一种低杂散低相噪频率源的设计与实现

为了降低频率综合器的相噪和复杂度,提出了一种新的低相噪频率综合器的设计方法。它利用谐波发生器产生低相噪的高频信号,同时采用集成压控振荡器的频率合成器芯片LMX2820来直接产生输出信号和反馈信号,反馈信号和低相噪高频混频后产生低频的反馈信号,通过这种内置混频来降低分频值的方式来实现低相噪。采用该方法实现的13.75 GHz～16.25 GHz(不包含15 GHz)频率合成器,其相噪指标优于-102 dBc/Hz@1kHz。     

几种去噪方法的比较与改进

数字图像在采集、传输过程中会受到噪声的干扰,为了后续的更高层次的处理,在预处理过程中需对其进行去噪。而传统的滤波方法在去除噪声的同时,也会丢失图像的一些细节信息。针对以上问题,在小波变换基础上,提出一种改进的去噪方法,能够有效克服上述缺点,从仿真结果来看,去噪效果明显优于传统的去噪方法。     

跨阻放大器自动静噪电路的设计与实现

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于光纤通信跨阻放大器的自动静噪电路。提出的系统结构包括信号强度检测模块、比较基准产生电路、迟滞比较器和静噪控制单元。当输入信号减小到低于静噪使能阈值时,静噪模块将产生静噪使能信号,关闭信号通路;而当输入信号增大到高于静噪解除阈值时,静噪模块将产生静噪解除信号,打开信号通路。仿真结果表明,对于误码率10-10、灵敏度-40 dBm(100 nA)的155 Mb/s跨阻放大器,静噪使能和静噪解除两个阈值分别为47 nA和85 nA,静噪迟滞宽度为2.57 dB,满足系统要求。     

基于改进的稀疏去噪自编码器的入侵检测

针对传统浅层的入侵检测方法无法有效解决高维网络入侵数据的问题,提出了一种基于堆叠稀疏去噪自编码器（SSDA）的入侵检测方法。首先,利用SSDA对入侵数据进行降维操作;然后,将高度抽象后的低维数据作为输入,利用softmax分类器进行入侵检测;最后,又在SSDA方法的基础之上提出了一种改进模型（ISSDA）,即在传统稀疏去噪自编码器的基础上增加新的约束条件,以此来提高深度网络对原始入侵数据的解码能力以及模型的入侵检测性能。实验结果证明,ISSDA方法与SSDA方法相比,对4种类型的攻击的检测准确率提高了将近5%,也有效地降低了误报率。     

基于ADF4360-8的集成化低相噪频率合成器设计

结合锁相环技术的基本原理,介绍了一种采用锁相环技术产生高稳定度信号的低相噪频率合成器的设计思路。采用集成锁相环芯片ADF4360-8来设计锁相环电路,并给出了系统的具体电路参数、实际应用的设计要点和设计注意事项。最后经过仿真,得出系统环路带宽内相噪为-105dBc,符合系统设计要求。     

低杂散低相噪频率合成器的设计

DDS＋PLL是目前频率合成技术的常用组合方式之一。首先就DDS＋PLL的几种常用合成方式的特点进行了简单介绍．然后着重利用DDS激励PLL的混频合成方式,实现了一种低杂散低相噪的频率合成器的设计。设计中首先在理论分析的基础上选出了合理的设计方案,然后对各项指标进行了可行性分析,尤其对输出相位噪声和组合杂散进行了详尽的阐述。最终通过理论分析,合理的选取时钟频率巧妙地避开了近端的杂散,用试验结果证明了该方案的可行性。     

基于自偏置磁-机-电耦合效应的电流传感器研究

基于自偏置磁-机-电耦合效应,提出了一种新型电流传感器,其由磁电层合材料Sr Fe12O19/Fe Cu Nb Si B/PZT、质量块、基座组成。磁电层合材料Sr Fe12O19/Fe Cu Nb Si B/PZT具有自偏置磁-机-电耦合效应。通过该磁电层合材料与载流电线周围的涡流磁场耦合,该新型电流传感器具有较大的输出电压和电流灵敏度,无需额外的直流偏置磁场等优点。实验结果表明,所提出的传感器在载流电线的电流频率为50 Hz时具有198.91 m V/A的较高灵敏度,并且电流传感器的输出电压与施加的50 Hz电流大小之间呈现出良好的线性关系。另外,提出的传感器还可以区分小至0.01 A的微小电流。这种基于自偏置磁-机-电耦合效应的电流传感原型器件在电流监测领域具有极大的应用前景。     

基于去噪自编码器的极限学习机

针对极限学习机算法（ELM）参数随机赋值降低算法鲁棒性及性能受噪声影响显著的问题，将去噪自编码器（DAE）与ELM算法相结合，提出了基于去噪自编码器的极限学习机算法（DAE-ELM）。首先，通过去噪自编码器产生ELM的输入数据、输入权值与隐含层参数；然后，以ELM求得隐含层输出权值，完成对分类器的训练。该算法一方面继承了DAE的优点，自动提取的特征更具代表性与鲁棒性，对于噪声有较强的抑制作用；另一方面克服了ELM参数赋值的随机性，增强了算法鲁棒性。实验结果表明，在不含噪声影响下DAE-ELM相较于ELM、PCA-ELM、SAA-2算法，其分类错误率在MNIST数据集中至少下降了5.6%，在Fashion MNIST数据集中至少下降了3.0%，在Rectangles数据集中至少下降了2.0%，在Convex数据集中至少下降了12.7%。     

基于深度降噪自编码神经网络的近红外光谱去噪

近红外光谱仪在数据采集时,由于受到多种因素的影响,光谱数据常常被一系列噪声所污染,对光谱建模与分析产生巨大的影响.在建模前必须要对数据进行预处理,本文提出一种基于栈式降噪自编码神经网络的光谱信号去噪方法,基于降噪自编码模型重构的思想来实现特征的自动提取,使用无监督逐层贪婪预训练和有监督微调的方法对深度自编码神经网络进行...     

