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相似文献
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1.
引言 C8051Fxxx系列高速SoC单片机是由美国Cygnal公司开发的完全集成的混合信号系统级芯片,具有与8051兼容的微处理器内核。C8051Fxxx单片机有大容量的Flash存储器,用于存储程序代码和非易失性数据,可在应用编程。以C8051F120为例,C8051F120x和C8051F13x系列MCU内部有128KB(C8051F12x和C8051F130/1)或64KB(C8051F132/3)的在应用可编程Flash存储器,用于程序代码和非易失性数据存储;另外还有256字节的Flash页,可以用于数据存储。可以通过JTAG接口对Flash存储器进行在应用编程,或由应用软件使用MOVX指令编程。  相似文献   

2.
何威  周克  张超 《工业控制计算机》2013,26(1):93-94,96
设计了基于MCS-51单片机的大容量(超64KB)数据存储器的扩展方案,采用具有19根地址线的大容量Flash芯片F29C51004作为扩展存储体。将数据线和地址线合并使用,对F29C51004进行分页访问,解决了单片机存储单元及端口不足的问题,释放了I/O口。文中以扩展8MB的数据存储器为例,给出了单片机扩展板的硬件电路和软件程序。  相似文献   

3.
介绍了Silicon Laboratories公司出品的具有128KB Flash单片机C8051 F12x通过其串行口实现BootLoader ISP/lAP功能的方法,该方法克服了目前一般ISP/IAP技术只能适用于64KB及以下Flash容量的限制.实际应用表明其原理正确,工作稳定可靠,并已在开发的产品中广泛应用,提高了产品现场固件升级服务的便捷性,产生了较好的经济效益.  相似文献   

4.
SST89E516RD存储空间的组织与IAP实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
一、概述SST89E516RD单片机与市场中常见的Flash型MCS-51单片机管脚兼容,而且使用相同的指令集。芯片内部集成了一主一次两个程序存储器模块。这2块存储块采用小扇区结构(每个扇区仅有128个字节)设计,因此这2个程序存储模块都非常容易转作非易失性数据存储器用。由于SST89E516RD内  相似文献   

5.
新型超大容量Flash存储器K9F2G08U0M的基本组织结构,给出了存储器与C8051F020单片机外部存储器接口(EMIF)的硬件连接方式以及存储器的主要操作流程和部分C语言代码。  相似文献   

6.
针对Cygnal公司的C8051F020单片机内部数据存储器容量不足的问题,采用一种NAND闪速存储器K9F2808UOC为C8051F020单片机扩展大容量数据存储器的设计方案,从C8051F020单片机内部结构和K9F2808UOC的外部引脚功能出发,设计了C8051F020与K9F2808UOC的硬件接口电路和擦除、写、读程序的编写方法及流程图,实现了大容量的外部数据扩展。  相似文献   

7.
基于SD2300的定时采集存储系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
以海流计的采集存储接口电路为例,介绍一种基于高性能单片机C8051F021、实时时钟SD2300和Flash存储器K9G8G08的数据定时采集存储系统的工作原理及其软硬件设计方法。实验结果表明,该系统具有定时精确、存储容量大、结构简单、操作方便、工作稳定可靠等特点。  相似文献   

8.
文章介绍了用C8051F120单片机和MCX314as组成运动控制器的方案.该方案应用存储器扩展的方法为运动控制芯片MCX314as和液晶显示模块MT22G06B的内部寄存器分配地址空间.从而实现C8051F120单片机对运动控制芯片和液晶模块的控制作用.文章还给出了MCX314和MT22G06B的驱动程序架构.  相似文献   

9.
随机静态存储器HM628128及应用   总被引:3,自引:2,他引:1  
HM628128系列随机静态存储器是日本日立公司的新产品,其容量是128K×8bit。本文介绍HM628128系列存储器的性能特点及应用。它非常适用于数据存储容量要求大于64KB、用后备电池保存存储信息的单片机应用系统中。  相似文献   

10.
Silicon Laboratories 公司的C8051F12X是与8051兼容,采用高速流水线工作方式,70%指令的执行时间为1个或2个系统时钟周期的高速集成混合信号SoC微控制器.片内调试电路提供全速、非侵入式的在片/在系统调试,支持断点、单步、观察点、堆栈监视器,可以观察/修改存储器和寄存器;使用内部集成PLL,时速度可达100 MIPS或50 MIPS;对于需要大量常量代码而又不想外扩ROM的系统设计,128 KB的Flash是个很好的选择.  相似文献   

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