掺杂CuO对（Zr0．8 Sn0．2）TiO4陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对( Zr0．8 Sn0．2) TiO4的微观结构和介电性能的影响。结果表明：掺杂降低了( Zr0．8 Sn0．2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少。 XRD结果显示：样品的主晶相均为( Zr0．8 Sn0．2) TiO4相。ZnO和CuO的质量分数均为1%、烧结温度1350℃时,介电常数为40．5,损耗为0．0004(1MHz),介电性能最佳。     

Ba（Zr0．06 Ti0．94）O3－BiFeO3复合陶瓷的介电、铁电及压电性能研究

采用高温固相法制备出Ba（Zr0．06Ti0．94）O3－x％BiFeO3（x＝0．2,0．4,0．6,0．8）系列复合陶瓷,并研究了其相结构、介电、铁电和压电性质．XRD结果表明,所有样品均呈现典型的钙钛矿四方相结构,而样品的晶格常数随着BiFeO3的含量改变发生了一定变化．介电－温度图谱表明,复合陶瓷的相变温度和介电常数都受到了BiFeO3成分影响,室温介电常数随着BiFeO3含量的增加不断增大,并且复合陶瓷中存在弥散相变．所有样品均显示出明显的铁电与压电特性,并且随着BiFeO3含量变化,两种特性呈现出相同的变化趋势．     

A位Y^（3＋）替代α-BZN陶瓷结构及介电性能研究

采用传统的固相反应法制备了（Bi1.5-xYxZn0.5）（Zn0.5Nb1.5）O7（BYZN,0≤x≤0．2mol）陶瓷,借助XRD、SEM和Agilent4284A测试仪,研究了A位替代对OL—BZN结构和介电性能的影响。研究表明：当掺杂量xY^（3＋）〈0．15mol时,样品相结构中没有出现其他杂相,为单一立方焦绿石相;随掺杂离子的进一步增加,样品中出现少量第二相。陶瓷样品的晶粒尺寸和介电性能随着Y^（3＋）掺杂量的增加而呈现有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;xY^（3＋）≤0．15mol时,1MHz下弛豫峰峰值温度Tm由-117℃逐渐增加到-108℃。     

Ba（Fe0．5Nb0．5）O3／Ni复合陶瓷材料介电性能的研究

在氮气气氛中采用传统固相法制备了（1-x）Ba（Fe0.5Nb0.5）O3／xNi（x=0．1,0．2,0．3;BFN／Ni）复相陶瓷,并研究了Ni含量对复相陶瓷晶体结构、显微组织、渗流阈值及介电性能的影响．研究结果表明：在高温烧结过程中,Ni含量为30wt％时,BFN和Ni没有发生化学反应．BFN／Ni复合陶瓷的电阻率随着Ni含量的增加而下降,且在渗流阈值附近,复合材料从绝缘体逐渐变为导体．BFN／Ni复合陶瓷的介电常数会随着Ni含量的增加而急剧增大．在室温下1kHZ条件下,当Ni含量为30wt％时,复合陶瓷材料的介电常数约为1670000,这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累了大量的空间电荷,并由此产生界面极化,导致介电常数显著增大,且随着导体含量的增加,这种界面效应更加明显．对于介电常数的增加,可以借助Maxwell—Wagner极化模型来给予解释．     

Ca8(Al1-xNix)3合金的相结构

研究了Ca8（Al1-xNix）3（x=0，0.1，0.2，0.3，0.4）合金的相结构及相组成。结果表明，当x=0时，合金中只有Ca8Al3相存在；当x=0.1，0.2，0.3时，合金中除Ca8Al3相外，出现NiAl相和Ca，随着x的增大，Ca8Al3相逐渐减少，而NiAl相和单质Ca大幅度增多；当x进一步增大到0.4时，CasAl3相完全消失，合金仅是由NiAl和Ca相构成。     

储氢合金LaNi（4．2＋5x）Mn0．4A10．4Zrx的微观组织及电化学性能研究

研究了x(Zr)及热处理工艺对LaNi(4.2 5x)Mn0.4Al0.4Zrx储氢合金微观组织与电化学性能的影响．结果表明：添加Zr元素后该储氢合金中均出现Zr(Ni，A1，Mn)5第二相，并且第二相的含量随x的增大而增多．当x=0．4时，经热处理后合金中的第二相沿主相晶界呈网状分布，而且其韧性很好．由于第二相对主相起到了防腐蚀保护作用，并降低了充放电过程中晶格畸变引起的合金粉化的速度，从而使循环稳定性显著提高，但由于第二相不是吸氢相，对电化学容量没有贡献，因此它的出现使合金的放电容量降低．     

