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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的GaAs/GaAlAs红外探测器,并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明,这种新型探测器与常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器相比,具有一些新的特点。理论计算和实验结果得到了很好的一致性。给出了这种新型器件电流输运的计算方法;得到较低的暗电流,较宽的光吸收谱(5~10μm);得到了新型器件的红外辐射下的光电流响应;初步给出了新型器件工作点的选取方法;模拟计算表明,增加周期个数,将会得到更大的光电流响应。  相似文献   

2.
目的 研究长周期掺杂超晶格GaAs/AlxGa1-xAs红外吸收的特性,尤其在10.6μm处的红外吸收。方法 在有效质量的基础上,计算GaAs/AlxGa1-xAs系列超晶格材料能带及带间光吸收谱。结果 发现当GaAs/Al0.3Ga0.7As的周期层厚为18nm,GaAs层厚为3nm,在10.6μm处有一强的红外吸收峰。结论 这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料。  相似文献   

3.
本文所提出的红外辐射探测器是由具有同一个辐射接收面、6对热电偶串联而成。所选用的热电材料为具有高优值系数的Bi2Te3-Bi2Se3-Sb2Te3赝三元热电合金材料。通过器件尺寸的优化,取得了较高的灵敏度。文中系统阐述了探测器的制作工艺和器件性能。  相似文献   

4.
本文所提出的红外辐射探测器是由具有同一个辐射接收面、6对热电偶串联而成.所选用的热电材料为具有高优值系数的Bi2Te3-Bi2Se3-Sb2Te3三八式赝元热电合金材料.通过器件尺寸的优化,取得了较高的灵敏度.文中系统阐述了探测器的制作工艺和器件性能。  相似文献   

5.
本文利用实验统计数学推导了AI-200型被动红外探测器的平均寿命。分析了在重庆地区使用中寿命缩短的主要原因,并给出了相应技术措施。  相似文献   

6.
优良的M-S欧姆接触,对于用Ⅲ~Ⅳ族元素化合物制造光电子器件,微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的,本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的An-Ge合金,利用AuGeNi合金组分实现在n-GaAs衬底上的欧姆接触.并结合资料,对完成的AuGeNi/n-GaAs的低欧姆接触机理进行了分析.  相似文献   

7.
优良的M-S欧姆接触,对于用Ⅲ-Ⅴ族元素合物制造光电子器件,微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要,本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Au-Ge合金,利用AuGeNi合金组分实现在n-GaAs衬底上的欧姆接触,并结合资料,对完成的AuGeNi/n-GaAs的低欧姆接触机理进行了分析。  相似文献   

8.
采用液相外延(LPE)技术成功地研制出室温脉冲激发的GaAs/AlxGa1-xAs双异质结激光器。脉冲电压30V,频率10kHz,脉冲宽度约1μs,脉冲功率的10mW,波长856.7nm。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。  相似文献   

9.
通过对GaAs-GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2,MgF2工艺过程,从理论和实验上分析涂层特性,反射率由无膜时的32%,镀膜后提高到92.5%,保护了器件端面,降低阈值电流,提高了激光输出功率和工作寿命。  相似文献   

10.
在研究As-Ge-Se系统玻璃的基础上,为降低多声子吸收在10.6μm处引起的附加损耗,以Sb取代玻璃中较轻原子量的元素As与Ge。结果表明,加入Sb后,多声子吸收往长波方向有的位移,有用红外光纤材料的前景。  相似文献   

11.
通过对GaAs-GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2,MgF2工艺过程,从|理论和实验上分析涂层特性,反射率由无膜时的32%,镀膜后提高到92.5%。保护了器件端面,降低问值电流,提高了激光输出功率和工作寿命。  相似文献   

12.
通过对波长808nm的GaAIAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。  相似文献   

13.
设计了一种能够实现模拟信号高精度传输与高电压隔离的高压线性光电耦合器,它以GaAlAs红外发光二极管为发光器件,采用Si-PIN光电二极管为光敏元件。叙述了高压线性光电耦合器的工作原理和其中部分电路的设计,分析了影响其线性度和隔离性能的两个主要因素是光电二极管位置不对称和器件内部的封装胶,并列举了部分测试结果,测试结果表明该器件具有良好的隔离特性和较高的线性度。  相似文献   

14.
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W /A  相似文献   

15.
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAIAS/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10 W,峰值波长为 806~809 nm。  相似文献   

16.
分析了A1GaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.  相似文献   

17.
采用多层液相外延技术研制成了脉冲大光腔(LOC)可见光GaAlAs半导体激光器,其波长为718~780nm,两倍阈值工作时,单面输出峰值功率为4~5W。本文给出了器件的主要特性,并对其波导特性进行了计算机数值分析。推导出了适合大光腔结构五层泄漏平板波导的本征值方程,计算了传播常数,功率限制因子与有源层的厚度,波导层的厚度及复合光腔厚度之间的关系并进行了讨论。用计算机模拟方法给出了远场分布。分析结果与实验结果很好地相符合。  相似文献   

18.
本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低温高分辩率技术,发现样品中EL2内部跃迁特征谱及由零声子线和五个声子耦合峰组成的精细结构。零声子线与近红外吸收带具有相同的光淬灭效应,其强度与EL2浓度具有良好的线性关系,由此阐述了一种测定EL2浓度的新方法。  相似文献   

19.
通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。  相似文献   

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