高储能PVDF基纳米复合材料研究进展

随着电子技术的不断进步,目前商业化应用最为广泛的双向拉伸聚丙烯（BOPP）因其较小的储能密度已不能满足电子产品的要求。在众多可作为电介质薄膜的材料中,聚偏氟乙烯（PVDF）基纳米复合材料因其介电常数高、加工性能好等优点受到广泛关注。本文在介绍电介质复合材料理论模型的基础上系统综述了目前PVDF基纳米复合材料的主要制备策...     

纳米填料对聚合物介电性能的影响

聚合物基纳米复合材料作为电介质和电气绝缘材料在电力电子技术领域有着广泛的应用前景。在综合国内外近年来公开发表的相关文献基础上,对无机纳米粒子的填充对聚合物材料在击穿强度、体积电阻率、介电性能以及耐电晕等方面的研究进展进行了评述,并指出今后研究的方向。     

聚合物 /蒙脱土纳米复合材料的研究进展

介绍了蒙脱土的结构及有机化改性的方法．聚合物/蒙脱土纳米复合材料的制备原理和方法,然后对聚合物／蒙脱土纳米复合材料的国内外现状和发展作了综述。并对其进一步应用作了展望。     

聚合物/BaTiO_3复合材料介电性能的研究

本文制备了聚合物／BaTiO3复合材料。研究了聚合物的分子链结构、极性、结晶度和BaTiO3粒子体积浓度对复合材料介电性能的影响，同时BaTiO3粒子的表面性质和界面层状态的影响也十分显著。     

环氧树脂/无机纳米复合材料的研究进展

在26篇文献的基础上，综述了近年来环氧树脂／无机纳米复合材料的研究、制备方法、反应机理以及研究进展介绍了近期出现的插层复合法、共混法及溶胶-凝胶法等研究方法，并指出了其发展趋势。     

纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜电性能研究

为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能,将纳米硅/铝氧化物掺杂到聚酰亚胺(PI)基体中,通过固定掺杂总量,调整纳米硅/铝氧化物的相对质量百分含量,制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜。采用SEM(扫描电镜)表征了薄膜的表面形貌,对薄膜电气强度和耐电晕寿命进行了测试。结果表明:无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜与纯的聚酰亚胺薄膜相比其电性能大幅度提高。     

聚合物纳米复合材料耐电晕机理的研究进展

叙述了耐电晕聚合物纳米复合材料的研究进展,分析了绝缘材料的耐电晕机理,为开发新型耐电晕聚合物纳米复合材料奠定了基础.虽然国内学者对其合成、结构、性能及耐电晕机理等问题进行了研究,并取得了一定的进展,但尚未获得关键性突破.即生产耐电晕绝缘材料的关键技术有待提高.     

聚合物／BaTiO3复合材料介电性能的研究

本文制备了聚合物／ＢａＴｉＯ３复合材料，研究了聚合物的分子链结构，极生，结晶度和ＢａＴｉＯ３粒子体积浓度对复合材料介电性能的影响，同时ＢａＴｉＯ３粒子的表面性质和界面层状态的影响也十分显著。     

MgO/LDPE纳米复合材料制备及其空间电荷特性

为了降低低密度聚乙烯中的空间电荷积累,在自制纳米MgO粉体的基础上,采用熔融共混法,制备了氧化镁/低密度聚乙烯(MgO/LDPE)纳米复合材料,并通过扫描电镜(SEM)观察了MgO/LDPE纳米复合材料中的MgO粒径大小和分散情况,采用差热扫描量热法(DSC)确定了不同MgO质量分数纳米复合材料的结晶度,采用电声脉冲法(PEA)测量了不同MgO质量分数纳米复合材料的空间电荷分布,测量了不同MgO质量分数纳米复合材料的拉伸性能。试验结果表明,MgO/LDPE纳米复合材料体系中,MgO粒径约为50nm,且分散均匀;不同MgO质量分数纳米复合材料的弹性模量和抗张强度均高于纯LDPE的,且MgO质量分数为2%时达到最大值;不同MgO质量分数纳米复合材料的结晶度均高于纯LDPE的;纳米MgO能抑制空间电荷的注入和其在材料体内的迁移,质量分数为3%时,MgO/LDPE纳米复合材料中的空间电荷得到了良好的抑制。     

聚合物纳米复合电介质的界面性能研究进展

聚合物纳米电介质以其优异的性能而受到广泛关注,其中聚合物基体与纳米粒子间的界面作用机理成为研究热点。为此,综合国内外研究成果,论述了聚合物纳米电介质中界面区域的重要性,并从界面化学结构、物理结构模型、机械（力学）性能、热力学性能等方面强调了界面区域在电气绝缘性能中的作用机理。界面是纳米填充物与聚合基体之间的纳米级过渡区域,由于其独特的形成机理,其具有与聚合物基体和纳米填充物不一致的理化性质。界面在复合材料中占有主导地位,其微观结构及性能将直接影响复合材料的宏观性能。     

