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磁阀式可控电抗器的出现为超高压、特高压电网的电压控制、无功调节提供了一种全新的技术手段。并联电容补偿方式因电气化铁路自然功率因数低,系统难以达到标准要求。新型磁阀式可控电抗器,可调节电气化铁路系统的无功功率,通过公式推导的方式对无功检测和控制回路进行理论分析,另一方面,对磁阀式可控电抗器的谐波特性、伏安特性、控制特性及响应特性分别进行了分析,给出各种特性曲线。设计将提高响应速度后的MVCR应用到电气化铁道动态无功补偿中,使用MVCR+FC进行动态补偿,且动态补偿效果良好。 相似文献
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基于磁阀式可控电抗器的无功补偿系统 总被引:20,自引:0,他引:20
电气化铁路自然功率因数低,现有的并联电容补偿方式难以使系统达到标准要求,影响了企业的经济效益。用磁阀式可控电抗器调节电气化铁路系统的无功功率,主要需要解决的内容有非线性电路的无功功率的测量和快速调节,保证功率固数保持在0.9以上。以利用直流电流控制铁芯的磁饱和度来达到平滑调节目的的磁阀式可控电抗器为补偿元件,晶闸管为执行元件,用80C196KC单片机进行控制,保证了补偿的快速性、准确性、合理性。实验和样机试运行均表明:该动态无功补偿系统能快速补偿系统无功,使功率因数保持在较高水平,很好地改善了供电质量,提高了供电系统的经济效益。 相似文献
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在电力系统中,通过无功电压补偿,可以大大提高电能质量.本文对磁阀式可控电抗器的基本结构和工作原理进行了研究.通过电力系统仿真软件Matlab/Simulink对其控制特性、伏安特性、谐波特性进行了全面分析.最后在其工作特性的基础上介绍了电抗器在无功补偿中的应用,以快速响应的磁阀式可控电抗器和并联电容器组成的补偿元件,配... 相似文献
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王元荪 《电力电容器与无功补偿》2012,(6):87
<正>专利名称:磁阀式可控电抗器型SVC动态无功补偿装置专利申请号:CN200820135702.0公开号:CN201282340申请日:2008.10.07公开日:2009.07.29申请人:王运虎本实用新型公开了一种磁阀式可控电抗器型SVC动态无功补偿装置,设有电容器和固定电抗器组支路即FC支路和可调电抗器支路,FC支路 相似文献
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针对变电站存在的无功倒送和电容器组只能进行分级无功补偿的缺点,分析了基于自励磁磁阀式可控电抗器的动态无功补偿方案,利用MATLAB进行仿真,以实时计算为基础,实现电抗器的连续平滑调节,再配合固定电容器组具有抑制电压波动,稳定功率因数,快速补偿无功的特点,满足变电站无功电压综合控制的需要。 相似文献
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《Power Delivery, IEEE Transactions on》1998,13(1):73-77
IEEE Standard 1344, Synchrophasors for Power Systems, was completed in 1995. It sets parameters required to ensure that phasor measurement will be made and communicated in a consistent manner. It specifies requirements for the timing signal used for phasor synchronization and the time code needed for input to a measurement unit. GPS is the recommended time source and IRIG-B is the basic format used for time communication. The standard requires correlating phasors computed from unsynchronized and synchronized sampling to a common basis. Timetagging accurately and consistently is essential for wide area comparison of phase. The standard specifies information exchange and control message formats. These include data output, configuration, and command messages. It includes 7 annexes that discuss the concepts covered in the body of the standard 相似文献
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Yuan Chen Westergard L. Mojarradi M.M. Johnson T.W. Cozy R.S. Billman C. Burke G.R. Kolawa E.A. 《Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on》2006,6(2):146-153
A design for reliability methodology has been developed for electronics for low-temperature applications. A hot carrier aging (HCA) lifetime projection model is proposed to take into account the HCA impact on technology, analysis of parametric degradation versus critical circuit path degradation, transistor bias profile, transistor substrate current profile, and operating temperature profile. The most applicable transistor size can be determined in order to meet the reliability requirements of the electronics operating under low temperatures. This methodology and approach can also be applied to other transistor-level failure and/or degradation mechanisms for applications with varying temperature ranges. 相似文献
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介绍了全寿命周期成本管理理念及110kV GIS远景间隔可采取的预留方式,并对变电站110 kV GIS远景间隔的各种预留方式进行分析比较。 相似文献
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介绍了1次作为真空容器的凝汽器的水位测量偏差缺陷消除的过程.由于常规的消缺办法无法奏效,通过观察总结出隐含规律,并依据理论分析和公式计算找出故障范围和原因,在不影响机组安全运行的基础上消除了缺陷. 相似文献