Gd55Fe30P15非晶条带的磁热效应

采用熔体快淬法制备了Gd55Fe30P15合金条带,利用X射线衍射仪(XRD)分析了合金的相结构,通过综合物性测量系统(PPMS)研究了合金的居里温度及磁热效应。研究结果表明,Gd55Fe30P15合金条带是完全的非晶态,其居里温度TC为240K,在居里温度附近发生的磁性转变为二级相变;在5T外场下,最大等温磁熵变为2.73 J/kg.K,低场下,在185～295K宽温区出现一个磁熵变平台;高场下185～270K宽温区出现一个磁熵变平台,从而能够满足磁Ericsson型磁制冷机的要求。     

Co掺杂对Ni50-xCoxMn39Sn11(x=5,6,7,8)熔淬薄带磁电阻的影响

采用熔体快淬工艺制备了Ni_(50-x)Co_xMn_(39)Sn_(11)(x=5, 6, 7, 8)成分的合金薄带,研究了合金的相转变温度和磁电阻效应。随着Co元素由5%增加到8%,马氏体相变温度由340 K降低到225 K,同时奥氏体居里温度由360 K升高到400K,奥氏体相稳定性增强。在30kOe外场下,合金磁电阻比随着Co含量的增加逐渐增大,对应温度区间变宽,其中Ni42Co8Mn39Sn11合金在275 K附近磁电阻比达到了25%。实验结果表面Ni_(50-x)Co_xMn_(39)Sn_(11)Sn_(11)系列合金在传感器方面有很好的应用前景。     

贮氢合金Ml(Ni Co Mn Al)s中Ce和Nd对MH-Ni电池性能的影响

研究了贮氢合金Ml(NiCoMnAl)5中Ce和Nd含量的变化对MH-Ni电池性能的影响.试验结果表明随着合金中Nd含量的增加和Ce含量的降低,MH电极放电容量逐渐提高,当Nd含量大于15%,MH电极放电容量下降趋势增大.另外试验还发现随着合金中Ce含量的增加和Nd含量的降低,提高了MH-Ni电池高倍率放电能力,但降低了电池荷电保持能力.贮氢合金中Ce和Nd含量的增加都可改善MH-Ni电池循环寿命.     

形状记忆合金Ni_2MnGa材料的磁热效应

利用电弧熔炼法制备了形状记忆合金Ni_2MnGa块体,X射线衍射表明样品的晶体结构为立方晶系的L2_1,利用振动样品磁强计测量了磁化强度M随温度的变化和不同温度下的等温磁化曲线,由dM/dT随温度变化的曲线得到居里温度约为395.5 K,外加磁场等于5.0,10和17 kOe时磁熵变化的最大值出现在388 K,分别为0.5,1.2,1.9 J/kg·K。     

Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_2前驱体制备过程中共沉淀工艺参数的优化

在Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_2的制备过程中,通过扫描电镜(SEM)对前驱体MCO_3(M=Mn,Ni,Co)颗粒大小及形貌进行了考察,对共沉淀体系的工艺参数优化结果如下:pH值为7.0~8.0,氨水浓度为0.27 mol/L,采用4 m L/min并流加料、磁力搅拌条件下,60℃下反应6 h。     

Effect of partial substitution of Mg for Co in Mn1.4Ni1.2Co0.4O4 NTC thermistors on electrical stability

Sintered Mn_1.4Ni_1.2Co_{0.4 − x} Mg_xO₄ samples were thermal constrained by heating at 850^∘C followed by air cooling. As-sintered and thermal constraint samples were composed of Mn- and Ni-rich phases with a cubic spinel structure. The substituted Mg suppressed the separation of Ni-rich phase in a Mn_1.4Ni_1.2Co_{0.4 − x} Mg_xO₄ solid solution and resulted in a more stable spinel structure. In particular, the substituted Mg led to a significant decrease in the resistance drift of the Mn_1.4Ni_1.2Co_{0.4 − x} Mg_xO₄ NTC thermistors after thermal constraint. This indicates that the Mg substituted Mn_1.4Ni_1.2Co_{0.4 − x} Mg_xO₄ NTC thermistors have good electrical stability in comparison with the Mg-free Mn_1.4Ni_1.2Co_0.4O₄ thermistors. We strongly recommended the substitution of Mg for Co in Mn-Ni-Co-O NTC thermistors for stabilizing their resistivity drift, i.e., ageing.     

