石油化工紧急停车系统与选用

主要介绍了石油化工中继电器、硬连线固态逻辑、可编程序控制器（PC）和容错控制等紧急停车系统（ESD）的组成与优缺点，以及三重化冗余结构的容错控制和故障安全控制系统，指出选配时应根据生产装置安全度等级确定ESD类型，并根据I/O点数量及操作选择ESD硬件和软件，提供了逻辑控制单元配置参考值。最后列举了选用实例。     

安森美半导体推出针对下一代接口的低电容、低钳位电压ESD保护器件

推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出5款新的静电放电（ESD）抑制器，用于当今最先进的接口。正待批专利的设计技术及工艺技术使这些器件能够提供业界最低的电容及ESD钳位电压，     

IEC61000-4-2标准试验平台的局限性分析及其完善的探讨

为解决国际标准IEC 61000-4-2规定的静电放电(ESD)抗扰度试验平台存在的局限性,通过分析ESD模拟器开关动作、ESD电流及其导数、ESD辐射场、试验结果的判定准则和试验方法的不完善规范对ESD抗扰度试验的影响,探讨了IEC标准试验平台问题存在的原因.研究发现,ESD模拟器开关动作对试验结果会产生很大影响,其...     

ESD发生器开关动作对抗扰度试验的影响

分析了人体-金属静电放电(ESD)发生器开关动作的基本过程;说明了在ESD抗扰度试验中ESD发生器开关动作的影响。通过空气放电模拟测试装置测量并记录了ESS-200 AX、SANKI NS61000-2A和NSG-435 3种ESD发生器开关动作的影响。由小环耦合电压的测量研究了ESD发生器开关动作产生的辐射场。结果表明,使用不同的ESD发生器开关动作的影响程度不一样,且使用相同的ESD发生器开关闭合和开关释放的影响存在差异。对小环耦合电压的频谱分析表明,开关动作会产生频谱范围较宽的电磁骚扰,影响对高速逻辑器件的ESD抗扰度试验。在进行ESD抗扰度试验时,需考虑ESD辐射场,尤其需要降低或控制ESD发生器开关动作产生的辐射场。     

安森美半导体ESD解决方案 满足今天与未来电路的保护需求

今天，无处不在的静电和人们日常生活离不开的各种电子设备成为了一对难以解决的矛盾，尤其是当手持电子设备的轻薄小巧且产品特性及功能不断增加时，它们的输入／输出端口也随之增多，导致静电放电（ESD）进入系统并干扰或损坏集成电路（IC），因此如何进行有效的ESD保护已成为电子设备制造商面对的重要课题。     

空气式静电放电抗扰度试验方法

静电放电(electrostatic discharge,ESD)抗扰度试验作为电磁兼容(EMC)试验的一项重要内容,其执行标准IEC 61000-4-2还存在诸多问题,尤其是空气式ESD的重复性问题。为此,基于动能-势能转换原理,采用导轨带动电极运动结构和步进电机装置,用近似单摆结构的试验方法,设计和研制了2种新的ESD抗扰度试验平台,实现了空气式ESD抗扰度试验中对放电电极接近速度的准确控制。利用这2种ESD抗扰度试验平台对空气式ESD的重复性进行了研究。试验结果表明,ESD参数如放电电流峰值、接近速度和放电电压具有很好的规律性,并且在一定的放电电压和接近速度下,空气式ESD也可以具有较好的重复性。在相同放电电压和接近速度下,利用第2种ESD抗扰度试验平台得到的放电电流峰值和上升时间的变异系数均小于利用第1种ESD抗扰度试验平台得到的放电电流峰值和上升时间的变异系数,因此第2种单摆式ESD抗扰度试验平台的重复性要好于第1种ESD抗扰度试验平台的重复性。     

微波半导体晶体管静电放电损伤机理

为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁。     

静电放电电磁脉冲辐射场数值建模与仿真

针对静电放电(ESD)电磁脉冲测试及其防护这一静电研究领域的难点问题,利用时域有限差分法并采用电偶极子辐射模式建立了ESD电磁脉冲辐射场的数值模型。在分析了拟合IEC 61000—4—2标准规定的ESD电流波形的5种数值模型后,根据t=0时刻电流值和电流导数为0的ESD电流要求,选择脉冲3项式作为ESD电流表达式进行仿真计算。采用4 kV放电电压作为脉冲源,通过仿真计算得出相对辐射源3个位置处的电磁场分量Ex和Hx。计算结果表明,ESD电磁脉冲辐射场在自由空间的时域特点是脉冲具有极快上升沿、幅度变化剧烈且衰减较快。仿真结果为ESD电磁脉冲测试及其防护提供理论支撑。     

