PIN型有机太阳能电池的研究

利用PEDOT:PSS作阳极修饰材料,并提高沉积温度,在ITO玻璃基板上制备PIN结型有机太阳能电池,利用太阳能电池外量子效率测试系统测试上述获得的有机太阳能电池光谱响应特性,分析薄膜结晶性对器件性能的影响。实验结果表明插入修饰材料和提高基底温度均可提高PIN结型有机太阳能电池的性能,这是因为薄膜结晶性在这些方法下得到提高,促进了空穴的传输。此外结晶性的提高有利于光谱吸收的红移,为高光电转化效率的太阳能器件制备提供了指导。     

离子注入场效应晶体管分析程序

登记号 880085 开发单位南京电子器件研究所功能简介本程序可用来计算非均匀有源层掺杂的GaAs MESFET的直流参数,等效电路参数和微波参数。分析有源层载流子分布,迁移率分布对器件性能的影响,优化离子注入器件的性能。另外,利用该程序还可以数据     

光电混合处理技术在电子对抗领域的应用

随着电子器件性能不断提高,其发展受限于物理极限。针对电子瓶颈问题,提出了光电混合处理的思路,综合利用光器件强大的并行运算、高速互联能力和电子器件的灵活控制能力构建光电混合处理器。并对其关键部件光矩阵向量乘法器的运算机理和开发编译环境的设计方法进行了分析。光电混合处理器在阵列处理、宽带信号处理、实时图像处理等领域有着广泛的应用前景。     

双极型晶体管非理想效应的Gummel-Poon模型分析及其在IC中的应用

主要研究双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor)的Gummel-Poon模型在集成电路设计中的应用。用Gummel-Poon模型对BJT的一些非理想效应进行定量分析,包括基区非均匀掺杂,基区宽度调制效应,大注入效应,产生-复合作用等。从BJT的基本电流用方程出发,用Gummel-Poon建立起器件性能与材料、结构和工艺参数之间的联系。分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系。论文中将该模型与现代BJT的典型结构参数和工艺参数结合起来,应用于现代BJT的理论分析之中,通过具体计算给出了应用实例。     

光致聚合物和全息光盘存储

1．引言全息存储早在六十年代中期就被人们所认识,由于材料的局限性,以及光电器件远远不能满足全息存储处理的要求,其发展非常缓慢。然而,到了九十年代以后, 已今非昔比,全息存储材料及光电子器件等有了很大的发展,例如为提高存储密度而采用先进的PCM复用技术;材料如有机光致聚合薄膜和有机光折变薄膜的应用研究于1994年以后有了很大发展;小型、低价、稳定、     

C60/聚合物复合存储器件的载流子输运机理研究

论述基于C60分子在不同有机基体下的存储特性,分别为C60/Polymethyl Methacrylate (PMMA)+Poly( N-vinylecarbazole)(PVK)、C60/PMMA以及C60/PVK器件,在(I-V)特性曲线上可以看出,C60/PMMA+ PVK和C60/PMMA器件可以实现相当于数字存储器件中的“写入”与“擦除”过程.研究复合基体对器件阈值电压的影响,以及复合基体对载流子输运过程的影响,C-V测试用于表征器件存储电荷的能力.     

以氮化鎵/氮化铝镓超晶格结构优化氮化铟镓LED

氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善发光二极管光电特性,载流子沿超晶格结构垂直向传导时受结构中薄的势垒影响,一部份载流子得以藉由穿遂作用于结构中传导,该种结构具有更好的载子传输能力及低的正相导通电压,而沿结构水平方向则可以通过超晶格量子限制效应与极化效应搭配,多数的载流子被限制于超晶格势阱区,并且透过极化产生能带顷斜将电子空穴进一步分离,该结构具有不同于块材更加优异的垂直传导能力使正相导通电压得以降低,透过较薄的厚度获取更高的出光效率且因其优异的水平传导能力可使薄的P区免于电流踊挤效应使效率下降,研究成功使用P型氮化铝镓/氮化镓超晶格结构改善蓝宝石衬底氮化镓发光二极管之P区特性,透过超晶格结构研究成果成功的透过改变P区载流子传输行为提升LED发光效率。     

