氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

氟离子场效应晶体管的研究

本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

一种适合离子敏感场效应晶体管的流动注射分析装置的研制

本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。     

氨敏场效应晶体管微型化的研究

本文对探头及测试器件的微型化,研究了一些有效办法并用了氨敏场效应晶体管,取得成功     

离子选择性场效应晶体管的新发展

离子选择性场效应晶体管作为一种新型的化学传感器,面对目前向信息社会转变的历史潮流及信息技术对信息采集、传输及处理的需要,在国内外日益得到愈来愈多的重视及发展。众所周知,在我们研究ISFET的过程中,以及ISFET的应用领域已不再局限于仅仅能对离子有响应,而对分子、大分子、甚至对生物物质有响应,而被称作Chem FET及BioFET。本文将综述近年来国内外在以场效应晶体管为基础的化学传感器的发展。     

化学量传感器

<正> (一)离子敏场效应晶体管发展的历史概况 离子敏场效应晶体管是七十年代初出现并迅速发展起来的一种微型化学敏感器件,是电化学与微电子学相结合的产物。它既具有离子选择电极的功能,又具有场效应晶体管的特性,是一种与传统的离子选择电极截然不同的新型离子敏感器件。     

氟离子敏场效应管的研制

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。     

基于ISFET 的克咳敏传感器的研究

本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 .     

化学量传感器

<正> (三)pH-ISFET、ISFET和CHE-MFET 氢离子敏场效应晶体管是最基本的离子敏场效应晶体管。它与MOSFET的区别只在于用对氢离子有响应的敏感膜(如Si_3N_4膜)取代了金属栅。氢离子敏感膜     

场效应晶体管通用二维分析程序

登记号 880088 开发单位电子部55所功能简介本程序可用于分析砷化镓单栅、双栅肖特基势垒场效应晶体管,也用于分析埋栅型硅结型场效应晶体管。用户只要将器件的结构参数、材料参数,外加偏置条件输入计算     

第四届化学传感器国际会议(IMCS-4)1992年9月13日在日本东京召开

IMCS-4是继1983年7月日本春日(IMCS-1),1986年7月法国Bordeaux(IMCS-2)和1990年9月美国俄亥俄州克里夫兰(IMCS-3)之后,在化学传感器领域世界规模的第四次盛会。 IMCS-4征文第一次通知已经发出,征文主要内容包括下列十个方面:气敏、生物敏、离子敏、电化学敏、离子场效应晶体管和化学场效应晶体管、光敏、表面声波器件、新方法和新材料、传感器生产技术、传感器系统。     

国外半导体微生物传感器的发展动态

<正> 一、半导体微生物传感器发展概况及特点 自从1970年Bergveld提出利用普通MOSFET将其金属栅去掉,对溶液中的离子能起敏感作用,故把这种场效应晶体管叫做离子敏场效应晶体管(ISFET)。     

Si_3N_4离子敏感场效应晶体管的pH响应

Si_3N_4离子敏感场效应晶体管被作为一种特殊的电化学体系来进行研究。与传统的电极不同,它的状态不是由电位来决定,而是由源漏电流I_o来表征。由于在Si_3N_4表面不存在氧化还原反应,因此它是典型的理想极化电极。随着源漏电流I_(?)的不同,在不同的电解液体系里,具有不同的V_g响应。本文以Si_3N_4离子敏感场效应管的V_s—I_D的稳态特性曲线来研究各种不同溶液的pH响应。     

离子敏场效应器件的进展及其研究方向

<正> 离子敏场效应晶体管ISFET是一类正在发展中的微型化学传感器。它既具有离子选择性电极相似的功能,又具备微电子器件的重要特征,因而是一类极有前途的、富有生命力的器件。目前此类器件正处于大力加强基础研究、技术攻关和应用研究阶段。就ISFET的化学性能(灵敏度、选择性和重现性)而言,至今与     

H+离子敏场效应传感器的SPICE模型仿真分析

本文从离子敏场效应晶体管(ISFET)的传感机理出发,利用计算机辅助设计软件(SPICE)建立了ISFET的物理模型。借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据取得了良好的一致性。     

6DJ6结型场效应孪生管应用点滴

<正> 场效应晶体管与普通三极管的区别在于它的电流只包括一种载流子的运动,而普通三极管的电流包括二种载流子(电子和空穴)。前者称单极型晶体管,后者称双极型晶体管;前者为电压控制器件,后者为电流控制器件。由于场效应晶体管具有电子管的特点而与普通三极管又不同,但又具备了普通三极管的许多优点,这就使得场效应晶体管得到广泛地应用。目前应用的场效应晶体管可     

金属-氧化物-半导体场效应晶体管存贮器电路

金属-氢化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)目前正广泛地应用于各种存贮器。存贮器的要求和金属-氧化物-半导体器件和工艺的特点导致出许多为此类应用的独特的电路。本文评论了存贮器系统的组织和设计考虑。举出了具体的电路例子进行分析,包括随机存取单元、移位寄存器、只读存贮电路和芯片上的外围电路;讨论了互补和非互补电路。