ZnSnO_3-乙醇气敏元件特性及其可靠性研究

本文报导了ZnSnO_3气敏材料电导率随温度变化的测试结果.以它为基体材料制备乙醇气敏元件,对其电阻随乙醇气浓度变化的特性进行了讨论.元件的强制失效实验分析表明,该类元件在正常工作条件下,处于高浓度检测气体气氛中不发生“中毒”和失效;还给出了一些对生产工艺较有意义的数据.     

一种新型的湿敏陶瓷材料体系

在碱金属氧化物掺杂的ZnSnO_4系气、湿敏材料中掺入LiZnVO_4,既可提高ZnSnVO_4系的湿敏性能,又大大地改善了元件的机械强度,同时使其低温(11%RH)阻值也适中(约10MΩ).通过控制烧结温度、时间及LiZnVO_4的掺杂量,可制得灵敏度高、稳定性较好的湿敏元件.显然,对Zn_2SnO_4-LiZnVO_4系湿敏性能的系统研究,有助于Zn_2SnO_4材料的气、湿敏多功能化.     

掺杂α—Fe_2O_3的气敏材料特性

报道了在SnO_2、ZnSnO_3基体材料中掺有α—Fe_2O_3金属氧化物作催化剂的半导体气敏材料的性能。实验表明,在不同基体材料中掺入不同比例的α—Fe_2O_3后,元件静态电阻R_0及元件对甲烷(CH_4)、丁烷、乙醇等气体性能随掺杂比例不同而改善,而对一氧化碳(CO)、汽油等气体性能改善不大。此外,α—Fe_2O_3掺杂使元件的可靠性、长期稳定性得到明显提高。     

CdSnO3 的合成 、结构与气敏性质

如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1 样品材料的制备与微结构测定     

半导体薄膜型NO_x气敏元件及应用装置

本文讨论了半导体薄膜型气敏元件的导电机理,介绍了为探测NOx(NO_2、NO)有害气体而研制的SnO_2薄膜型气敏元件的结构、气敏特性及应用气敏元件制成的报警、测量两用仪的原理和结构。     

低温气敏元件的研制

SnO_2气敏元件应用虽广,惜其工作温度高,耗能多,以及选择较差,难尽人意.为此作者对CO敏与酒敏元件两者取用人们研讨热点的超细SnO_2粉末为基料制作低温元     

SnO2气敏元件的阻温特性及其机理讨论

根据氧表面吸附模式、载流子穿越势垒理论和陶瓷的显微结构理论,重点讨论了SnO_2气敏元件的阻温特性.由此得出各温区中影响元件固有电阻值的主要因素,为改善SnO_2半导瓷气敏元件的性能提供了一些参考理论.     

新型半导体酒敏器件的研究

<正> 本文介绍了一种新型的SnO_2半导体陶瓷烧结型乙醇敏感气敏元件,并就提高气敏器件分辨率进行了研究。 研制出的新型酒精敏感器件—MQY1。该器件对乙醇气体有很高的灵敏度,具有选择性好、性能稳定等优点。 该器件采用旁热式烧结工艺结构,以SnO_2     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究

本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型.     

高灵敏度高选择性的H2S气敏元件

报导了采用化学沉淀法制备SnO_2超微粉,掺入(5～7)%wt的RbCI等掺杂剂,制成烧结型H_2S气敏元件,具有极高的灵敏度和良好的选择性,可检测0.1X10~(-6)的H_2S气体.     

半导体气敏元件的新进展

(一)引言 七十年代以来,半导体气敏元件获得了引人注目的新进展。有些产品已从研制阶段跨入了大量生产的阶段。例如日本()技研公司生产的SnO_2烧结型TGS气敏元件,年产量已超过100万只,累计产量已超过1000万只,寿命已超过10年,其它气敏元件、湿敏元件的新品种也在不断出现。引起这种蓬勃发展现象     

表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件

在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。     

一种新型的SnO_2半导体气体传感器

本文提出了一种制作SnO_2气敏元件的新方法。通常,检测还原性(或可燃性)气体的气敏元件是由N型金属氧化物半导体所构成。当这种半导体与还原性气体接触时,其电阻值下降。相反,与氧化性气体接触,而电阻则升高。由此可知,气敏元件的导电率受到所吸附的气体影响。     

选择性CO气敏元件的研制

<正> 如何提高氧化物半导体气敏元件对CO气体检测的灵敏度、选择性和稳定性,开拓在工业和环境监测中的应用,一直是人们十分关注的问题,利用SnO_2、WO_2、ZnO等为基体材料和不同的工艺方式在做着广泛的研究,本文对以SnO_2为基体的CO选择性气敏元件的研制作了进一步的探讨。     

掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究

XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.     

对H_2S气敏元件特性的改进

以ZnO为基体材料制作的H_2S气敏元件比SnO_2元件对H_2S气体的选择性和响应恢复特性有明显的改善。这为元件的实用化创造了有利的条件。     

丙酮蒸汽敏感元件的研制

目前,气敏传感器主要由SnO_2,α-Fe_2O_3,γ-Fe_2O_3,ZnO等简单氧化物(或掺有Pt,Pd等贵金属半导体材料和钙钛矿结构的ABO_3型复合金属氧化物,如铁酸锶,铁酸锶镧、偏锡酸锌等材料制作的.这些气敏元件多数是对酒精.H_2,CO,CH_4等物质敏感,对其它有机溶剂蒸气虽然也有一定的敏感性,但往往选择性差,至今还没有对除汽油、酒精外的其它有机溶剂蒸气具有良好选择性的气敏元件.本文用ZrO_2-ZnO半导体材料研制的气敏元件对丙酮有很好的敏感性和选择性.除丙酮外,只对丁烷有一定的敏感.     

钇,锶,钴复合氧化物气敏性质的研究

本文制备了钇、锶、钴复合氧化物,测量了 X 线分析,电子扫描显微镜分析以及它们的孔隙度、结晶粒度的大小。作成了气敏元件,测量了气敏元件的特性曲线,并讨论了它们的作用机理。一前言钙钛矿型 ABO_3型气体敏感材料,是继 SnO_2、ZnO 等敏感材料之后深入研究的一种     

厚膜气体传感器的研究

本文报导采用典型的微电子学工艺一丝网漏印法制备以SnO_2为基的厚膜气体传感器。研究了不同掺杂剂和玻璃料对厚膜气敏材料性能的影响,结果显示ZrO_2掺杂有助于提高厚膜气体传感器对一氧化碳和乙醇的选择性,而且气体传感元件的厚膜工艺设备筒单,便于生产。