不同固晶胶量对LED器件性能的影响

固晶材料是LED器件重要的组成部分,对LED器件的各方面性能产生重要的影响。本文围绕固晶材料的胶量和种类,在其对芯片与基板结合强度的影响、对初始光通量以及光衰的影响、以及对LED漏电的影响等方面进行实验分析。研究结果表明,芯片与基板结合强度随固晶胶量增加而明显提升,当胶量达到一定时芯片与基板结合强度趋于稳定;胶量对初始光通、漏电均有影响,绝缘胶对器件光衰影响较大。     

利用掺杂制备高亮度的黄光器件

本文采用一种高荧光效率的黄光荧光染料rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Alq3和NPB中,由于rubrene分子具有俘获空穴和传输电子的能力,Rubrene成了主发光体,Alq和NPB变成了客发光体,出现了发光体的互换现象,控制激子在某一层面上有效的复合。在相同掺杂浓度下,得到了高亮度的有机电致发光器件,器件的色坐标也是比较稳定的,均为稳定的黄光发射。该器件的最大亮度在13v时,为18250cd/m2,通过一系列的实验可以说明,在发光层中,掺杂客体荧光染料能极大地提高OLED的性能和特性。     

Ｘ射线/γ射线直接转换探测器的设计

X射线/伽马射线的探测和成像在医学影像、安全检查以及工业无损探伤等方面有重要的应用。与通过闪烁体的间接转换探测模式相比，直接将X射线/伽马射线光子转换为电子/空穴对的探测模式可以具有更高的量子效率。但是高能X射线/伽马射线与固态半导体材料的互作用物理过程比较复杂，它不仅包含光电效应，可能还有散射效应、康普顿效应，以及电子对效应等。另外，光生载流子在半导体探测器中通过漂移、扩散和复合等复杂的输运过程形成光电流。由于对高能X射线/伽马射线光子探测物理过程比较复杂，缺乏有效的数值计算模型和方法对X射线/伽马射线直接转换探测器进行理论设计。本文根据X射线/伽马射线与半导体互作用过程，以及光生载流子的输运过程，提出了一套X射线/伽马射线直接转换探测器的数值计算模型。经过与实验结果的对比验证，该计算模型可以较准确地模拟高能光子吸收以及光生载流子的收集过程，它为研制性能优秀的X射线/伽马射线探测成像器件提供了设计工具。     

Si基Ge材料在材料生长及探测器研制方面的主要进展探讨

硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容,加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数,是理想的吸收区材料;然而,III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好,机械性能较差,并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差,限制了其在光电集成技术中的应用。而Si Ge材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容,应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上,因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣。本文综述了硅基硅锗材料在探测器研制及材料制备方面的主要进展情况。     

基于蒽醌的红色延迟荧光材料的设计合成及光电性质

由于受到能隙定律的严重约束，激发态的有机红光材料的非辐射衰减较大，从而导致其荧光量子产率普遍较低。该文利用电子给/受体(donor-acceptor，D-A)之间不同的连接方式，在有无苯环作为 π 桥的情况下合成了 AQ-2DPAC 和 AQ-2PDPAC 两种红光蒽醌材料。并系统地研究了上述两种材料的电子结构、热性能、光物理性能和电致发光性能，以评估苯环作为 π 桥对材料发光性能的影响。两种蒽醌材料采取高度扭曲构造，均具有优良的聚集诱导发光和延迟荧光特性。该研究表明，就两种电荷转移发光材料而言，苯环作为 π 桥的引入使 D-A 得到了更有效的分离，并减小了最低单重态和三重态激发态之间的能级差，提高了辐射复合速率，从而提高荧光量子产率。因此，荧光量子产率从 D-A 型分子 AQ-2DPAC 的 19% 显著提升至 D-π-A 型分子 AQ-2PDPAC 的 52%。采用 AQ-2PDPAC 发光材料的有机发光二极管器件性能更为优异，最大外量子效率为 13.7%，最大亮度为 12 260 cd·m－2。     

OLED器件技术及产业化进展

有机电致发光器件OLED驱动电压低、发光亮度大、视角宽、响应速度快、制作工艺简单,在未来的平板显示领域显示了诱人的应用前景,也是21世纪首选的绿色照明光源之一。本文论述了有机电致发光器件结构和材料及其发光原理,介绍了有机电致发光器件的技术及产业化进展,讨论了有机电致发光器件发展存在的问题与突破。     

SPRITE器件性能研究

本文推导了SPRITE器件在狭缝光扫瞄时载流子浓度分布响应率、噪声、探测率的表达式,并用得到的公式讨论了视场角、器件厚度、后表面反射及吸收边缘附近吸收系数对它们的影响.     

