4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点.为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管.采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低...     

半导体光电器件

半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要包括利用半导体光敏特性工作的光电导器件，以及利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。     

碳化硅功率器件

碳化硅材料具有优越的电性能，如高的击穿电场，高的电子饱和速度，大的热导率使其在功率器件方面具有很大的潜力，近年来引起人们的高度关注。 本文将从材料特性，器件工艺和特性，以及国内发展情况几个方面介绍碳化硅功率器件的现状。     

射频宽带器件的基础理论及磁芯对器件性能的影响

推导出了更一般的耦合传输线的基本关系式,使之适於各线电流之和不为零的场合以及三线耦合的场合。指出了建立器件传输矩阵的方法。导出了器件的传输特性及反射特性和传输矩阵的关系。分析了磁芯对器件性能的影响。     

现代功率模块及器件应用技术（2）

现代的快速开关器件要求采用快速的二极管作为续流二极管。在每一次开关的开通过程中，续流二极管由导通切换到截止状态。这一过程要求二极管具有软恢复的特性。但是，在很长一段时期里，忽视了快速二极管的作用，使得开关器件工作频率的提高受到了限制。在过去的几年中，它又受到了高度的重视，特别是通过改善它的反向恢复特性而得到了长足的发展。     

国外新器件研制和应用现状

当前，电力半导体器件的发展重点是采用新的原理，开发新的ＭＯＳ双极器件（ＩＧＢＴ和ＭＣＴ）和场控器件（ＳＩＴＨ）。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状，以及这些器件的应用情况。     

YIG调谐器件漏磁特性仿真分析

YIG调谐器件在现代电子对抗系统中应用广泛,但针对YIG调谐器件的漏磁特性缺乏定量分析。通过对YIG调谐器件的漏磁特性建模及仿真,特别是针对测试样品射频连接器区域磁场仿真和漏磁测量,得到其漏磁分布曲线,实现了YIG调谐器件的漏磁定量分析,为YIG调谐器件工程应用中抗漏磁干扰设计提供了依据。此外,该研究对于有效降低YIG调谐器件的漏磁干扰,提高整机系统技术指标和改善工作性能有着一定的指导意义。     

关于选用通信防雷器件若干问题的探讨

关于选用通信防雷器件若干问题的探讨灵达（南京）电气有限公司陈晓宁宦明斌为搞好电力系统通信防雷工作，近年来逐步采用了一些新型防雷器件，如氧化锌压敏电阻，陶瓷或高分子热敏电阻等。下面仅就这些器件的选用和安装等若干问题发表一些看法。一、保安单元动作电压的选...     

基于GaN器件的固态射频电源应用研究

随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气2DEG(two-dimensional electrons gas)等优点。GaN功率器件与硅(Si)功率器件相比,具有导通阻抗低,输入、输出电容小等特性,这些特性使得GaN功率器件高开关速度、低损耗。在E类功率射频电源的基础上,采用GaN功率器件设计制作了一款开关频率为4 MHz、功率可调的全固态射频电源实验样机。通过电路的设计和优化,样机的输出功率为21.4 W时,效率达到了96.7%;同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,实验数据验证了GaN器件开关速度快、损耗低,可大幅度提高射频电源的效率。     

基于自关断器件的新型软起动

为了克服输入定子侧的低次谐波和控制复杂的问题，提出了基于自关断器件的新型软起动。与传统晶闸管控制的软起动不同，由于采用了自关断器件，因此新型软起动的控制简单，开关器件的触发信号不需要与主电路同步，容易实现，而且还能开环控制。分析了新型软起动的运行原理和定子上电压和电流的谐波特性，并给出了仿真结果。实验验证了新型软起动的正确性。