La1-x Cex Ni3．54 CO0．78 Mn0．35 A10．32贮氢合金相结构和电化学性能的研究

采用真空电弧熔炼和热处理方法制备了La1-x Cex Ni3．54 CO0．78 Mn0．35 A10．32（x=0．1,0．2,0．3,0．4,0．5,0．6）贮氢合金．x射线衍射（XRD）分析表明,合金含有单-CaCu5型六方结构相．电化学性能测试表明,随着x的增加,合金的最大放电容量从348．1mAh／g（x=0．1）单调地减小到310．1mAh／g（x=0．6）;HRD1200先从28．6％（x=0．1）增加到65．4％（x=0．5）然后降低到60．1％（x=0．6）,归因于合金表面的电催化活性和合金体内氢原子扩散速率均随z的增大先增大后减小．     

Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

利用X射线衍射和磁化强度测量，研究了Dy1-x，SmxMn6Ge6（x=0．2～1．0）化合物的磁性和输运性质。结果表明：x≤0．4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成；0．6≤x≤1．0的样品主要由YCo6Ge6型相构成。样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大，随着Sm含量的增加，样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变。x=0．2，0．4的样品为反铁磁性，其夸尔温度分别为425，430K，并在50K下发生二次磁相转变。x=0．6，0．8，1．0的样品在整个磁有序温度区间，其磁性由亚铁磁过渡为铁磁性，其居里温度分别为445，450，454K。x=0．6的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响，也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果。     

Sm掺杂La_2Mo_2O_9的合成及其导电性

用固相反应法合成了La2-xSmxMo2O9(x=0~2)。室温XRD测试结果表明,在掺Sm计量x≥0.9时,出现杂质相的衍射峰;x≤0.85时,晶胞参数随Sm掺杂计量增加而线性降低。用直流四电极法和离子阻塞法在723~1 173 K温度范围测定了合成试样的电导率,结果表明电子电导率和电导率均随Sm掺杂量增大而降低,掺Sm增大了电导活化能和电子电导活化能。     

稀土Nd掺杂对Sr（Fe0.5Nb0.5）O3基介质陶瓷巨介电性能的影响

铁铌酸锶是一种重要的介质材料,具有复合钙钛矿结构,同其他介质材料相比,具有相对高的介电常数的优点,在高储能等领域有重要的应用潜力,是一种用途广泛的功能陶瓷材料．实验以Sr（Fe0.5Nb0.5）O3基陶瓷为研究对象,研究了稀土Nd掺杂对该系陶瓷巨介电性能的影响．结果表明：随着Nd抖掺杂量的增加,陶瓷样品的介电常数逐渐变大;随着温度的上升,陶瓷体系的介电常数也逐渐增大;Nd抖含量x≤0．10时,陶瓷样品有着良好的频率稳定性,x=0．10的陶瓷样品在100kHZ下有着良好的温度稳定性．     

（0.82-x）Bi0.5Na0.82Ti O3-0.18Bi0.5K0.18TiO3-xBiFeO3（x=0.01-0.07）无铅压电陶瓷的制备及其电学性能的研究

采用传统的固相烧结法于1120℃烧结2 h得到（0.82-x）Bi0.5Na0.82Ti O3-0.18Bi0.5K0.18TiO3-xBiFeO3（x=0.01-0.07）无铅压电陶瓷,并对该体系陶瓷的微观结构和电学性能进行了研究。结果表明,BiFeO3的引入量x为0.01-0.07时,样品均为具有MPB准同型相界（三方相和四方相共存）的钙钛矿结构。BiFeO3的引入使陶瓷的晶粒度略有增加;当x=0.03时,样品达到最大致密度。为97.7%;陶瓷的压电常数d33随BiFeO3的引入而降低。陶瓷的相对介电常数εr和居里温度随BiFeO3的引入而明显增大,在x=0.03时达到最大值。     

Ca_8(Al_(1-x)Ni_x)_3合金的相结构

研究了Ca8(Al1-xNix)3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金的相结构及相组成。结果表明,当x=0时,合金中只有Ca8Al3相存在;当x=0.1,0.2,0.3时,合金中除Ca8Al3相外,出现NiAl相和Ca,随着x的增大,Ca8Al3相逐渐减少,而NiAl相和单质Ca大幅度增多;当x进一步增大到0.4时,Ca8Al3相完全消失,合金仅是由NiAl和Ca相构成。     

SrCoo.8Fe0．2O3-δ的制备及稳定性能表征

介绍了SrCoo.8Fe0．2O3-δ(SCF)陶瓷透氧膜的制备，并采用热失重分析和XRD测试方法对所获得样品的制备条件和稳定性能进行了探索。研究发现当固相反应温度在950℃以上．参加反应的主要是活性物质．使所合成SCF的转化率提高，这样获得的SCF陶瓷膜样品稳定性增加，它可以长期暴露在空气中不发生变化；在经过长时间的氧分离实验后，样品表丽的XRD测试结果表明相组成未发生改变.     

