固态传感器及其应用——第三讲 磁敏传感器及其应用

<正> (一)概述磁敏传感器是一种磁电转换传感器,它的基本原理霍尔效应和磁阻效应早在十九世纪就被发现。目前除了半导体霍尔元件、磁阻元件以及磁敏二极管已商品化外,还有铁磁体金属薄膜磁阻元件和不要电源的韦冈德元件。关于磁敏元件用的材料除S_l、G_e、Ⅲ-Ⅴ族化合     

霍尔开关集成电路在顺序控制器中的应用

<正> 霍尔开关集成电路(简称霍尔电路)是南京半导体器件总厂生产的一种新型的集成化磁敏器件,它是根据半导体硅材料的霍尔效应制成的.作为磁电转换器件的霍尔电路由霍尔元件、差分放大器、施密特触发器和输出器四部分组成,共原理方框图和输出特性曲线如图1所示.霍尔电路主要应用于无触点开关、位置传感、旋转传感和自动检测等方面.     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

InSb磁敏传感器及其应用（上）

ＩｎＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率。因此，它不但适合制作霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了ＩｎＳｂ材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。     

半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第七讲 磁敏晶体管传感器（一）

磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高百倍左右)、使用简单等优点,故作为磁传感器可用来检测磁场、电流、位移、液位、加速度、角度等参数,也可以用其构成无刷直流电机和各种非接触开关等。一、磁敏二极管磁敏二极管简称MD,目前可分为磁性整流器(CMD)和磁敏二极管(XMD)等。由于CMD的灵敏度     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第四讲 磁敏电阻传感器(一)

一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974～1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场     

强磁性金属薄膜磁敏电阻的特点与应用

一、前言强磁性金属薄膜磁敏电阻是一种磁敏传感元件.该元件不仅对磁场强度敏感,而且对磁场方向也非常敏感.这种磁敏传感元件具有灵敏度高、温度特性好、坚固耐用、应用范围广等优点.强磁性金属薄膜磁敏电阻,在国际上还是70年代中期刚刚问世的     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第八讲 磁敏晶体管传感器（二）

二、磁敏三极管磁敏三极管是继磁敏二极管后出现的一种新型的三端结型元件。它分为PNP型和NPN型两种。所用符号同晶体三极管只在旁边加一磁场符号×以示磁敏三极管。目前国内已有这种器件的生产,其中3CCM型硅磁敏三极管的主要参数见表3。3BCM型锗磁敏三极管的主要参数见表4,把两只3CCM型磁敏三极     

InSb磁敏电阻器的开发

<正> InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。     

三维磁敏传感器的设计及误差分析

采用三维磁敏传感器有助于降低磁场测量系统的复杂性和提高磁场测量速度.介绍了基于霍尔元件的三维磁敏传感器的设计方法,分析了霍尔元件的粘贴角度偏差、传感器的体积对测量精度的影响,并对传感器的总体误差进行了估算,其分析结果对三维集成磁敏传感器的设计具有指导意义.     

三漏CMOS磁敏器件

采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件.     

InSb磁阻元件与传感器的进展

InSb磁敏电阻及传感器是磁敏元件与传感器的主要品种之一。对这类元件及传感器的工作原理、结构和性能等分别作了简要介绍。其中有分立型磁敏元件,磁敏无接触电位器、旋转传感器、精密小角度角位移传感器、直线位移传感器、压力传感器和图形识别传感器等。除介绍主要技术性能之外,还简要介绍了它们的应用实例。     

低成本的高分辨率磁编码器的研制

高分辨率磁敏电阻式编码器的研制综合了功能材料制备,薄膜技术应用,半导体加工悄磁磁鼓的制备,现代电子技术和传感器设计等多种高新技术。磁敏电阻是对磁通量变化灵敏度非常高的敏感元件,本文讨论了具有磁敏电阻传感器元件和多极磁化磁鼓结构２的讷经增量型磁偏码顺器的研制过程。     

薄膜磁阻齿轮传感器

齿轮传感器是Ni-Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介绍采用Ni-Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。     

“磁传感器及其应用技术”讲座 第五讲 磁敏电阻传感器(二)

上一讲介绍了半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻的结构、工作原理和特性。本讲将着重介绍这两种器件组成的各类磁传感器的具体应用。一、位移测量 1.半导体磁敏电阻构成的位移传感器利用磁场外磁敏电阻的相对位移所引起磁敏电阻值的变化可精确地检测位移。图1所示的磁变阻器是由磁钢和半导体磁敏电阻构成的一种结构简单的位移传感器。图中所用的半导体磁敏电阻具有带狭缝的匚型结构。并将其固定,磁钢采用等强度的均匀磁钢,当磁钢如图向右移动X时,由于半导体磁敏电阻感受到感应强度增大,其阻值也会相应的增加。此种磁变阻器具有位移传感器的特性,即R(X)/R(l)和X=b/l的关系如图1所示。这     

霍尔开关集成电路在温度控制仪中的应用

霍尔集成电路是用半导体硅材料的霍尔效应制成的,能将磁信息转换成电信号,在日益发展的自动控制领域里霍尔集成电路的应用有其广阔前景。霍尔集成电路对其所检测的磁信息是一种直接变换,它可检测磁场的有、无和大小,而对非磁性质的信息来说可采用间接变换方式来达到磁信息的转换。     

半导体敏感器件产品介绍及应用技术讲座将在南京市举办

<正> 电子敏感器件是一种新型的功能转换器件,它能将光、热、力、磁、超声、气氛等物理,化学和生物反映的信息量转换成电或其它信息,在工农业生产,能源和资源开发,交通运输,计算机接口,自动控制,检测,医疗环保,气象和灾害预测,民用电器等方面有广泛用途。为了推广目前国内研制、生产的光敏、力敏、气敏、磁敏及霍尔集成电路等半导体敏感器件,更好地与使     

磁电阻传感元件的性能及应用

<正> 磁电阻传感元件是利用磁性材料的磁电阻效应,采用半导体工艺制成,还可进一步和半导体电路集成在一块芯片上,做成专用性器件。由于它是强磁性合金材料制成,物理化学性能稳定,具有长寿命、高可靠、高灵敏度、温度系数小、范围宽、线性度好等特点。同时,     

高清晰度三轴管道内检测器漏磁数据采集系统

针对传统管道内检测器清晰度不高的缺点,介绍了一种高清晰度三轴管道漏磁数据采集系统。根据三轴漏磁检测的原理,系统使用了大量霍尔传感器作为数据采集元件,分别在检测器漏磁进行探测舱外围圆周各点处的3个方向上放置传感器,以达到高清晰度的采集要求,漏磁电压信号经单片机进行A/D转换后,所得数据由FPGA与PC—104接收存储到固态硬盘。经实验验证,该系统提高了检测清晰度,检测平均误差不超过10%,证明该系统设计方案切实可行。