纳米银–环氧树脂复合电介质的介电特性

研究了纳米银–环氧树脂复合电介质的介电特性,讨论了银粒子的大小和添加量对复合材料介电常数和介质损耗因数的影响,并分析了复合材料的介电温谱。结果表明,复合材料的介电常数和介质损耗因数比纯环氧树脂有所降低;复合材料在损耗温谱中比纯环氧树脂多出一个高温峰,且高温峰的松弛活化能与纳米银粒子在介质中形成的库仑阻塞势垒有较好对应,实验结果表明了在一定尺寸和分布的纳米金属粒子与聚合物形成的复合介质中存在着库仑阻塞效应限制电荷运动的现象。     

基于关联矩阵的变电所电气主接线可靠性分析

本文通过设备与断路器的关联矩阵计算变电所电气主接线的可靠性指标,并介绍了该方法在两种典型电气主接线即“双母带旁路接线”和“一个半断中器接线”可靠性计算中的运用。     

复合绝缘子压接连接界面机械性能的分析及结构参数的确定

根据复合绝缘子压连接界面结构特点,分析了界面和芯棒的机械力传递机理和金具最佳形状结构,得出了在室温下组装的芯棒径向弹性变形量不宜过大的结论,同时还分析了芯棒中纤维含量对变形量的影响。     

电机定子结构及其绝缘介电常数的频率特性对定子绕组电容值的影响

确定电机定子线棒的高频参数对于研究局部放电信号在电机绕组中的传播特性及研究PWM逆变器驱动的交流电机的定子绕组电压分布有重要意义。文中对大型汽轮发电机定子线棒的电容做了比较详细的研究，内容包括：对电机定子线棒复合绝缘等值介电常数的频率特性的测试研究、采用数值计算方法计算出用铝箔纸裹住的电机定子线棒的多导体传输线模型的单位长度电容、线棒股线间薄绝缘对电容的影响、对铁心硅钢片叠片间隙对电容的影响等。其数值计算结果与之前测量得到的电容值比较吻合，这也证明了通过测量开路阻抗、短路阻抗来得到电机定子线棒分布参数的试验方法是有效的。     

构建电气工程专业实践创新能力的实践教学体系

实践教学是工科院校教学活动的重要组成部分，实践创新能力培养是素质教育的重要内容，本文结合我校电气工程专业的实际，提出了构建实践教学体系设想，并讨论了相关的几个问题，如建设开放性电气实验室，电工实习等。     

电容层析成像系统径向电极对传感器性能及敏感场分布的影响

电容层析成像系统传感器的敏感场分布受多相流介质分布的影响,软场特性给图像重建带来很大困难.该文以8电极油水两相流电容层析成像为研究对象,采用有限元仿真的方法,分析了径向电极及其嵌入尺寸对电容层析成像系统电容值及敏感场分布的影响.通过仿真分析,确定了径向电极的嵌入尺寸,从而能够在缩小测量电容值的动态变化范围,减轻数据采集电路设计难度的同时,提高电容响应的灵敏度,改善传感器敏感场的分布,提高电容层析成像系统的性能.     

合成绝缘子表面电压和场强计算

利用表面电荷法对绝缘子表面的电压分布和场强进行了计算,研究了影响电压分布的某些因素,如均压环、伞裙对电压分布的影响。计算表明,合成绝缘子的电压分布特性与瓷质绝缘子有很大不同,其电压分布非常不均匀,高压端承受了更高的电压。伞裙和均压环均能改善电压、场强分布,但合成绝缘子均压环对电压分布均匀性的改善不如瓷质悬式绝缘子。     

基于产生式规则的煤性——炉型耦合专家系统的设计与研究

将产生式规则应用于专家系统的研究与开发,设计了基于产生式规则的煤性-炉型耦合专家系统的构架模型,并且提出了一种知识库的设计方案;对专家系统体系结构、知识表示模式、推理机制、冲突消解策略、解释机制作了简要介绍。     

110kV三相共箱式GIS内隔离开关部位电场及击穿特性的分析与研究

应用模拟电荷法对三相共箱式１１０ ｋ Ｖ 的 Ｇ Ｉ Ｓ内直角型隔离开关断口附近的三维电场进行了计算,绘出了各电极表面三维电场场强分布图,同时对结构的绝缘耐受强度进行了估算,对结构进行了绝缘校核及必要的优化计算,为工程实际提供了优化设计尺寸。     

EFFECTS OF DEPOSITION PARAMETERS AND FILM THICKNESS ON THE PHASES AND ELECTRICAL PROPERTIES OF Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 THIN FILMS MADE BY MOCVD USING ULTRASONIC NEBULIZATION

ABSTRACT

PMN thin films were deposited by MOCVD using ultrasonic nebulization and the effects of deposition parameters and film thickness on the phases and electrical properties of the PMN films were investigated. The low deposition temperature and RTA treatment were favorable to deposit the PMN films with a low content of pyrochlore phase. Excess Mg enhanced the formation of perovskite phase of PMN films also. As the film thickness was increased, the portion of pyrochlore phase in PMN films was decreased. The dielectric constant of PMN films increased with the film thickness and showed the value of 25–230.