Zn掺杂对GdMnO体系的晶体结构影响

系统研究了Gd（1-x）ZnxMnO3（x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0）体系的结构。结果表明,实验样品具有正交对称性结构。当Zn掺杂浓度x≤0.4时,随着Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c减小,而晶格常数a增大,晶胞体积逐渐减小;当掺杂浓度x≥0.6时,Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c增大,而晶格常数a减小,晶胞体积逐渐增大。计算表明Gd（1-x）ZnxMnO3系列化合物的容忍因子在0.76~0.92范围,可以形成稳定的钙钛矿结构。     

Dy_（0．65）Tb_（0．25）Pr_（0．1）Fe_x合金的显微组织和磁致

采用金相、Ｘ射线衍射、电子探讨显微分析、交流初始磁化率和标准应变测试技术研究了Ｄｙ０．６５Ｔｂ０．２５Ｐｒ０．１Ｆｅｘ合金的显微组织、居里温度和磁致伸缩．结果表明：合金的基体为ＭｇＣｕ２型立方结构的（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｐｒ）Ｆｅ２相，当Ｘ≤１．８０时，第二相为富稀土相，当Ｘ≥１．８５时，为（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｐｒ）Ｆｅ３ｅ相，合金的居里温度在１．８０≤Ｘ≤１．８５区间略有增加，当Ｘ＞１．８５时，变化很小．合金的磁致伸缩约在ｘ＝１．８０时呈现出一个峰值．     

Ni含量对Ca(Al1-xNix)2合金相结构的影响

研究了Ca（Al1-xNix）2（x=0,0.1,O.2,0.3,0.4）合金的相结构。结果发现,随着合金元素Ni含量的增加,合金的相组成发生显著的变化。当x=0时,合金中仅含C15型Laves相CaAl2;当x=0.1,0.2和0.3时,合金由CaAl2,NiAl和Ca1Al14相组成,并随着x的增大,CaAl2相逐渐减少、NiAl相不断增多;当x增大到0.4时,合金中CaAl2相完全消失,合金由NiAl,Ca8Al3和Ca组成。     

硅掺杂对PTC陶瓷相组成、微结构及性能的影响

采用固相法制备了不同硅掺杂量的BaTiO3基PTC陶瓷,研究了硅掺杂量和Ba2TiSi2O8第二相对PTC陶瓷电性能以及微观结构的影响,并分别以XRD和SEM对样品的相组成和显微结构进行了研究.结果表明,少量硅的加入降低了室温电阻率;硅的加入有利于传质和限制晶界移动;当硅掺杂量不大于0.5 mol％时,样品的电阻-温度系数和升阻比都随着硅掺杂量的增加而增大;硅不单是烧结助剂,而且它可以改变晶界相组成.当硅浓度超过0.5 mol％时,样品出现Ba2TiSi2O8第二相.随着硅的浓度进一步加大,Ba2TiSi2O8第二相增多,电阻率逐渐增大,电阻一温度系数减小,但升阻比却增大.Ba2TiSi2O8第二相的出现,导致样品的PTC效应出现缓变的现象.     

CaF_2掺杂对α-BZN陶瓷结构与介电性能的影响

采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7-yFy（0.00≤x≤0.20,以下简称BZN-x）陶瓷样品,研究了Ca2＋、F-共掺杂对BZN-x陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响。结果表明：BZN-x陶瓷样品的最佳烧结温度为1 020℃,CaF2在α-BZN中的固溶度是0.05,伴随着CaF2掺杂量的增加,介电常数逐渐减小,而介电损耗先减小然后又微弱增加（测试频率为1 MHz时）。通过介电损耗、电阻率的变化确认了CaF2掺入α-BZN后的缺陷补偿方式,同时也证实随着掺杂量的增加,介电常数峰值温度向低温移动与缺陷补偿方式有关。     

Ni—Zn铁氧体的结构和电磁性能的Nd^3＋掺杂效应

采用固相反应法制备Ni0.5Zn0.5Nd2-xFe2-3O4铁氧体,通过X射线衍射仪（XRD）、阻抗分析仪和振动样品磁强计（VSM）对样品的物相、结构和电磁性能进行表征,讨论了Ni0.5Zn0.5NdxFe2-xO4（x=0．002～0．010）铁氧体的结构和电磁性能。结果表明：Nd^3＋掺杂量z〉0．008时,样品中出现了杂相NdFeO3;随着Nd^3＋掺杂量的增加,晶格常数呈现先增大后不变,而密度、介电常数和介电损耗角正切呈现先增大后减小（z=0．008时出现最大值）,但饱和磁化强度呈现逐渐减小（z=0．010时有最小值71．22emu/g）;并且所有样品的介电损耗角正切均出现峰值,表现异常的介电行为。     

0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFeO3无铅压电陶瓷制备及压电性能研究

以水热法制备的0．992K0．5Na0．5NbO3（BF）粉体等为原料,采用常压烧结法在1065℃下烧结2h制备了0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFe03无铅压电陶瓷,并研究了BiFeO3掺杂对0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFeO3无铅压电陶瓷结构和压电的影响．研究结果表明：BiFeO3掺杂使K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷正交相减弱,晶粒尺寸由6／2m减小到1μm;压电性能有一定提高,压电常数（d33）、机电耦合系数（kp）分别达到120pC／N和37．8,居里温度Tc由444．4℃减少至420．6℃．