基于薄膜体声波谐振器的柔性有机挥发性气体传感器

本文制造了一种基于薄膜压电体声波谐振器的柔性有机挥发性（VOCs）气体传感器。通过转移印刷的方法,柔性体声波谐振器的电极与压电层采用的无机材料薄膜被从硅衬底上转移到超薄的聚酰亚胺基底上。该柔性谐振器的品质因数达到了1920,且在2.5 mm的弯曲半径下仅有相对于基频十万分之一左右的频率偏移。谐振器表现出了对于环己烷与乙醇气体良好的频率响应特性,且通过在器件表面修饰聚异丁烯（PIB）薄膜作为气体吸附材料,使得器件对于环己烷的响应提升了10倍以上。该柔性VOC气体传感器具有尺寸小,质量轻,机械柔性好的优点,在可穿戴环境检测设备,健康监测设备,食品变质检测的电子标签等领域有着广泛的应用前景。     

离子注入后的快速光退火技术

本文对注 BF_2、P、As 三种元素的Si 单晶样品,经过快速光退火与普通炉子退火进行了比较分析,从而得出在注入浅结的获取、载流子浓度分布、损伤恢复及过程时间等方面,快速光退火技术明显优于普通炉子退火的结论。     

Halo LDD P-Si TFT工艺参数优化

该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用工艺模拟软件Tsuprem4和器件模拟软件Medici研究模拟了Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效的抑制热载流子效应;但也会部分地降低驱动能力,因此,要综合考虑,根据具体的条件,得到Halo结构最佳的工艺参数。     

基于VO2相变特性的THz波动态调控研究进展

太赫兹(Terahertz,THz)波位于光子学向电子学的过渡区域,在高速宽带通信、雷达、成像等领域具有重要应用前景。但目前用于THz波动态调控的器件仍比较缺乏,这在一定程度上限制了THz技术的发展。VO_2具有独特的金属—绝缘体相变特性,相变过程可以应用于动态调控THz波传输。探索超材料与VO_2结合以制备高效、动态、灵活的太赫兹功能器件也是近来的研究热点。简述了VO_2的相变特性,并分析了微观结构和化学成分等因素对相变特性的影响;系统回顾了VO_2薄膜相变过程中的THz波调控性能研究进展,总结了VO_2与超材料不同结合方式在THz波动态调控方面的应用;并对基于VO_2相变特性的THz波调控功能器件发展前景与挑战进行了展望。     

光纤传感器的研究动向

近几年,光纤在降低损耗、增大带宽等方面取得了显著进展,加上光纤具有直径细、绝缘性好、无电磁感应等特点,在测量和控制等装置中,作为信息传输媒体及传感器的应用引起各国科学家的重视,认识到机能型光纤和传感器的应用潜力,正在加速其研究和开发。利用非光纤传感器件并以光纤作为传输线路的“光纤传输型传感器”,大多采用制造和应用技术都已成熟的发光二极管、多模光纤、微光无源器件的强度调制型。因此,传感装置的性能主要取决于光传感器件的材料特性和结构。这种方式的光纤传感器,如光纤电压计、电流计、温度计、速度计等已经实用,目前的主要课题是降低制造成本和积累现场资料等。     

基于 OLED 器件的封装材料研究进展

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因其轻薄、视角广、响应时间短、发光效率高、成本低等优点成为公认的新一代显示技术。为减少甚至避免有机发光材料受到外界环境的侵蚀、保证OLED的使用寿命,OLED封装材料得到了大力的研究和发展。OLED封装材料必须具有优秀的水氧阻隔能力,此外,还要求有良好的热导率、透光率、机械强度、耐腐蚀性与基底的粘结性等性质。文章对OLED封装材料的发展作了详细的介绍,包括传统后盖式封装所用的金属、玻璃、陶瓷和薄膜封装所用的无机化合物、聚合物、复合材料。根据OLED器件的性能以及封装形式的需求,探讨了封装材料的未来发展方向。