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在电容式RF MEMS开关的动态工作过程中,会有电磁波产生.根据开关膜桥的动态运动模型,把开关工作分成了四个过程,并通过麦克斯韦方程建立了各个过程中产生的电磁波模型,最后通过单元面叠加的方法验证了这一模型.在开关电容充电和膜桥下拉过程中,开关都是产生了电磁波脉冲.尤其是在充电阶段,电磁波峰值为105 A/m的量级,持续时间为3.15×10-8μs.而在开关电容放电过程中,产生的电磁波是时谐波,其频率为23.4 GHz(落在RF信号的频率范围内了).这就提醒了设计者们要增加特殊的滤波电路来过滤掉RF信号中噪声.此外,辐射的电磁波同样对开关周围的电路和器件有影响,这需要进一步的研究. 相似文献
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介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3~5GHz频段的应用。 相似文献
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新颖的可增强功率处理能力的X-波段RF MEMS开关 总被引：1，自引：1，他引：0
介绍了一种可用于射频系统中的微电子机械开关,通过新颖的三层板结构解决了高功率带来的自执行和自锁效应,并且消除了传统三层板结构引入的应力.采用阻抗匹配的方法提高开关结构的射频性能.利用CoventorWare软件模拟了开关结构的机电特性,利用HFSS软件匹配了开关结构并且模拟了射频性能.开关结构的吸合(pull-in)电压模拟结果为26V.在整个X波段,开关“开“态时的回波损耗低于-28dB,插入损耗小于0.25dB;“关“态时的隔离度大于28dB. 相似文献
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聚酰亚胺树脂(PI)因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气氛中有较强的抗蚀性等性质,在电容RF MEMS开关的制作过程中,应用它作为刻蚀保护层和牺牲层,不但可以使工艺过程得到简化,而且可以对开关的介质层尺寸、牺牲层厚度等图形参数起到很好的控制作用. 相似文献
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宽带直接接触式RF MEMS开关 总被引：2，自引：0，他引：2
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。 相似文献
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介绍了一种车用单刀双掷开关质量检测仪器的研发,包括检测系统的硬件设计、检测原理以及算法软件开发;首先,根据单刀双掷开关的工作原理及质量检测要求,开发了检测手指触觉压力的机械装置,以及控制开关通道切换的继电器控制电路;在此基础上,开发了相应的检测算法,可实现对开关切换状态、电压差以及手指触觉压力进行自动化的数据采集、分析、检测和判断,从而挑选出合格的开关;最后,设计了触屏人机交互界面,可实时显示产品检测的参数;该检测设备在某自动化生产线上经过近一年时间的检测验证,证明系统运行平稳,检测效果良好、误检率低,可以完全取代传统的人工检测方式,提高了开关的检测效率,降低了检测人员的工作量。 相似文献
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The design, modeling, and optimization of a novel, thermally actuated CMOS‐MEMS switch are presented in this article. This series capacitive MEMS switch solves the substrate loss and down‐state capacitance degradation problems commonly plaguing MEMS switches. The switch uses finger structure for capacitive coupling. The vertical bending characteristic of bimorph cantilever beams under different temperatures is utilized to turn the switch on and off. A set of electrical, mechanical, and thermal models is established, and cross‐domain electro‐thermo‐mechanical simulations are performed to optimize the design parameters of the switch. The fabrication of the switch is completely CMOS‐process compatible. The design is fabricated using the AMI 0.6 μm CMOS process and a maskless reactive‐ion etching process. The measured results show the insertion loss and isolation are 1.67 and 33 dB, respectively, at 5.4 GHz, and 0.36 and 23 dB at 10 GHz. The actuation voltage is 25 V and the power consumption is 480 mW. This switch has a vast number of applications in the RF/microwave field, such as configurable voltage control oscillators, filters, and configurable matching networks. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2009. 相似文献
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Ramesh Ramadoss Simone Lee Y. C. Lee Victor M. Bright K. C. Gupta 《国际射频与微波计算机辅助工程杂志》2007,17(4):387-397
In this article, an RF MEMS capacitive series switch fabricated using printed circuit processing techniques is discussed. Design, modeling, fabrication, and characterization of the CPW series switch are presented. An example CPW series capacitive switch with insertion loss less than 0.5 dB in the frequency range of 13–18 GHz and isolation better than 10 dB up to 18 GHz is discussed. The switch provides a minimum insertion loss of about 0.1 dB at the self‐resonance frequency of 16 GHz and a maximum isolation of about 42 dB at 1 GHz. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2007. 相似文献
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