ESD辐射场数值建模与FDTD分析

采用 FDTD法研究了 ESD电流注入到细导线中所产生的辐射场 ,建立了数值模型 ,并计算和分析了产生的辐射场特征及导线半径和导线长度对辐射场的影响 ,结果表明 :在同等条件下 ,ESD电流通过细导线产生的辐射场比ESD火花产生的辐射场强的多 ,FDTD法与 Mo MTD法计算结果一致并与实验结果吻合     

变配电网络监控神-ABB ESD2000

介绍了ABB ESD2000的结构、功能、特点及在实际应用中的卓越性能。     

ESD的物理失效分析及放电路径的研究

本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别.本文先通过实例分析揭示了2种失效机理的差别,其中从理论角度突出对ESD失效机理和失效位置的研究;然后,借助仪器分析的结果对ESD失效案例的ESD放电路径做了合理推断,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善ESD保护电路性能和提高ESD防护等级有着重要参考作用.     

ESD相关电场测量研究

对静电放电(ESD)过程的相关电场进行了理论计算和定性分析，然后利用两个不同测量方案对ESD电场进行了测量，对过渡区的测量波形和理论计算波形定性比较分析发现，二基本吻合。     

ESD2000在化工厂变电所中的应用

ESD2000是ABB公司基于目前计算机技术的发展和工业控制的最新技术而推出的变电站智能化监控系统。它是基于Windows2000平台。以大型商用数据库SQLSERVER为基础,并采用客户/服务器模式及分布式处理等技术实现的。ESD2000系统具有很好的开放性、可扩展性、实时性、可靠性和安全性。     

一种新型ESD电压发生器的设计与调试

针对静电放电(Electro-static Discharge.简称ESD)对芯片造成损伤的现象,研究了静电放电发生的过程及产生的原因.首先阐述了几种常见的模拟静电放电过程的模型,然后利用彩色电视机的一体式行回扫变压器作为直流高压源、串联SCR作为高压开关,设计并制作出符合IEEE Std C62,38-1994标准的ESD人体模型实验发生仪器,并对ESD人体放电模型中的body/finger模型进行了实验模拟.最后给出放电电压为4kV时测量的ESD电流脉冲波形,并与理想放电波形进行对比,其结果验证了该方案的可行性和易操作性.     

平遥增压站ESD系统的研究与改进

针对平遥增压站紧急停车系统(ESD)在复位失效导致无法触发ESD命令的问题,借助数据选择器(MUX),设计了一种基于MUX的ESD系统改进方案。通过MUX,并以10 s延迟为基准,根据复位是否失效,选择ESD的触发电路(RS/SR触发电路),很好地解决了平遥增压站ESD系统在实际应用中的问题。     

修改ESD规范提议引各方利益集团争执

众芯片厂商拟修改ESD规范日前,于美国加州召开的举行的国际ESD工作会议上,ESD目标等级行业委员会发布了一份白皮书,提议把ESD应力等级降低一半以上,以缩短新鼎开发周期与降低生产成本。     

乙苯装置ESD系统的设计与实现

ESD系统是大型流程工业生产装置的自动保护系统。它可以防止由于生产工艺故障或其他一些事故对工艺设备、生产系统、操作人员的损害,保证生产能够安全地运行,本文结合兰州石化公司合成橡胶厂对乙苯装置联锁系统ESD的研究与设计,介绍了ESD系统的结构和实现。     

恩智浦半导体推出ESD保护芯片

近日，恩智浦半导体推出最新系列静电放电（ESD）保护芯片，该系列芯片支持下一代UXGA个人电脑和1080p电视分辨率，可广泛应用于笔记本电脑、主板、电视机、VGA卡、机顶盒以及其它支持VGA接口的应用。制造商采用IP4770／71／72CZ16系列集成式ESD保护芯片，可以将板卡体积缩减90％，由于所需元件数量减少。从而大大节约了成本。[第一段]     

空气间隙固定和连续变化时的空气静电放电事件研究

为得到2种状态下空气静电放电（ESD）辐射电磁场与放电间隙间距、放电电压和电极接近速度之间的关系,在-30～30kV的宽电压范围和多种温湿度条件下,通过实验测量记录了两种状态的空气ESD事件;给出了空气ESD事件的解释;提出了空气ESD存在“增长间隙区”、“跌落间隙区”、“平坦间隙区”和“零放电间隙区”4个放电间隙区。...     

ESD电流的解析表达式与数值解

分析IEC6100042静电放电(ESD)电流波形典型拟合解析表达式表明,这种由有限点拟合曲线的纯数学方式存在拟合的多样性,无可依据的物理基础。因而根据ESD物理特性提出了一种通过数值计算等效电路模型获得ESD电流数值解的方法,由该方法算出的电流峰值、上升时间、i30ns、i60ns等关键参数与IEC610042电流波形参数的相对误差的最大值均<1.6‰,为ESD辐射电磁场研究提供了有效的手段。