锰基正极材料Li_(1.2)Ni_(0.13)Co_(0.13)Mn_(0.54)O_2的改性研究

采用高温固相合成法制备锰基正极材料Li_(1.2)Ni_(0.13-x/3)Co_(0.13-x/3)Mn_(0.54-x/3)Cr_xO_2(x=0,0.01,0.02,0.03),其中合成的锰基正极材料Li_(1.2)Ni_(0.13-x/3)Co_(0.13-x/3)Mn_(0.54-x/3)Cr_xO_2(x=0.02)的粒径分布均匀、结晶程度极高和结构稳定性很好,在不同倍率0.1C、0.2 C、0.5 C、1 C和2 C下的放电比容量分别达到332.11、308.36、271.06、191.56、113.92 m Ah/g,并在0.1 C下循环50次后的放电比容量维持率为97%,所以少量Cr3+的掺杂对正极材料Li_(1.2)Ni_(0.13)Co_(0.13)Mn_(0.54)O_2的充放电比容量、倍率特性和循环稳定性等电化学性能更好。     

Na0.44MnO2包覆Li1.2Ni0.13Co0.13Mn0.54O2材料的性能

采用溶胶-凝胶法在富锂Li_1.2Ni_0.13Co_0.13Mn_0.54O₂材料表面包覆Na_0.44MnO₂,制备Li_1.2Ni_0.13Co_0.13Mn_0.54O₂/Na_0.44MnO₂复合材料,以改善循环性能。XRD、X射线光电子能谱（XPS）、SEM和透射电子显微镜（TEM）分析结果表明：制备的复合材料为核壳结构,在高温固相反应形成Na_0.44MnO₂时,不影响Li_1.2Ni_0.13Co_0.13Mn_0.54O₂的固有结构。循环伏安（CV）、恒流充放电（GCD）测试结果表明：包覆Na_0.44MnO₂     

水热辅助法制备富锂材料Li_(1.2)Co_(0.13)Ni_(0.13)Mn_(0.54)O_2及性能表征

以LiAc和Li2CO3为锂源,使用水热辅助草酸盐共沉淀法制备出富锂锰基正极材料Li_(1.2)Co_(0.13)Ni_(0.13)Mn_(0.54)O_2。采用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、交流阻抗法(EIS)和恒流充放电测试对材料的结构,形貌和电化学性能进行表征。研究表明,以LiAc为锂源制备的材料在20 mA/g、2.0~4.8 V电位区间内比容量最高达265 mAh/g,首圈效率达到79.3%,而使用Li2CO3为锂源制备的材料拥有较好的循环性能,在0.5C和1.0C下经过50圈循环后比容量仍有192和183 mAh/g。     

富锂锰基Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_2正极材料的制备及电化学性能研究

采用新颖的一步共沉淀法合成富锂锰基Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_2正极材料。通过X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)和电化学测试对合成材料的晶体结构、形貌及电化学性能进行了测试和表征。结果表明,所制备Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_2正极材料具有较好的多面体形貌,材料颗粒粒径小于500 nm。在2.0~4.8 V充放电区间内,在18 m A/g进行充放电,所制备材料的首次放电比容量达到209.0 m Ah/g,循环50次后容量保持率为87.7%。     

重稀土锰基化合物Gd（Mn,Co）Si的结构与磁性

通过金属钴对锰的替代，考察了Ｇｄ（ＭｎＣｏ）Ｓｉ化合物的晶体结构，居里温度ＴＣ和磁化率随替代量变化的规律，初步探讨了重稀土Ｇｄ原子同过渡金属Ｃｏ，Ｍｎ原子之间以及过渡金属原子与过渡金属原子之间的磁相互作用。     

正极材料Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2的表面包覆改性研究

采用共沉淀结合固相反应方法合成了富锂的Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2正极材料,并分别以CeO2和AlF3对这种材料进行了表面包覆改性。采用X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、透射电子显微镜法(TEM)等方法表征材料的结构和形貌。所合成的球形Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2材料为层状晶体结构。AlF3可以均匀包覆在Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2材料表面,包覆层厚度约为2 nm。AlF3包覆后富锂材料的电化学性能提升效果优于CeO2。AlF3包覆量为1%时,该富锂三元氧化物正极材料的首次充放电效率、容量保持率及倍率性能得到了显著的提高。EIS分析表明,AlF3包覆可避免富锂三元氧化物正极材料与电解液的直接接触,降低了传荷阻抗,从而有效提高了材料的电化学性能。