一款RFID低噪声放大器的设计与仿真

电子标签的广泛应用对UHF RFID(超高频射频识别)阅读器的性能提出了更高的要求.低噪声放大器能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的关键部件.设计的LNA应用于UHF RFID阅读器前端,要求工作频率为900一930MHz,噪声系数小于1dB,带内增益大于15dB以及高线性度指标包括输出1dB压缩点大于15dBm和输出三阶互调点大于30dBm.结合相关设计理论,利用安捷伦科技的E-PHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)ATF54143,完成了电路设计并通过ADS2006对直流偏置、输入输出匹配以及源极加负反馈进行优化等仿真,结果表明:电路的噪声系数可达到0.54dB,功率增益高达23.4dB,输入、输出匹配良好,各种线性度指标也完全符合设计要求.     

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。     

Design and optimization of LNA topologies with image rejection filters

An important problem in designing RFIC in CMOS technology is the parasitic elements of passive and active devices that complicate design calculations. This article presents three LNA topologies including cascode, folded cascade, and differential cascode and then introduces image rejection filters for low‐side and high‐side injection. Then, a new method for design and optimization of the circuits based on a Pareto‐based multiobjective genetic algorithm is proposed. A set of optimum device values and dimensions that best match design specifications are obtained. The optimization method is layout aware, parasitic aware, and simulation based. Circuit simulations are carried out based on TSMC 0.18 μm CMOS technology by using Hspice. © 2010 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2010.     

基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益。仿真结果表明,在2.45GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.3 dB,该电路能够提供17.8 dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为-0.9 dBm,功耗小于10 mW。     

Comparison of the effectiveness of four linearizing techniques used in SiGe HBT LNA at 1900 MHz and low-bias voltage

In this article, four linearizing techniques are compared with each other when they are used in a common-emitter SiGe HBT LNA. Finally, when all of them are employed together, improved linearity of the LNA is observed and more than 10 dBm of IIP3 and −5 dBm of 1-dB gain input compression point are realized when the circuit is fed with 2.4 V. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 14, 144–152, 2004.     

PVT‐compensated low‐voltage and low‐power CMOS LNA for IoT applications

In this paper, a low‐noise amplifier (LNA) with process, voltage, and temperature (PVT) compensation for low power dissipation applications is designed. When supply voltage and LNA bias are close to the subthreshold, voltage has significant impact on power reduction. At this voltage level, the gain is reduced and various circuit parameters become highly sensitive to PVT variations. In the proposed LNA circuit, in order to enhance efficiency at low supply voltage, the cascade technique with g_m boosting is used. To improve circuit performance when in the subthreshold area, the forward body bias technique is used. Also, a new PVT compensator is suggested to reduce sensitivity of different circuit's parameters to PVT changes. The suggested PVT compensator employs a current reference circuit with constant output regarding temperature and voltage variations. This circuit produces a constant current by subtracting two proportional to absolute temperature currents. At a supply voltage of 0.35 V, the total power consumption is 585 μW. In different process corners, in the proposed LNA with PVT compensator, gain and noise figure (NF) variations are reduced 10.3 and 4.6 times, respectively, compared to a conventional LNA with constant bias. With a 20% deviation in the supply voltage, the gain and noise NF variations decrease 6.5 and 34 times, respectively.     

RFID电子标签中EEPROM的改进设计

介绍了RFID无源标签设计中的EEPROM存储器结构,通过分析Dickson电荷泵的工作原理以及广泛应用的NMOS电荷泵的设计思想,提出了一种改进的PMOS电荷泵设计方法,能够消除NMOS电荷泵电路中由于衬底接地而产生的衬偏电压造成的体效应,并对该PMOS电荷泵设计方法进行了仿真分析。     

二维数字水平仪的设计与实现

本文介绍一种高精度两维数字水平仪的研制方法。并提出一种简单、有效的方法来解决二维水平传感器的交叉耦合干扰问题。设计目标为研制-款测量范围为-10°＊-＋10°,精度为0．01°的两维水平仪。系统数据处理选用ATmegal28芯片,敏感元件选用SCA100T双轴硅微电容式加速度传感器,模数转换芯片选用ADS8344。整个系统实现了自动检测物体与标准水平面的倾斜程度。     

内建自测试相移器设计算法的优化

在原相移器设计算法的基础上,通过增加一个伪随机数生成函数来选择异或节点的相移器设计算法。实验结果表明,此算法不仅克服了原算法设计的相移器造成LFSR扇出过大的缺点,而且提高了伪随机测试故障的覆盖率。     

电路参数对无线电能传输的影响及控制策略

无线电能传输(WPT,wireless power transmission)系统的输出电流受原边电流、频率、线圈距离(耦合系数)、负载阻抗等影响.在负载及耦合系数一定时,接收侧的补偿电容影响系统的性能.为了保证系统的传输效率且使得系统输出电流最大,首先给出了WPT电路并进行电路分析,其次讨论结构参数对系统性能的影响,为调节系统最大电流输出提供依据.给出一种系统最大电流输出控制策略,并进行仿真验证.最后仿真对比了不同耦合系数对输出电流、输出功率及传输效率的影响.仿真结果表明,在该控制策略下,适当调整系统电容参数,即可使得系统输出性能最佳.