一种无刷直流电动机驱动及保护电路设计

以IR2130芯片作为电机驱动器,实现了一套完整的无刷直流电动机驱动及保护方案.由于IR2130是功率MOS器件栅极驱动型集成电路,因此在简化驱动电路设计的同时提高了系统的可靠性;此外还具有欠压、过流等保护功能,且成本低,实用价值高.     

IR2130的负过冲分析及其限制技术

介绍了IR2130产生负过冲的原因，说明了负过冲对IR2130的影响。运用MATLAB仿真来分析电路杂散电感与负过冲的关系。提出几种限制IR2130负过冲的方法，并通过使用IR2130驱动三相桥式逆变器，证实限制负过冲方法的有效性。     

IR2130驱动器及其在逆变器中的应用

介绍了IR2130集成芯片的特点和工作原理,设计了采用该芯片驱动的三相逆变器,并进行了实验研究,结果表明用IR2130驱动的逆变器具有结构简单、工作稳定、保护可靠等优点。     

IR推出三相逆变器驱动器集成电路

国际整流器公司(简称IR)最近推出IR2136三相逆变器驱动器集成电路系列，可简化变速电机驱动器设计。新器件集成了6个MOSFET或IGBT高电压栅驱动器，并融合多元化的保护功能，系统成本比光耦解决方案降低30％。     

IR211X系列驱动器的应用试析

IR211X系列是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有两个独立的高、低输出通道。它采用高度集成的电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,同时提高了驱动电路的可靠性。文中介绍了该系列芯片的主要功能及技术参数,并就应用中注意事项进行了分析并给出了相应解决措施。     

IR三相600VIC增强电机应用稳固性和可靠性

生产商：IR全球功率半管理方案领导厂商国际整流器公司（IR）近日推出坚固型600V三相栅极驱动器IC,主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。     

用IR2155制作的高效电子镇流器

美国国际整流器(IR)公司推出的IR 2155驱动器,不仅可用于高频开关电源、电子变压器和交直流电动机驱动器,而且还可用于荧光灯电子镇流器。由IR 2155驱动的高功率因数预热起动型荧光灯交流电子镇流器电路如图1所示。     

IR150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatiOnal Rectifier,简称IR）推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源（SMPS）、不断电系统（UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷（Qg）。     

IR2112、MC44603P电源控制厚膜电路应用资料

1.IR2112 (1)特性简述:IR2112为半桥式变换驱动厚膜集成电路。内含:高、低电位驱动器、脉冲滤波器、检波器、延时器等。其主要功能是使开关电源成为半桥式变换型开关电源,使开关电源输出功率可达240W以上。     

IR的小型高性能高压IC简化HID镇流器设计并延长电灯寿命

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(简称IR)推出IRS2453D系列600V自激式全桥驱动器集成电路IC。该系列适用于一般照明、室外照明及投影机等HID镇流器应用。     

IGBT驱动拓扑及IR2130在变频器中的应用

分析了ＩＧＢＴ驱动器的基本电路拓扑形式,针对目前ＩＧＢＴ变频器的驱动电路需要提供多路驱动电源的缺点,提出在ＩＧＢＴ变频器中采用只需一路驱动电源的ＩＲ２１３０六输出高压驱动器驱动ＩＧＢＴ,简化了ＩＧＢＴ变频器的硬件,并给出了ＩＲ２１３０在变频器中的应用。     

一种新型的高频逆变器

本文介绍了一种新型的高频道变器系统，它的主电路应用大功率ＩＧＢＴ，ＩＧＢＴ的驱动由专用集成电路ＩＲ２１３０来完成，逆变桥的控制脉冲用ＳＩＥ４５２０与８０３１单片机相结合来产生，主电路的保护功能较完善，文中不但详细介绍了该变频器系统的组成，而且给出了其实验效果。     

IR2110在驱动大中功率IGBT模块中的应用

介绍了IR2110驱动芯片的特点,对驱动电路作了部分改进,通过选取合理的参数。加上脉宽限制和电平箱位电路,使其应用于驱动大中功率IGBT模块。实验证明了该电路的可行性。     

Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究

综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。     

受控的大电流—紧凑型汽车动力系统

本文介绍了带有低压MOSFET或高压IGBT功率器件的SKAI汽车动力系统的性能和应用。     

时间分割式IGBT高频感应加热电源的研究

研究了一种采用时间分割控制方法的IGBT高频感应加热电源。该方法充分利用了IGBT器件的高压大容量器件特性,使采用IGBT替代功率MOSFET制作高频大容量感应加热电源成为可能。采用这种控制方式的高频大功率电源电路结构简单、控制方便,电源的输出频率可以得到极大的拓展,具有很好的应用前景。     

IR2110在无刷直流电机驱动电路中的应用

本文介绍了IR公司的桥式驱动集成电路芯片IR2110的内部结构及功能特点,设计了基于IR2110和功率MOSFET的无刷直流电动机驱动电路,通过对驱动电路自举电容和自举二极管等器件的合理选择,实现了无刷直流电机的电子换向和高效驱动,系统具有结构简单,稳定可靠等优点。     

Characteristics and utilization of a new class of low on-resistanceMOS-gated power device

A new class of MOS-gated power semiconductor devices Cool MOS (Cool MOS is a trademark of Infineon Technologies, Germany) has been introduced with a supreme conducting characteristic that overcomes the high on-state resistance limitations of high-voltage power MOSFETs. From the application point of view, a very frequently asked question immediately arises: does this device behave like a MOSFET or an insulated gate bipolar transistor (IGBT)? The goal of this paper is to compare and contrast the major similarities and differences between this device and the traditional MOSFET and IGBT. In this paper, the new device is fully characterized for its: (1) conduction characteristics; (2) switching voltage, current, and energy characteristics; (3) gate drive resistance effects; (4) output capacitance; and (5) reverse-bias safe operating areas. Experimental results indicate that the conduction characteristics of the new device are similar to the MOSFET but with much smaller on-resistance for the same chip and package size. The switching characteristics of the Cool MOS are also similar to the MOSFET in that they have fast switching speeds and do not have a current tail at turn-off. However, the effect of the gate drive resistance on the turn-off voltage rate of rise (dv/dt) is more like an IGBT. In other words, a very large gate drive resistance is required to have a significant change on dv/dt, resulting in a large turn-off delay. Overall, the device was found to behave more like a power MOSFET than like an IGBT