夏普开发出便携产品用太阳能电池模块

日本夏普公司开发出了用于便携设备的太阳能电池模块“LROGC02”。 “LROGC02”的外形尺寸为67．5mm×41．0mm×0．8mm。为实现0．8mm厚度．夏普公司采用半导体封装技术．并可根据设备厂商的需求．改变单元表面的电极模式。该模块的转换效率为13％．最大输出功率为300mW。     

银北灌区铁三渠区域"土壤水库"初探

为给土壤水库潜力的开发利用提供依据,通过试验研究,对银北灌区铁三渠区域的土壤水动态变化规律和土壤水库进行了初步研究．土壤剖面含水量的变化规律总的来说,自上而下土壤含水量由小到大,逐渐趋于饱和．土壤水库总库容在土壤剖面各层的分配：20cm土层总库容为74．2～92．2mm,随土壤深度的增加而减小;有效水库容为56．8—76．1mm,无效库容为10．3～13．9mm,通透库容为0．1～8．6mm,都随土壤深度呈波动变化．     

连续输冰条件下片冰融解过程的实验研究

对连续输冰条件下片冰在融冰池中的融解过程进行了实验研究．结果表明,融冰池内冰层高度和片冰的几何大小对出水温度值的影响最大．当冰层高度在400-1000mm时,冰层高度每升高100mm,出水温度下降1．3℃左右;当冰层高度h=800mm时,片冰厚度为2mm,平均直径为15mm时,融冰池的出水温度最低为0．8℃,进水流量每增加100L／h,出水温度约上升0．7℃．     

300GB垂直记录方式2.5英寸硬盘将上市

富士通将上市全球最大容量300GB的2．5英寸硬盘，主要瞄准笔记本电脑和数字电视等市场。此硬盘接口为串行ATA（SATA）接口，转速为4200rpm，最大数据传输速度为150MB／s，读取，写入时耗电量为1．6W，待机时为0．5W。其外形尺寸为长700mm、宽70mm、厚12．5mm。     

全球首款4TB外置硬盘

美国西部数据公司推出全球首款容量高达4TB的外置硬盘，型号为“WDH2Q40000N”。该硬盘尺寸为166mm×154mm×98mm．重约2．63kg，内部由两块2TB硬盘以RAID0的阵列方式组合而成．并预先针对Mac OSX 10．4／10．5系统进行格式化．兼容苹果平台备份工具Time Machine．在Windows系统下使用需重新格式化。     

模块化高校公寓多功能家具人机尺度研究

目的为科学合理地对家具设计提供适宜的尺寸,从人机角度对其在多功能性设计中展开探讨,提出符合当代大学生适用的多功能家具方案．方法以家具产品的物理属性分析和模块化思维为基础,结合人机工程学理论,对现有学生公寓家居设计进行数据分析和评价并得出理想的人机尺寸及具有设计美感的新型设计方案．结果多功能性学生公寓家具书桌最佳高度为680—760mm、书桌宽度为800mm;男女通用座高为400～420mm、座椅倾斜度为3°-4°、座深为380mm、座椅扶手宽度为65—70mm;床面长度增加至2020mm、床面宽度为900-1000mm;储物柜长宽为500mm×600mm．结论笔者结合实际模拟设计出了一套符合学生生活、学习、会客、娱乐等多种功能需求的方案,为学生公寓设计提供新的数据依据．     

NAS系统专用硬盘-WD Red

美国西部数据公司推出专为NAS系统设计的WDRed系列硬盘产品。 WDRed系列硬盘产品为3．5寸标准硬盘,尺寸为147mm×101．6mm×26．1mm,重约450g～635g,最多可支持5块硬盘并行。按容量,其可分为1TB、     

Diodes推出双极型晶体三极管产品

美国Diodes股份有限公司推出首款采用该公司PowerDI5表面贴装封装技术的系列双极型晶体三极管产品。 采用PowerDI5表面贴装封装技术可有效减小所需空间．与采用SOT223封装技术和DPAK封装技术相比．所需空间分别可减小47％和60％．仅为26mm×26mm×1.1mm;最小铜板电功率额定值为0．74W．可在小面积上体现极佳的热性能．大幅度提高了功率密度。     

Keysonic KSK-3200RF无线轨迹球键盘

德国Maxpoint公司推出一款集键盘和鼠标功能于一体的无线轨迹球键盘——Kevsonic KSK-3200RF。这款键盘的外观尺寸为293．5mm×28mm×101mm，重245g。采用2．4GHz无线传输技术．有效工作距离达10m。该键盘上设计有2个带按键的轨迹球．     

一种用于移动终端的新型内置五频芯片天线

研制了一种用于GSM850／GSM900／DCS1800／PCS1900／UMTS频段的五频内置芯片天线．芯片天线将FR-4介质(介电常数为4.4)上的曲折线和螺旋线相结合,两者分别产生谐振频段进行叠加从而实现天线宽频工作特性．弯曲的折线结构实现了天线尺寸的小型化,天线的体积为20mm×8mm×3.2mm,适合用作移动手机终端的内置天线．电路板的尺寸为40mm×93mm,适用于新款小型手机．在驻波比小于3时,测试低频带宽为146MHz (1030~1176MHz),高频工作带宽为530MHz(1756~2286MHz)．     

