南科发布节能灯及电子镇流器专用MOSFET系列

中国南科集团历经3年的研发，于日前开发出一系列节能灯专用POWER MOSFET产品。南科集团对该产品由芯片设计、芯片制造及芯片封装等核心技术完全具有自主知识产权。     

德豪润达引进韩国LED芯片技术

根据2010年1月签署的协议,5E公司将获得韩国剐Valley公司在LED芯片制造和研发方面全面的技术转让和支持;该活动启动了韩国Epivalley和5E公司的技术转移、互劝和技术同步的合同责任的履行。而韩国Epivalley公司之前已收到3E公司的部分技术专利费和开发费用。     

LONWORKS与RS-232的互连适配器的设计开发

Lonworks技术中的核心是神经元芯片，本详述了神经元芯片的一种I/O应用模式-并行口I/O模式，并介绍了基于此I/O模式设计开发的Lonworks协议与RS-32标准转换的互连适配器。     

SynQor推出3．3V／30A118砖DC／DC转换器功率比同类产品高20%

近期，赛米控推出了融合了最新的SPT＋芯片技术的SEMiX系列IGBT和整流器模块。这种软穿通（SPT）芯片设计是基于平板一门极／穿通的IGBT技术，这种芯片技术的优点在于：更低的开关损耗，更大的芯片面积，正的温度系数和低廉的晶片生产成本以及最适合焊接应用的高开关频率。     

基于MPC8260嵌入式通信开发平台设计

文中介绍基于POWERPC内核的嵌入式芯片MPC82600，以及MPC8260嵌入式开发平台的设计。     

高压大电流(4500V/600A)IGBT芯片研制

提高绝缘栅双极晶体管(IGBT)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要.该文基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求,通过高压IGBT芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造,通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能,探索出一条大尺寸IGBT芯片设计、制造与验证的技术路径.研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压IGBT芯片,攻克了高压IGBT芯片内部大规模元胞集成及其均流控制的技术难题,首次实现了4500V/600A单芯片功率容量,具备优良的动静态特性和更宽的安全工作区,并可以显著提高IGBT封装功率密度与可靠性.     

基于EtherCAT的液晶驱动测试数字化管理技术

液晶屏显示驱动芯片测试环节贯穿在显示驱动芯片的设计、制造与应用的全过程中,是保证芯片品质的重要手段。由于测试系统需要匹配的驱动芯片型号较多,单个型号芯片的测试项以及测试信号数量巨大,若使用人工记录的方式,则测试效率低下,管理成本高昂。有必要针对整个测试系统开发数字化管理技术,利用该技术可以将系统中所有的设备、人员、数据进行数字化管理。为实现数据交换的实时性和高效性,系统采用了工业以太网 EtherCAT技术,实现服务器与设备客户端的紧密工作。经验证表明,通过使用这些技术,能够提高记录测试历史数据的方便性、快捷性、提高系统可扩展性,使得系统只需添加设备客户端或给客户端添加硬件模块并升级系统软件,便可方便的完成系统升级。     

智能交流接触器专用芯片的开发

开发了一种智能交流接触器的专用芯片。根据吸力与反力特性配合要求,提出闭合过程的智能操作方法,设计了芯片整体结构,并设计了IP核,包括采样校准、算法模块和PWM发生器模块。最后进行了芯片验证和智能交流接触器测试。该专用芯片的设计有助于降低成本、节材节能,市场前景广阔。     

中国南车拟大力开发半导体IGBT项目 投资逾20亿元

正近日,中国南车公司表示,公司下属的株洲所举办的"高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发"项目鉴定会上,研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500V高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友透露,中国南车株洲所在IGBT项目上总投资超过20亿元,目前该公司有近百位来自全球的顶尖专家从事IGBT器件芯片及模块技术的研发,在IBGT芯片设计、封装测试、可靠性     

环境意识设计与绿色电器

简要描述了环境意识设计的内涵,将环境因素引入产品设计的总原则以及将环境因素引入产品设计和开发过程的模式,提出利用现代技术设计、制造“绿色电器”是未来的趋势。     

大功率LED恒流驱动电路的设计分析与实例

大功率LED照明技术有着广阔的发展前景。因而受到普遍的关注和投资者的追捧。现阶段,由于LED芯片设计和制造技术及材料等诸多因素的限制,它暂时还不能完全取代传统的照明灯具,因而人们更为关注大功率LED在特种照明中的应用。     

