等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性 及均匀性实验研究

在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向同性的刻蚀特征,均匀性约为16.5%.并对各向异性及均匀性的起因作了解释.     

反应离子深刻蚀硅的研究

利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的方向性差；ＳＦ６／ＣＣ１２Ｆ２和ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２都可获得各向异性的刻蚀工艺，刻蚀速率在２００－５００ｎｍ／ｍｉｎ之间。     

一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列.在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2 μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440 nm.     

ICP刻蚀硅形貌控制研究

硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌.采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析,研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体(...     

微机械加工技术-硅的各向异性刻蚀

简要介绍了在强碱溶液中硅的各向异性刻蚀性质和凸角补偿技术。     

石英微机械惯性传感器的加工技术

本文讨论了石英微机械陀螺的基本结构和工作原理，叙述了用于石英加工的化学各向异性刻蚀机理，给出了石英音叉传感器的加工方法，提供了我们研制的石英微机械陀螺的试验结果。     

二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究

采用CHF3、CF4、CHF3＋CF4、CHF3＋O2和CF4＋O2五种工艺气体体系对二氧化硅（SiO2）作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺。     

集成电路刻蚀过程三维建模与可视化技术研究

提出了一个新的、适合于三维条件下集成电路刻蚀过程的数学模型,并对其进行离散化处理,使它能够使用数字计算机进行刻蚀过程的仿真;同时研究了刻蚀过程的表面演化过程并给出了相关的数学模型;又研究了刻蚀模型仿真可视化技术的相关算法以及实现;最后给出了仿真结果并对其进行了讨论。     

碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究

选用SF6/O2 混合气体对等离子体增强化学气相淀积( PECVD)法制备的碳化硅( SiC)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体( ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频( BRF)功率、O2 比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性.实验结果表明:BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性,各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2 比例,并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理.     

石墨烯周期性折叠及其在应力传感器件中的应用研究获新突破

在中科院“百人计划”、国家自然科学基金和“973”项目的支持下,中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室张广宇研究组在石墨烯周期性折叠结构的加工及其在应力传感器件方面的应用研究取得了突破性进展,