交叉差分管对作为输入级来提高线性的办法,设计了一种工作在2.4 GHz的高线性CMOS双平衡混频器.为提高增益,应用了电流源负载和共模反馈电路.使用tsmc0.35μm混合信号CMOS RF模型对该混频器进行仿真,在电压为3 V的条件下,取得3阶输入截止点(IIP3)为11.7742 dbm,转换电压增益为10.138 db,功耗为12 mW的结果.     

用于能量获取的低压输入DC/DC转换器

提出了一种低压输入能量获取DC/DC转换器,可在输入电压低至25 mV的情况下工作.为适应不同的应用系统需要,该电源管理系统提供4种不同的电源输出,为各种应用提供最佳电压设计,以适应低功耗设计要求;在输入电压不存在的情况下储能电容可对系统进行供电,延长了系统寿命并拓展了应用.在0.18 μm CMOS工艺下,300 μA负载电流下效率达到64%.该设计为无线检测和数据采集应用提供了完整电源管理解决方案.     

低电压、高PSRR的带隙电压基准源

设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源,具有良好的电源抑制比。电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比。基于0.25μm CMOS工艺,测试结果表明:在1V电源电压下,1KHz频率时,电源抑制比约为80dB,在0-70℃温度范围内,输出电压变化率不超过0.3%。     

一种适用于移动芯片的低功耗低温漂LDO电路

针对移动设备低功耗的要求,基于GSMC 0.18μm CMOS集成电路工艺,设计了一种新型无片外电容低压差线性稳压电路．在传统结构的基础上,用经温度补偿的恒流源替代反馈电阻,并将此恒流源作为基准电压源电路及误差放大器偏置参考电流,降低了静态功耗,同时对输出电压实现了温度补偿且可调．结果表明,在2.85～4.00V工作电压范围内,空载时静态电流仅为5.486μA; 在-40~85℃工作温度范围内,输出电压温漂为9.772×10^-6/℃;电路版图面积仅为0.12mm×0.09mm．     

2.4GHz线性功率放大器的分析与设计

该文介绍了基于SMIC 0.18μm CMOS工艺工作于2.4GHz功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果.电路采用两级放大的结构,驱动级采用自偏置Cascode结构,为了保证驱动级有足够的线性度,偏置电压采用了自适应结构,使偏置电压随着输入功率的不同而变化,保证了放大器的线性度并提高了功率附加效率,功率级采用共源结构...     

一种新型低压高精度CMOS电流源

采用低压与温度成正比基准源和衬底驱动低压运算放大器电路,设计了一种新型的低压高精度CMOS电流源电路,并采用TSMC 0.25μm CMOS Spice模型进行了电源特性、温度特性及工艺偏差的仿真．在室温下,当电源电压处于1.0～1.8V时,低压电流源输出电流I_out约为12.437～12.497μA;当温度在0～47℃范围内,输出电流为12.447μA;各种工艺偏差条件下的最大绝对偏差为0.54μA,与典型工艺模型下的相对偏差为4.34%．     

基于PWM控制的电抗器测量仪的研究

为了改变传统测量电抗器电抗值,介绍了一种基于PWM控制的方法,能够在额定电流下进行阻抗测量,且电源为三相对称电流源。采用由DSP控制、CMOS管构成PWM逆变电路的测量方法,能够在三相对称电流源下测量,而不是三相对称电压源,减小了测得的电抗值与实值的误差。选用此测量方法与传统方法相比,具有设备体积小,测量精度高的优点。     

一种单片高效开关DC/DC转换器的设计与实现

提出了一种针对便携式电子产品的高效单片开关DC/DC转换器.采用固定关断时间PWM控制方式代替传统的固定频率PWM控制方式,转换器的开关频率和开关电流损耗随输入电压减小而降低,弱化了转换效率随电池电压下降而降低的趋势;除一般PWM/PFM供电模式外,该转换器增设了LDO供电模式以降低转换器的最小输入电压,提高了电池使用效率;另外,该转换器采用既能消除开关管与同步整流管瞬通电流损耗、又能消除其驱动缓冲级瞬通电流损耗的"嵌套"死区缓冲器.仿真结果表明,该转换器转换效率高达95%.转换芯片以0.5μm2P3M Mixed Signal CMOS工艺流片,实测效率达91%.     

无源超高频RFID低压高效电荷泵的设计与实现

提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率。该结构使用chartered 0.35 μm CMOS工艺进行流片验证,实测结果表明,在输入275 mV负载电阻200 kΩ情况下,电荷泵输出可达1.47 V,能量转换效率最高可达26.2%;采用该电荷泵的RFID标签识别距离最远可达4.2 m。该设计为RFID芯片的良好性能提供了可靠保证。     

一种用于光通信的高速LVDS发送器设计

该文设计了一种基于0.13μ m CMOS工艺的高速LVDS发送器.通过增加有效的共模反馈电路来抑制开关噪声,同时LVDS输出具有更小的过充电压和更稳定的共模输出电平,使该发送器能在更高的工作频率下运作.该发送器电路采用标准0.13μm CMOS工艺进行设计,版图面积为130μm × 90μm.仿真结果表明,该LVDS...