粉体制备工艺对MgO-PSZ热膨胀特性的影响

采用热膨胀仪研究了实验室制得的MgO-PSZ陶瓷的热膨胀特性.以直接共沉淀复合掺人CeO2、Y2O2和CaO的MgO-PSZ经一定条件热处理后,在550～950℃低温范围发生了单斜相→四方相相变.这一低温相变降低了MgO-PSZ的热膨胀系数,伴随相变产生的体积收缩与试样受热时的体积膨胀发生抵消,使试样表现出零膨胀特性,从而改善了材料的抗热震性.     

杂质及掺杂工艺对纳米BaTiO3( 湿敏性能的影响

纳米材料粒径小,比表面积大,呈现出许多不同于一般块状固体材料的性质.BaTiO_3陶瓷是良好的热敏电阻材料及铁电材料,但是其感湿性能却较弱,电阻非常高,不能做成实用化湿敏元件.将BaTiO_3制成纳米量级时,它出现了明显的感湿现象.纳米BaTiO_3电     

多孔夹层对氧化锆叠层陶瓷抗热震性能的影

摘要：本论文针对新型多层片式氧传感器,研究了在多层钇稳定氧化锆（YSZ）固体电解质的层间,添加多孔YSZ陶瓷后对多层YSZ固体电解质抗热震性能的影响。论文采用流延制膜、等静压成型、程序控制烧结的方法,制备了含多孔夹层的YSZ多层陶瓷试样。通过水冷强度法,获得试样的平均热震残余强度来评价试样的抗热震性能。结果表明,多孔夹层的存在,有利于提高多层YSZ固体电解质的抗热震性能,10%的淀粉造孔可使层状陶瓷的临界热震温差由原来的250℃提高到450℃。电镜分析表明,多孔夹层中的孔洞可捕捉热震时热应力引起的裂纹,抑制裂纹的无偏转生长,减弱多层陶瓷的热震后脆裂。夹层中细密的孔洞比稀疏的大孔更有利于材料的抗热震性能。     

金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点.本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理;总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物,并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析.     

温湿度对SnO2基CO气体传感器敏感特性的影响

采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2粉体及Pd掺杂浓度比分别为0.2 mol%、2 mol%1、0 mol%的三种掺杂粉体。以制得的粉体作为敏感材料,制成陶瓷微热板式CO气体传感器。在自行搭建的气体测试平台上,测试了各传感器在不同环境温湿度条件下对CO的响应,研究了Pd掺杂浓度对传感器湿度稳定性的影响,探讨了湿度影响传感器灵敏度的机理。实验结果表明:0.2 mol%Pd掺杂器件在不同湿度条件下灵敏度离散度由掺杂前的20.5%降低至8.63%,有效提高了传感器的湿度稳定性。10 mol%Pd掺杂器件在湿度大于50%相对湿度时,对20×10-6 CO出现反常响应,在还原气体CO出现时气敏膜电导减小。     

金属氧化物掺杂对TiO2气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可显著提高TiO2的气敏这一特性，正逐渐成为研究的热点。本文综述了掺杂金属氧化物对TiO2气敏特性的主要影响及机理；总结了目前研究中所掺杂的十多种金属氧化物，并就各种掺杂物对TiO2气敏特性的作用进行了具体分析。     

掺杂对WO_3基气敏元件敏感特性的影响

在WO3粉体材料中加入质量分数为4%的瓷粉和不同质量分数的金属氧化物(SnO2,SiO2,Al2O3),以恒温600℃烧结1 h制成旁热式厚膜可燃性气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系。实验结果表明:WO3基元件掺入一定量的金属氧化物在加热功率为600mW时能提高元件的灵敏度。     

CeO2掺杂对ZnO薄膜气敏特性的影响

ZnO薄膜进行CeO2掺杂,研究掺杂含量和热氧化对薄膜结构、表面、晶粒尺寸及气敏特性的影响.结果显示,用热蒸发制备的高纯Zn膜经500℃热氧化,获得c轴取向ZnO多晶薄膜.掺CeO2可抑制晶粒生长使颗粒细化平均粒径减小,同时改善了ZnO薄膜的体相化学计量比,Zn与O的比例从未掺杂时1∶1.28降到1∶1.191.XPS...     

掺杂对纳米SnO2晶化及阻温特性的影响

研究了纯SnO_2及掺入5%at的Cu~( 2),Y~( 3),Si~( 4)的SnO_2纳米微粉晶粒尺寸随温度的变化情况:600℃以前晶粒生长缓慢;600℃以后晶粒长大迅速.掺入Y~( 3),Si~( 4)可有效地抑制晶粒的长大,900℃退火2h晶粒尺寸仍小于30nm.晶粒尺寸下降可使电导温度峰往低温移动,当晶粒尺寸小于5nm时,电导峰出现在170℃附近,而掺杂可使电导温度峰展宽成平台.掺Si的纳米SnO_2,材料在200℃时对乙醇有较高的灵敏度和动态响应.