冠醚构象特征的分子力学分析

用分子力学程序ＭＭＰＭ对１２－冠－４、１２－氮冠－４、１２－硫冠－４、１８－冠－６、１８－氮冠－６、１８－硫冠－６的不同构象的能量进行了计算。结果表明,对于（－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｘ－）_ｎ类的“冠醚”化合物,Ｘ＝Ｎ,Ｏ时,其低能构象中有最多的Ｘ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｘ旁式和最多的ＣＨ_２－Ｘ－ＣＨ_２－ＣＨ_２反式构象;Ｘ＝Ｓ时,情况与此相反。     

多晶SiC薄膜的生长及其压阻特性

在Ａｒ、ＣＨ４的混合气体中用反应性磁控溅射法生长了多品ＳｉＣ薄膜。溅射靶使用了单晶硅片。ＳｉＣ薄膜的生长速率１０～４０ｎｍ／ｍｉｎ。Ａｒ的分压为６０ｍｔｏｒｒ（１ｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐａ，以下同），ＣＨ４的分压为４０ｍｔｏｒｒ，衬底温度为７５０℃时，薄膜具有显著的多晶特性。杂质浓度、Ｈａｌｌ迁移率、电阻率分别为１０（１８）ｃｍ（－３）、１０ｃｍ（２）／Ｖ·ｓ、１０（－１）１０（－２）Ωｃｍ。压阻系数约为１５。     

技术转让

技术转让特殊处理气瓶及其配套件ＣＬ－１型特殊处理气瓶系列选用一号氟树脂进行内涂。气瓶内壁涂层光洁、配伍性广，具有憎水、化学惰性、保纯、抗腐蚀等特点，其耐压为１４．７ＭＰａ，耐热小于１２０℃，耐低温－１９６℃，适用于ＳｉＨ４／Ｎ２、Ｂ２Ｈ６／Ｎ２、ＰＨ...     

SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性

本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展宽。     

LPCVD制备Si3N4薄膜工艺研究

本文简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺.并对工艺的结果进行了适当的分析,为LPCVD制备高质量的Si3N4薄膜奠定了基础.     

玉米大斑病菌毒素的钝化反应及其机理研究

用１８种化合物对ＨＴ－毒素进行钝化反应试验，结果表明：代森锰锌、Ｎａ２ＭｏＯ４，ＮａＮＯ，ＺｎＳＯ４，ＫＭｎＯ４，ＫＩ及４种糖可钝化毒素，使其对玉米的毒性降低；而ＣｕＳＯ４，ＮａＣｌ，ＫＣＩ２Ｏ５，Ｈ２Ｏ２可使毒素毒性增强。毒素处理玉米叶片后细胞膜透性、细胞的Ｖｃ氧化酶，ＣＡＴ，ＰＡＬ，ＰＰＯ活性都发生了一定的规律性变化，而毒素中加入Ｈ２Ｏ２和代森锰锌可抑制或加强这种变化。     

整合型P4主板—ECS L4S5MG

采用 ＳＩＳ６５０芯片组 为了进一步让Ｐ４处理器更加平民化，各厂商都推出了一些整合了显示功能的芯片组，不过暂时在市面有出售的就只有 ＳＩＳ ６５０芯片组，而这片ＥＣＳ推出的Ｌ４Ｓ５ＭＧ就正是采用了此套芯片组的主板。ＳＩＳ ６５０和 ＳＩＳ ６４５芯片组主要的分别，就是在北桥芯片上内置了 ＳＩＳ ３１５显示芯片功能，因此主机板上的ＣＯＭ ２已改为ＶＧＡ输出，另外再加上Ｍｉ－ｃｒｏ－ＡＴＸ的设计，用户可以将之安装在超薄的机箱之中，以节省放置的空间。为了方便宽频（带）网络的用广，主机板上已经内置有１０／１００Ｍ…     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

