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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
王雄  吴学忠 《传感技术学报》2006,19(5):1434-1436,1440
简单介绍了PVD溅射系统和溅射原理.实验分析了PVD溅射技术在微晶玻璃基片溅射沉积Cu膜时,沉积速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律.给出了用PVD溅射技术沉积的Cu膜的表面形貌(AFM)图和显微镜照片.  相似文献   

2.
磁控溅射法在Si(111)基底上制备了纳米Al薄膜,用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形维计算,并用四点探针法测量了薄膜电阻.结果表明,随着溅射时间的延长,薄膜表面质量提高,分形维增大,电阻率也随着分形维的增大而增大;随着退火温度的上升,薄膜表面质量下降,分形维和电阻率也随之降低.因此认为,分形维能够较好的表征薄膜表面形貌,分形维与薄膜电阻率存在对应关系,并指出用分形维可以优化溅射工艺参数.  相似文献   

3.
溅射工艺是制作微机电系统(MEMS)器件金属薄膜的主要方式,金属薄膜作为MEMS器件中的掩模层和功能层,要求薄膜应力小,粘附性、均匀性和可焊性好.通过对常用金属薄膜材料特性、多层金属薄膜溅射工艺和质量评价方法的研究得出了优化工艺的的方法,提高了多层金属薄膜的质量.  相似文献   

4.
研究了减小CIGS太阳能电池中Mo,CIGS,n-ZnO三层薄膜电阻率的溅射工艺方法,以达到减小电池串联电阻的目的.改变工艺参数制备不同样品并对其进行测试分析,得到了溅射气压、村底温度、退火工艺对电阻率和薄膜微观形貌的影响.证明了采用双层溅射法制备的Mo、低气压、衬底加热、溅射后退火得到的CIGS以及3~5 Pa下制备...  相似文献   

5.
利用离子束溅射镀膜技术,在17-4PH不锈钢弹性衬底上直接溅射SiO2绝缘膜和NiCr薄膜,制备了一种新型的压力传感器用合金薄膜.分析了热处理工艺对合金薄膜电阻稳定性的影响,对NiCr薄膜电阻进行了4种热处理工艺,获得了使合金薄膜电阻长期稳定的热处理工艺参数:在SiOx和N2的保护下,673K退火1h,并在473K下保温24h.用该工艺能制备适应各种恶劣环境的高精度压力传感器.  相似文献   

6.
金属薄膜加热器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用射频溅射方法制备了Cr和Ni-Cr(Ni:80%,Cr:20%)金属薄膜,探讨了热处理温度和时间对Cr薄膜电阻温度系数和电阻率的影响.在一定直流电压条件下,Ni-Cr和Cr薄膜微型加热器的加热温度可达到100℃,且升温速率皆大于0.50C/s.通过测量微加热器的电阻温度曲线,表明所制备的金属薄膜式微型加热器具有较好的稳定性和重复性,能够满足PCR生物芯片和硅基热分布式微流量传感器的要求.  相似文献   

7.
实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器.铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备,SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌,表明薄膜容易开裂;能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着性差.通过溅射工艺参数及增加热处理等工艺初步解决了以上存在的薄膜制备工艺与IC工艺之间的兼容性问题.采用标准硅基IC工艺设计和制备了这种新型结构的薄膜变压器,对一组薄膜变压器样品的实验参数在20~210 MHz的频率范围内作了测试.测试结果表明:对于设计的匝数比为1的薄膜变压器,在90~210 MHz的频率范围内能获得最高为79%的变压比和良好的波形传输能力.  相似文献   

8.
粉末溅射有制靶简单、掺杂容易的特点,并有掺杂稳定的优点.利用反溅,发展了粉末溅射,制备了酒敏微型平面薄膜.对薄膜的相关特性进行了研究,给出了薄膜最佳掺杂范围、最佳灵敏度的膜厚以及响应时间与恢复时间随膜厚变化的规律,总结了最优参数.又测试了器件性能,通过实验对影响灵敏度测试的条件如测试电压和湿度影响灵敏度的规律进行了分析和讨论.结论认为,所研制的粉末溅射微型薄膜酒敏器件性能可靠、灵敏度高、稳定性好.  相似文献   

