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相似文献
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1.
WO_3掺杂NiO的气敏性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。  相似文献   

2.
气相法WO3纳米粉体的H2S气敏性能研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶-凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件.在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性.文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析.  相似文献   

3.
低功耗C_2H_5OH气敏元件   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用超细SnO2粉体,按照MQ—J1工艺制成低功耗C2H5OH气敏元件。该气敏元件将工作温度降低一半以上,而且选择性好,同时简化了常规C2H5OH气敏元件的生产工艺,是一种具有开发前途的气敏元件。  相似文献   

4.
NiFe2O4 纳米材料的气敏性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.  相似文献   

5.
Zn2+掺杂WO3基气敏材料的制备及气敏性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过加热分解钨酸制备的WO3与Zn(NO3)2溶液超声分散,制备出了掺杂Zn2 的WO3基气敏材料。研究了Zn2 掺杂对WO3气敏材料性能的影响。结果发现,Zn2 掺杂WO3基传感器对H2S有较好的气敏性能,在常温下对极低浓度(5×10-6)H2S也有很高的灵敏度(56),适量掺杂可以提高其灵敏度,Zn2 掺杂n_Zn~(2 )/n_W=2%的WO3基传感器的灵敏度最大,对50×10-6H2S在200℃灵敏度可达1800。通过X-射线衍射仪(XRD),比表面测定仪(BET)对材料进行了表征,比表面积范围介于2.5~3.5m2/g之间。结合有关理论,对元件气敏现象及机理进行了解释。  相似文献   

6.
以无机盐为原料,液相合成了ZnFe2O4纳米粉体,通过XRD,TEM等手段对粉体的晶体结构、形貌等进行表征并研制了厚膜型气敏元件.结果表明:产物为尖晶石结构,粒径尺寸分布为10 nm~30 nm,平均粒径约为14 nm.在40℃~400℃的温度范围内,采用静态配气法测定元件的气敏性能,发现ZnFe2O4气敏元件在150℃的工作温度下对体积比浓度为1×10-3 (V/V0)、1×10-4(V/V0)的H2S气体的灵敏度分别高达244.34和83.31;在此工作温度下对1×10-4(V/V0)的H2S气体响应时间2 s,恢复时间为5 s.在40℃对1×10-3(V/V0)的H2S气体的灵敏度达到111.00.  相似文献   

7.
补偿式气敏元件的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.  相似文献   

8.
磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。  相似文献   

9.
WO3纳米材料的NO2气敏特性   总被引:10,自引:1,他引:10  
通过固相掺杂法制得一系列不同掺杂量的WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪,透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,测试了元件的气敏,分现,适量掺杂SiO2有利于提高WO3纳米材料对NO2气体的灵敏度,其中掺杂量为3%(质量分数)的烧结型气敏元件在120℃下对NO2有较高的灵敏度的选择性,是一种工作温度较低气敏性能很好的NO2气敏元件。  相似文献   

10.
高灵敏度高选择性的H2S气敏元件   总被引:1,自引:0,他引:1  
报导了采用化学沉淀法制备SnO_2超微粉,掺入(5~7)%wt的RbCI等掺杂剂,制成烧结型H_2S气敏元件,具有极高的灵敏度和良好的选择性,可检测0.1X10~(-6)的H_2S气体.  相似文献   

11.
以CuCl2·H2O为主要原料,抗坏血酸作还原剂,聚乙二醇-20000(PEG-20000)作表面活性剂,利用化学混合法制备了纳米晶结构的Cu2O纳米立方体。研究了pH值对Cu2O纳米结构的影响,并用XRD和SEM对产物的物相和形貌进行了表征。将粉体制成气敏元件,气敏性能测试结果表明:该Cu20纳米晶对乙醇气体具有较高的灵敏度和选择性。600℃热处理2h材料气敏特性最好,在最佳工作温度(360℃)下对体积分数为0.006%的乙醇气体灵敏度可达到38%,达到了口腔乙醇气体体积分数检测限度0.008%的要求。  相似文献   

12.
为了探讨氧化铟气体传感器的CO气敏性能和气敏机理,分别用化学沉淀法和浸渍法制备了未掺杂和金掺杂的氧化铟气敏材料,利用XRD和TEM对合成产物进行了表征.采用静态配气法测试了合成材料的气敏性能,利用气相色谱在线测试了CO在气敏材料表面的催化氧化产物,根据气敏性能与催化氧化结果研究了金掺杂氧化铟的气敏机理.实验结果表明:以2%质量比的金掺杂氧化铟对一氧化碳的反应有较高的灵敏度和选择性.根据金掺杂氧化铟对CO的催化氧化性能与气敏性能基本一致的结果,提出了金对氧化铟的CO增敏机理为化学增敏作用.  相似文献   