用MC68HC05JB4开发USB外设

结合 ＵＳＢ手写板，介绍了用 ＭＣ６８ＨＣ０５ＪＢ ４等 ＭＯＴＯＲＯＬＡ单片机开发 ＵＳＢ设备的一般思路和具体方法。     

有机物性估算系统OPES微机版本的研制（Ⅱ）软件的开发与特性

本文主要介绍有机物性估算系统ＯＰＥＳ（ＯｒｇａｎｉｃｐｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｙＥｓｔｉｍａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ）微机版本的软件特性。ＯＰＥＳ的总体结构采用将输入、输出与物性估算程序完全分离的策略：实现了系统的有效分解；物性估算程序的进一步分解则有效地解决了在ＤＯＳ环境下开发大型应用程序所面临的内存使用问题；标准化模块的设计思想既提高了软件的开发效率，又方便了今后软件的维护。本文从基础物性数据库检索方法的选择、用户界面的灵活性与智能性、系统的透明性、系统的健壮性等方面介绍了ＯＰＥＳ的使用功能。＊Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ：１＊２４Ｏ５Ｃ３Ｈ３Ｎ１Ｏ７－１３－１（依次是：丙烯腈的ＩＤ号、分子式、ＣＡ登录号）ＣＨ２＝ＣＨＣ＊Ｎ（丙烯腈的ＯＣＳＣＥ线性码）ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ（丙烯腈的英文名）Ｔ２（温度点数为２，温度分别是２９３。１５Ｋ，４５０．００Ｋ）２９３．１５Ｋ４５０．００ＫＰＯ（没有输入压力，压力点数为０）ＰＨ２（相态为液态）ＰＯ３（极性类别是强极性）ｂａｓｉｃｄａｔａｏｆｃｏｍｐｏｎｅｎｔＮｏ．１（从基础数据库中查到的数据）ＳＴＲＣＨ２＝ＣＨＣ＊ＮＲＭ５３．０６００（ｇ／ｍｏｌ）Ｓ（分子量，质量码Ｓ     

Effect of trimethylsilane flow rate on the growth of SiC thin-films for fiber-optic temperature sensors

We have investigated the effect of trimethylsilane ([(CH/sub 3/)/sub 3/SiH] or 3MS) flow rate on the growth of SiC thin-film on single-crystal sapphire substrate for fiber-optic temperature sensor. The SiC film thickness was in the range of 2-3 /spl mu/m. The variation of the 3MS flow rate affected the structural properties of the SiC films. This, in turn, changed the optical properties and temperature sensing performance of the sensors. Optical reflection from the SiC thin-film Fabry-Pe/spl acute/rot interferometers showed one-way phase shifts in resonant minima on all measured samples. Linear fits to the resonant minima (at 660 to 710 nm) versus temperature provide the corresponding thermal expansion coefficient, /spl kappa//sub /spl phi//, of 1.7-1.9/spl times/10/sup -5///spl deg/C. With the optimized 3MS flow rate, the SiC temperature sensor exhibits a temperature accuracy of /spl plusmn/2.8/spl deg/C from 22 to 540/spl deg/C. The short-term SiC sensor stability at 532/spl deg/C for two weeks shows a very small standard deviation of 0.97/spl deg/C.     

对超低浓度甲烷具有高气敏性的自组装型SnO2纳米棒气敏传感器

通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cr-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而研制出了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,发现此传感器对于浓度范围为2～5ppm的甲烷具有非常好的探测灵敏度,继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度低于得拜长度等角度解释了此传感器对甲烷具有高气敏性的原因。     

PECVD‐based nanocrystalline‐silicon TFT backplanes for large‐sized AMOLED displays

Abstract— A 14.1‐in. AMOLED display using nanocrystalline silicon (nc‐Si) TFTs has been developed. Nanocrystalline silicon was deposited using conventional 13.56‐MHz plasma‐enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Detailed thin‐film characterization of nc‐Si films was followed by development of nc‐Si TFTs, which demonstrate a field‐effect mobility of about 0.6–1.0 cm²/V‐sec. The nc‐Si TFTs show no significant shift in threshold voltage when over 700 hours of constant current stress is applied, indicating a stable TFT backplane. The nc‐Si TFTs were successfully integrated into a 14.1‐in. AMOLED display. The display shows no significant current decrease in the driving TFT of the 2T‐1cap circuit because the TFTs are highly stable. In addition to the improved lifetime of AMOLED displays, the development of nc‐Si TFTs using a conventional 13.56‐MHz PECVD system offers considerable cost advantages over other laser and non‐laser polysilicon‐TFT technologies for large‐sized AMOLEDs.     

