逆变电源IGBT过热失效问题分析与解决

描述了逆变电源的技术状态,介绍了逆变电源IGBT过热失效问题的具体情况,分析了导致IGBT 过热失效的主要原因,阐述了解决IGBT过热失效问题的技术方案,并将IGBT失效问题解决方案的计算与试验验证情况进行了说明,最终形成了IGBT过热失效问题的处理结论。     

MMC子模块中IGBT的过热失效机理研究

分析了基于试验与理论的IGBT过热失效过程。首先从理论上分析IGBT过热失效机理,提出解析模型及物理模型从理论验证失效过程;基于理论基础,给出IGBT过热老化试验结果,展示IGBT热积累过程是如何导致最终失效的结果;试验结果表明:MMC子模块IGBT结温突变是导致实际工程中过热失效最主要的原因。     

IGBT失效机理与特征分析

简要介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构特点与寄生效应,分析了IGBT的过应力失效机理,并从失效现象与失效条件入手,描述了IGBT因过压、过流、过热及过机械应力等失效的典型特征,指出了失效机理与特征之间的对应关系,以便于使用者在实际应用中尽快找到IGBT的失效原因并合理地使用IGBT器件。     

采用IGBT的正弦波中频逆变电源

介绍了用IGBT作功率器件的中频逆变电源，对电路的工作原理进行了详尽的分析。     

IGBT大功率超声逆变电源的研制

主要介绍一种大功率超声波逆变电源装置的主电路、控制电路、驱动与保护电路的设计、,并给出实验结果。     

IGBT极限功耗与热失效机理分析

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最大功耗是安全工作区的重要组成部分,与外部散热装置、内部热阻以及使用工况等有关,而器件手册给出的最大功耗是理想值,难以反映实际工况,若设计不当会造成IGBT热击穿失效。基于对IGBT功耗以及结-壳稳态热阻的温度特性分析,通过联立IGBT功耗的温度曲线和结-壳传热功耗的温度曲线进行热平衡分析,得到了结温的热稳定点、非稳定点以及临界点,由此得到了在临界点处的IGBT极限功耗,对在非稳定点时IGBT结温和功耗间的正反馈关系分析了IGBT热失效机理,最后进行了实验验证。     

30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

系统介绍３０ｋＶＡ逆变电源中ＩＧＢＴ的驱动与保护技术。提出ＩＧＢＴ对驱动电路的要求,介绍三菱的ＩＧＢＴ驱动电路Ｍ５７９６２Ｌ和逆变电源中ＩＧＢＴ的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。     

大功率弧焊逆变电源的IGBT保护技术

本文通过分析IGBT的结构及安全工作区,解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因,并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护,从而确保了IGBT安全可靠地工作。     

IGBT逆变电源的抗负荷冲击研究

介绍了ＩＧＢＴ逆变电源的工作原理，分析了冲击性负荷对逆变电源造成的不利影响。提出一种简单，可靠的抗冲击控制电路。并用实验得到了证实。     

大功率弧焊逆变电源的IGBT保护技术

本文通过分析IGBT的结构及安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠地工作。     

IGBT封装中几种局部过热问题的预防

为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助。     

大功率IGBT过压与过热的分析计算及其对策

结合150kVA超导线圈和锂电池-电容组合式SVG-APF的研制工作,首先剖析了IGBT的内部结构,详细讨论了杂散电感引起的过电压以及对容性母线的设计,最后分析了IGBT通态损耗和开关损耗引起的过热问题,给出了计算实例和实验结果。     

中低压IGBT短路失效分析研究

针对中低压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件GPU50HF120D1W1进行了不同短路时间的测试,发现存在4种短路失效模式,通过定义临界短路能量,将4种失效模式分为两大类。高于临界能量的失效模式中,延迟失效的主要原因是漏电流与温度形成了正反馈,导致器件持续升温,超长时失效是延迟失效的一种极限情况;而低于临界能量的失效模式中,造成短时失效的主要原因是器件加工生产过程中的缺陷和不一致性引起局部漏电流过大,造成关断失效的主要原因是大电流快速关断和动态雪崩触发了IGBT的闩锁效应。     

大功率IGBT谐振式中频逆变电源的研制

采用大功率IGBT模块的10kHz 40kW谐振式逆变加热电源已研制成功。电源的输入部分采用三相不可控整流器。本电源可采用开关方式或调脉宽方式用计算机控制其输出功率。本文介绍电源的主电路结构及控制电路的原理。     

IGBT桥式逆变电源浪涌电压的抑制研究

IGBT桥式逆变电源经常处于高速开关状态,即会产生浪涌电压威胁其正常工作,因此对IGBT桥式逆变电源浪涌电压的抑制是逆变电路正常工作的基本保证。本文对桥式逆变电源的浪涌电压产生的原因进行了分析,介绍了浪涌电压的计算,并根据浪涌电压计算公式对抑制浪涌电压的方法进行了分析。在中频加热电路中采用了3种浪涌电压吸收电路,并用示波器进行了观测,验证了其效果。     

基于DSP的全数字IGBT弧焊逆变电源设计

设计了基于DSP的全数字IGBT弧焊逆变器,给出了IGD515EI的应用电路和软件流程图,分析了关机损坏现象,提出了解决方案。     

新型双单端正激式IGBT逆变电源的设计

介绍了一种新型双单端正激式ＩＧＢＴ逆变电源的设计方案。通过检测输入滤波电容电压，并配合ＰＩ调节闭环控制，使遢民压保持了平衡。设计了新型的续流电路和缓冲电路，实现了ＩＧＢＴ尖峰电压的无功耗吸收。实验证明，该设计可提高逆变电源的工作可靠性。     

通过调负解决电接触过热问题

<正> 1.问题的提出运行中的开关触头或导线(母线排)的接头,受空气氧化和电弧高温作用在其表面形成表面膜(如氧化膜或气体、液体的吸附膜)使接触电阻增加,当有大负载电流流过时,接触发热将超过《GB763—90》规定的允许温度及温升值.由于发热点所处的位置不同,在某些关键部位考虑到生产的重要性,是不允许轻易停电处理的.但如不及时处理或不采取有效措施,又将使接触氧化加快,接触电阻日益增加发生氧化的恶性循环,最后导致接触点过热甚至形成电弧放电或相间电弧短路事故,造成被迫性的人为拉闸或自动跳闸停电而影响生产,并损坏设备.因此说电接触发热是供用电中不可忽视的大问题,采取有效措施势在必行.     

基于电热模型的IGBT结温预测与失效分析

针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作过程中结温难以测量的问题,提出一种基于IGBT电热模型的结温预测方法,并对由结温过高引起的失效进行实验分析.根据IGBT结构特点建立通态压降模型,考虑到器件内部参数和半导体物理常数与温度的关系,建立IGBT导通功耗与结温关系的电热模型.通过联立IGBT结-壳传热方程和电热模型进行热平衡分析,从而得到稳态时的结温.实验结果表明,通过仿真得到的结温基本与实际测量得到的结温值相吻合,结温过大会导致电极根部焊料熔化和表面连接键丝断裂.所提方法通过监测壳温可实时预测IGBT结温,具有方便快捷的优点.     

解决电气触头过热问题的实用新型紧固件

针对电气触头过热问题,通过长期的探索和研制,依据电气触头不过热四大原则,设计和制造了电气触头不过热专利紧固件。