52 GHz平衡式二倍频器设计

为获得高频信号源,采用0.13 μm 的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52 GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结构,且在输入端采用了一个单端转差分的巴伦,并利用二次谐波反射器减小反馈到输入的二次谐波对输出信号的影响,有效地提高了二次谐波输出功率。探针台测试结果表明,巴伦在2026.5 GHz范围内的插入损耗约为1 dB,且当二倍频器输入26 GHz信号,功率为0.5 dBm时,输出的52 GHz信号功率达到2.3 dBm,相应的基频抑制达到34 dBc,直流功耗约为21.8 mW,相应的功率附加效率为2.5%。这种二倍频器在达到高输出功率和高基波抑制的同时保持了较低的功耗。     

用ADS进行功率放大器仿真设计

主要介绍了工作频率为2.4GHz的A类功放的设计方法和仿真过程,采用负载迁移法使用ADS仿真软件,获得射频功率放大器电路的输入输出最佳匹配阻抗,并对设计电路进行了稳定性分析、线性度分析、电源效率分析及对整个电路进行了优化。仿真设计出一个工作频率2.4GHz、增益9.5dB,1dB压缩点功率34dBm、2次谐波小于-50.8dBc的射频功率放大器。     

185GHz固态二倍频器研究

在毫米波及亚毫米波范围,通常采用半导体器件倍频方法获得固态源。该文首先建立了电路拓扑结构,采用CAD技术进行偶次倍频器的电路模型设计和仿真分析,主要工作包括利用非线性分析方法对二极管的阻抗—频率特性进行分析;最佳偏置点的仿真;输出阻抗匹配及输入阻抗匹配仿真;最后,通过ADS和HFSS等软件的联合仿真,设计出185GHz平衡式无源二倍频器。对该倍频器进行了加工测试,结果表明,在180GHz～190GHz,倍频损耗最小为16.8dB,最大为22dB。     

X 波段单级氮化镓固态放大器

利用自主研制的SiC 衬底的栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块．模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成．采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能．利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡．利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配．在 8GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为 V_ds= 27V, V_gs= -4.0V),放大器线性增益为 5.6dB,最大效率为30.5％,输出功率最大可达 40.25dBm (10.5W),此时增益压缩为 2dB．在带宽为 500MHz内,输出功率变化为 1dB．     

基于GaAs电感模型的微波功率放大器

基于0.15μm砷化镓(GaAs)工艺建立一种电感模型,并用高频结构模拟器(High Frequency Structure Simulator,HFSS)仿真验证,并在此基础上设计一种微波功率放大器,并用高级系统设计软件(Advanced Design System,ADS)进行仿真。仿真结果显示在8¹2GHz频率范围内,饱和输出功率大于21.9dBm,1dB压缩点输出功率大于20dBm,功率增益大于26dB,功率附加效率大于34%,稳定系数大于1。     

一种低功耗CMOS并行双频低噪声放大器

基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种低功耗单端输入转差分输出的并行双频低噪声放大器。采用带有源级电感负反馈的共源共栅结构,在功耗限制下在双频段对输入阻抗和噪声性能同时进行优化,实现并行接收,并具有单端输入转差分输出的功能。该低噪声放大器核心电路尺寸为450μm×350μm。仿真表明,低噪声放大器(LNA)在1.227GHz和1.575GHz工作频率处的输入回波损耗分别为-11.61dB和-12dB,功率增益分别为14.67dB和12.68dB,噪声系数分别为2.3dB和2.53dB,输入l dB压缩点分别为-18.5dBm和-14.5dBm。在1.8V电源电压下,功耗仅为8.4mW,可用于航空航天领域的电子系统中。     

Q波段宽带四倍频放大组件研究

Q波段(33~50 GHz)比Ka波段(26.5~40 GHz)频率更高,对这一波段国内研究较少。该文设计了一种Q波段宽带四倍频放大组件,该组件包含两级二倍频器、两级之间的带通滤波器和一级毫米波功率放大器,最后通过微带到波导过渡输出。设计宽带带通滤波器的目的是为了抑制基波和三次谐波。测试结果表明,在33~50 GHz的输出频率范围内,输出功率大于10.5 dB,谐波抑制大于31.6 dBc。该倍频放大组件具有输出频带宽、体积小、输出功率高以及谐波抑制度高的特点。     

基于负反馈和有源偏置的宽带低噪放设计

提出一种基于改进型负反馈电路的宽带低噪声放大器.放大器芯片采用0.25 μm GaAs pHEMT工艺设计和SiP技术封装.通过调节封装内芯片外围负反馈电路实现增益平坦度优化,将低噪放工作频带拓展至0.5~2.5 GHz,可有效覆盖GSM、TD-SCDMA、WCDMA、GPS等多个应用频段.片内的稳压及温度补偿有源偏置电路可对供电电压波动及环境温度变化进行有效补偿,以适应复杂工作环境.经测试,低噪声放大器的供电电压为3.3 V,功耗为40 mW,工作频率为0.5~2.5 GHz,带宽高达5个倍频程,带内增益约为14 dB,增益平坦度≤1 dB,噪声系数≤1.3 dB,输入输出回波损耗≤-10 dB,输入三阶交调点≥1 dBm,封装后尺寸为3 mm×3 mm×1 mm.     

0.18 μm CMOS高效高增益功率放大器设计

在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49％,功率增益达到32dB.     

3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3～6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.