矿井甲烷检测敏感元件制备的研究

以提高矿井甲烷检测敏感元件（即催化元件）的性能为目的，通过系统研究催化元件制备中的关键工艺条件以及对催化元件性能的影响，得出了许多有意义的实验结果与数据，并由此提出了一种新的制备催化元件的工艺     

透射式光纤甲烷气体传感器的研究

根据甲烷气体的吸收光谱,研究了一种用低廉的LED作光源的新型透射式光纤甲烷气体传感器。选择两同型号LED光源作为差分吸收信号。光源驱动器自动实行交替斩波。讨论了提高甲烷对光吸收系数的方法及途径,给出了甲烷气体浓度的测量结果。     

密度泛函理论和从头计算法研究环戊二烯衍生物气态酸度及其取代基效应

用B3LYP／6-311G(2df,p)／／B3LYP／631 G*和MP2／6-311G(d,p)／／B3LYP／6-31 G*方法准确地预测了9个系列的环戊二烯衍生物(R=CN,CF3,CHO,C283,F,SiH3,H,CH3,OH,NH2)的C-H键的酸度。环戊二烯衍生物气态酸度的范围从284.9 kcal／mol (化合物5a)到357.24kcal／mol(化合物7j),分析取代基的电性、数量以及位置的影响得到了9个QSAR方程。这些数据有助于我们设计以及合成一些有机酸,并有助于深刻理解相关反应中环戊二烯衍生物的性质。     

Pt激活ZnFe2O4片状中空球的制备及其丙酮气敏性能

采用Zn(CH3COO)2·2H2O和Fe(NO3)3·9H2O分别作为水热反应的锌源和铁源制备得到了ZnFe2O4纳米片状中空球。利用硼氢化钠和氯铂酸作为原料在常温下将不同质量分数的Pt混合到ZnFe2O4纳米粉末中。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(SEM)对样品进行了物相分析和形貌观察。分析了不同Pt质量分数的Pt-ZnFe2O4气敏层在不同温度下对丙酮的气敏性能,通过Pt激活的ZnFe2O4纳米粉末较未激活时对丙酮的气敏性能有了显著提高,具有工作温度低、选择性好和湿度稳定性好等优势。     

A program running under MS-DOS for the analysis of epidemiologic stratified or matched data

Breslow and Day's method for computing the conditional likelihood of the logistic model in case of stratified samples requires, at each iteration the generation, for each stratum, of all the permutations of nc elements drawn from a total of nc + nt elements, where nc and nt are respectively the numbers of the cases and of the controls. This procedure rapidly proves costly in time as nc and nt increase, and also when nc and nt differ from one stratum to the next. The use of this technique on microcomputers is therefore limited. Presented here is an algorithm written in FORTRAN, based on a binary representation of the possible permutations, which readily permits the implementation of Breslow and Day's model on a microcomputer.     

基于TDLAS-WMS的近红外痕量CH_4气体传感器

为了对煤矿CH4气体进行实时监测,基于混合可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)与波长调制光谱(WMS)的检测技术,采用中心波长为1.65μm的分布反馈(DFB)激光器,设计并研制出痕量CH4气体传感器。利用自主设计的DFB激光器温度控制器,通过调节激光器工作温度,进而使其发光光谱扫描CH4气体的吸收跃迁谱线。同时利用WMS检测技术将待测信号频率移至高频区,减小1/f噪声。利用该痕量CH4气体传感器,在被测气体体积分数为(0~106)×10-6的范围内,对二次谐波信号进行了提取。测试结果显示:在(0~106)×10-6范围内相对测量误差小于7%,检测下限为11×10-6。同时,研究人员可以通过更换其他波长的激光器,实现对其他气体的检测。     

Eu2+‐doped AlN—SiC solid‐solution phosphors: Synthesis and cathodoluminescence properties

Abstract— Eu and Si co‐doped AlN was reported to be an interesting blue phosphor for field‐emission displays (FEDs). In this paper, SiC instead of Si³N⁴ was used as the Si source. Eu²⁺‐doped AlN—SiC phosphors were prepared by firing the powder mixtures of AlN, SiC, and Eu²O³ at 2050°C for 2 hours under 1‐MPa N². Solid solutions between AlN and SiC were formed in a wide range, promoting the solution of Eu²⁺ in AlN. The phosphors showed intense blue emissions under electron‐beam excitation, indicative of potential phosphors for FEDs.