13.
气体传感器在石油化工、环境监测、航空航天等领域有着广泛的应用。由于具有独特的物理化学性质,TiO2被广泛用于气体传感器敏感材料的研究。综述了基于TiO2气体传感器的研究进展,并重点就H2,NH3,H2 S,CO和NO2五种常见的气体进行了阐述。从基于TiO2气体传感器的材料制备、传感性能、传感机理和存在的问题等方面进行了讨论,并指出了基于TiO2的气体传感器发展趋势。  相似文献   

14.
半导体气体传感器敏感机理的研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
为了改进半导体气体传感器的选择性,研究人员利用四极质谱仪、气相色谱、阻抗测试、XPS等检测手段对半导体气体传感器的乙醇、硫化氢、氯气、一氧化碳、氢气、含氮化合物和有机烷烃等常见检测气体的敏感机理进行了研究,取得了一些进展。对研究所得结论和理论模型进行了概述,并提出了今后的研究方向。  相似文献   

15.
天然气与煤联合气化的热力学模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
天然气与煤联合气化工艺通过改变进料条件,能够直接得到H2/CO比可调合成气。为探索进料条件对合成气H2/CO比和温度的影响规律,本文建立了描述天然气与煤联合气化制合成气热力学模型,根据该模型计算了不同进料条件对合成气H2/CO和出口温度的影响。计算结果表明,进料中CH2/O2比例的增加可同时显著提高合成气的H2/CO比和降低反应温度;进料中H2O/O2比例的增加只是显著降低反应温度,而对合成气H2/CO比的影响较小;提高进料温度和操作压力对合成气生产有利。  相似文献   

16.
Ag掺杂SnO2纳米纤维的制备及其气敏特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以聚乙烯醇(PVA)和SnCl2·2H2O为原料采用静电纺丝技术制备纯sno2及Ag掺杂sno2纳米纤维.经700℃退火烧结后制得了连续多孔的snO2纳米纤维.研究了Ag的掺杂对SnO2纳米纤维的C2H2气体敏感性能的影响,结果表明Ag的掺杂对SnO2纳米纤维的C2H2气体敏感性能具有明显的影响,在Ag掺杂量为8at%...  相似文献   

17.
低功耗In_2O_3基LPG气敏元件   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用In2O3超细粉体,掺杂Au和金属氧化物(SiO2,Fe2O3等),按照直热式气敏元件工艺制成珠状气敏元件,通过Al2O3 Pd的表面催化层处理,研制出功耗低于100mW(在空气中)的液化石油气(LPG)气敏元件。并分析了元件的气敏机理。  相似文献   

18.
采用溶胶-凝胶法制备NASICON(钠离子导体)固体电解质及镍/钛复合氧化物材料。并以NASICON为离子导电层,镍/钛复合氧化物为敏感电极制作固体电解质硫化氢气体传感器。在260-380℃温度范围内,以镍/钛复合氧化物为敏感电极制作的器件对1.10-6~100.10-6硫化氢具有良好的敏感特性。在320℃时器件的灵敏度(斜率)为-72.4mV/decade。并且器件具有良好的选择性、抗湿性及响应恢复特性。器件对5.10-6,50.10-6硫化氢的响应时间为10s,4s和20s,40s。最后对器件的敏感机理做了分析。  相似文献   

19.
纳米WO_3-ZnS系H_2S气敏元件的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2 S气体具有较高的灵敏度及选择性  相似文献   

20.
针对Si基微结构气体传感器中Si基与敏感材料之间附着性较差的问题,提出在Si基与敏感材料之间引入纳米孔Al2 O3膜形成新型Si基微结构传感器,利用ANSYS分析软件对微结构进行热分析。采用薄膜工艺、光刻工艺、电化学阳极氧化工艺在Si衬底上制成Si基微结构,采用超声波的方法使聚苯胺敏感材料渗入纳米孔Al2 O3膜中制成气体传感器,并在室温下测试了传感器对氨气的检测特性。结果表明:将纳米孔Al2 O3膜移植到Si基上增加了敏感材料的附着性;传感器对响应时间约为40 s,恢复时间约为960 s,灵敏度随着氨气浓度的增加而增大,并且呈现出良好的线性关系。  相似文献   

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