下个世纪的电子热点—纳米电子

主要阐述纳米电子产生的背景，纳米电子取得的一些进展，以及纳米电子的应用前景，对纳米电子相关的一些问题进行了讨论。     

新型电子材料—沸石分子筛

介绍了沸石分子筛在化学传感器，纳米组装复合材料，光电材料和器件设计等方面的研究工作，以及超大晶体和超大孔径沸石分子筛合成的进展，这类新电子材料的新效应，新原理和新器件的设计研究将对理论和实践产生重大而深远的影响。     

2005年全球电子工业将进入纳米时代

日前,权威专家表示,随着电子工业技术的提高,2005年全球电子工业加工精度将达到100纳米,从而普遍进入纳米时代。纳米技术是指在0.1纳米至100纳米(一纳米为十亿分之米)的尺度内,研究电子、原子和分子运动规律和特性的崭新技术。专家表示,如今全球电子工业元器件加工精度已经达到120纳米,2005年将达到100纳米以下,这标志着电子     

纳米金与二茂铁在葡萄糖传感器中的相互作用

针对纳米金颗粒修饰的葡萄糖生物传感器对葡萄糖的响应电流随着工作电压的下降快速下降的问题,进一步利用电子媒介体二茂铁对其进行修饰,并选用丝网印刷电极研究了纳米金颗粒和二茂铁之间的相互作用。实验结果表明:二茂铁有效地降低了纳米金颗粒修饰的葡萄糖生物传感器响应电流的下降值,纳米金颗粒降低了电子媒介体二茂铁的氧化还原反应电位,并且,纳米金颗粒与电子媒介体二茂铁在葡萄糖生物传感器中表现协同增效效应。     

ARM Artisan低功耗IP被联华电子选用于130纳米工艺

2005年5月26日，ARM公司和联华电子联合宣布：两家公司签订协议，ARM将向联华电子先进的130纳米工艺技术提供Artisan Metro低功耗IP平台。ARM Artisan物理IP是专为高性能的便携式电子设备所开发的，能够在提高密度和良产率的同时显著地降低功耗；功耗最高降低80%，面积最高缩小20%，并提高良产率，为联华电子130纳米工艺最优化后的ARM物理IP向代工厂用户提供理想的低功耗便携式IC设计解决方案。     

N掺杂TiO_2的催化活性与电子结构关系探究

以钛酸四丁酯和三乙醇胺为主要原料,采用钛溶胶水热合成方法,制备氮掺杂锐钛矿型纳米TiO2.利用XRD、DRS对其进行表征,以甲基橙为目标物,研究产物的光降解活性.实验结果表明,N掺杂造成了 TiO2的晶格缺陷,禁带宽度减小,光响应范围红移,光催化活性增强.从第一性原理出发,结合密度泛函理论计算,探讨N掺杂.TiO2的电子结构,发现其能带结构中出现了杂质能级,这可以很好地解释N掺杂TiO2光响应波长范围红移和光降解效果优于P25的实验观测结果.     

室温单电子晶体管制备进展

单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键。室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺。自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题。在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点。     

基于纳米压印技术的光伏器件微三维构型研究

将纳米压印技术应用到三明治结构光伏器件制作.采用具有三维微结构(平行波纹、离散孤岛)软模具,通过纳米压印将定制化微三维结构转印到电子给体层和电子受体层的异质结界面上,以增大异质结界面实际面积,提高光伏效率.通过仿真计算,模拟了通过微结构界面几何改变,提高有效面积内异质结界面实际接触面积,从而增大载流子浓度的过程,优化三维微结构几何特征.典型试验结果证明了光伏器件异质结三维微结构界面对光伏效率的良好效果.     

超立方体或将构成纳米计算机

一种被称为超立方体（hypercubes）的多维结构,或许将成为未来纳米计算机的基本结构．纳米集成电路也许处理的是个别的电子,减少了尺度与耗电量．这样的电路需要能计算单一电子的纳米逻辑器件,以及拥有并行计算、可逆性、区域性的能力,外加一个三维的架构．     

可用于存储器的纳米交叉杆设计方法研究

纳米交叉杆结构是最近引起人们广泛关注的一种纳米电子器件.它以高密度、低功耗、容错与并行等方面的良好性能,成为构建新型纳米存储器的热门选择.哈佛大学、惠普公司等相关研究机构已经在这方面取得了长足的进展.然而尽管电路模型一致,不同的研究思路导致在底层的物理结构和构造方法存在很大差异.回顾了近年来纳米交叉杆领域的研究进展,按照器件的物理结构和工作原理的不同将各种设计方法归纳为4类,并从制备方法和导线材质等其他多个方面作出对比,得出了一些初步的结论.