华灿光电成功研制新型蓝绿光LED芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外延片，实现了GaN外延片的批量生产。一般在蓝宝石上制造的蓝绿光LED芯片，由于其单向导电，所以抗静电性能差。公司在提高器件ESD水平上投入了大量的人物力研发，     

基于高速总线的密码SoC设计与实现

物联网、汽车制造、智慧医疗等行业的飞速发展，加快了端设备芯片的推广和应用，随之而来的芯片安全问题也暴露出来，传统的单片机或ARM-A系列的CPU芯片已经不能满足越来越复杂的应用需求。为解决目前端设备存在芯片安全防护不足、传输速度慢、功耗高、计算资源不足等问题，结合SoC设计理念，提出了一种基于高速总线的密码SoC设计方案，实现对端设备的传感器、芯片、硬件的动态状态获取，接收多种高速协议接口数据，加密存储及备份至云端等功能。该方案基于SoC设计，采用开源处理器，完成了一套由处理器、高速总线、硬件外设、加密单元相结合的低功耗加密监控芯片。综合及功耗分析和实验结果表明，实现了数据的高速可靠传输与加密，满足大容量数据快速加解密的需求；采用低功耗设计，性能无影响，功耗降低约20%。     

我国通信集成电路市场发展趋势

目前,国内集成电路行业规模正在迅速扩大,产业链格局也日渐完善,中国集成电路产业已经形成了IC设计,芯片制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。随着技术水平取得突破性发展,国内芯片大生产技术的主体正在由5英寸、6英寸、0.5微米以上工艺水平向8英寸、0.25微米-0.18微米过渡,甚至有企业已经达到12英寸、0.11微米的国际先进水平。     

新型1200V SPT＋芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合

在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT ,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT 模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT 的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。     

浅谈Pro／ENGINEER在产品开发中的应用

分析了产品特点和应用现代设计技术的要求，应用Pro／ENGINEER开展虚拟设计和快速原型制造的优势。提出现代设计技术的综合应用，加强了产品创新能力，通过开发一流的产品，提高企业在市场经济中的竞争能力。     

最新技术

19纳米工艺制造技术SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell（X2）技术的64Igigabit（Gb）单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设各的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。19纳米存储芯片采用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。SanDisk的All-Bit-Line（ABL）架构拥有专用的程序设计算法和多层式数据储存管理方案,从而在制造多层单元（MLC）NAND闪存芯片时不会影响其性能或可靠性。     

基于BPL的工业监控系统级芯片MCBPL1500A的研制

在Actel可编程系统芯片和融合技术SoC开发平台上,设计并开发了基于宽带电力线通信(BPL)的EtherNet/IP工业监控系统级芯片-MCBPL1500A, 该芯片融合了宽带电力线通信技术和EtherNet/IP技术,实现了一种便利低廉、稳定可靠的新型工业控制网络,并通过一个典型案例进行了相应的验证应用开发。文章概要地介绍了芯片的整体架构、主要技术指标、关键技术以及测试应用情况。     

国内电力载波通信芯片技术及市场

电力线载波通信（PLC）芯片将随智能电网和物联网的全面建设引来爆发增长。电力线载波通信的关键就是设计出一个功能强大的电力线载波专用modem芯片,可以从调制方式、传输速率、通信频率、通信功率、EMI标准、芯片技术等方面开展研究。最后指出了我国电力线载波芯片的发展方向。     

基于国产芯片实现多功能测控的平台改进及关键技术

多功能测控装置是电力自动化系统的关键设备,其核心芯片均依赖进口,威胁电网运行安全。针对目前适合电力系统自动控制的国产芯片选型少且部分外设芯片没有合适选型的现状,结合多业务融合的需求,提出基于国产ARM主控芯片加国产FPGA的多功能测控装置的平台改进及关键技术。首先,基于FPGA编程替代部分无合适选型的芯片配合智能I/O技术设计硬件平台。然后,基于数据共享和FPGA协作设计软件平台。再针对国产芯片制造水平的现状,提出测量精度补偿、可靠性加固及功能拓展等改进技术。最后,集成以上平台设计及改进技术研制了基于国产芯片的多功能测控装置,并通过第三方专业检测验证其性能指标满足行业相关标准要求,同时在国内变电站正式投入运行,运行情况良好。