9.
在现有的粉末烧结型SnO2基气敏传感器基础上研制了薄膜型SnO2基气体传感器,以抛光的丽热石英玻璃为基片,真空磁控溅射50~70nm厚度的SnO2薄膜,在SnO2薄膜上分别溅射不连续的ZnO、Al2O3、CeO2、InO2等薄膜,传感器背面溅射30μm的Ni80Cr20电阳合金作为传感器加热电阻,用薄膜热电偶测量传感器工作温度。测试了不同的复合瞑对传感器灵敏度和选择性的影响,并对传感器的吸附与解吸速度进行了测试,薄嗅传感器达到相同灵敏度所需的工作温度比粉末烧结型传感器下降100~150℃,吸附解吸速度比粉末烧结型快。  相似文献   

10.
MEMS应用中的的TiN薄膜工艺研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
杨梅  舒琼  陈兢 《传感技术学报》2006,19(5):1448-1450,1454
运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备,通过改变关键工艺参数,如氩气氮气比、气体压力等,研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响.论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响,可以实现薄膜低温退火.论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况,得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性,并得到干法和湿法刻蚀速率.为TiN材料的MEMS应用打下了基础.  相似文献   

11.
高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文主要介绍采用磁控溅射制备 Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果.  相似文献   

12.
射频溅射Sn薄膜的工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用正交试验方法研究了射频溅射的工艺因素对Sn膜形成过程的影响,得到了射频溅射制备Sn膜新工艺的最佳条件。X-射线衍射及SEM实验结果表明在该工艺条件下得到的Sn膜为非常细小均匀的β-Sn的晶体结构。  相似文献   

13.
采用射频磁控溅射镀膜技术在P型Si(100)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜.实验结果表明,射频溅射功率对Ni-Mn-Ga薄膜成分与形貌有显著地影响.Ni含量随溅射功率的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.薄膜的价电子浓度(e/a)变化较小.参考英国国家物理实验室数据中有...  相似文献   

14.
Abstract— A high‐rate sputtering‐deposition process for MgO thin films for PDP fabrication was recently developed. The deposition rate of the MgO thin film was about 300 nm/min which shows the possibility of production‐line application. The MgO film deposited in this work has a higher density than that of other deposition processes such as electron‐beam deposition and shows good discharge characteristics including firing voltage and discharge formation. These were achieved by controlling the stoichiometry and/or the impurity doping during the sputtering process.  相似文献   

15.
XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.  相似文献   

16.
The effect of thin film morphology, carbon monoxide (CO) and resistor geometry on the response of hydrogen sensitive thin film palladium resistors has been investigated. Films with two different morphologies were fabricated by DC magnetron sputtering under different gas pressures. Palladium thin film morphology was found to strongly influence sensor response in terms of hydrogen sensitivity and rate of response. In dense columnar Pd films, CO dramatically increases the time-lag in sensor response to H2 in H2/CO mixtures. However, the steady state value of the response remains unchanged. Films with a void filled columnar morphology exhibited shorter time-lag in response to H2 in presence of CO.  相似文献   

17.
基于电子印刷工艺的薄膜热电偶研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
薄膜热电偶由于具有体积小、热容量小及响应速度快等优点成为近年来学者们研究的重点。薄膜制备常用的方法有射频溅射法、离子镀膜法以及直流脉冲磁控溅射法等,但这些方法操作设备复杂,制作时间长,效率低,成功率低且复现性差。用电子印刷工艺制备薄膜热电偶,将Au,Pt的溶液化微纳米材料印制在基板上,印刷成为Au-Pt薄膜热电偶,该方法操作方便快捷,对电极材料污染小。通过试验证明:采用电子印刷工艺制备的Au-Pt薄膜热电偶符合Au-Pt热电偶检定规程的要求,热电偶精度高,重复性和一致性好。  相似文献   

18.
A new fabrication process for nanoscale tungsten tip arrays was developed for scanning probe microscopy-based devices. It is suitable to make a huge array on a device chip and is potentially compatible with CMOS technology. In this study, tungsten was selected as a tip material because of its hardness and conductivity. The newly developed fabrication process mainly consists of several important techniques: a combination of optical lithography and electron beam (EB) lithography to reduce the total exposure time with high resolution and chromium/tungsten/chromium (Cr/W/Cr) sandwich deposition and etching in which the first chromium layer is used as a mask and a second one is used as an etch stop. A periodic array of dots in an EB resist with a spot diameter of less than 50 nm was obtained by a combination of optical lithography and EB lithography with a positive resist (polymethylmethacrylate) in which all processing conditions were optimized carefully. A thin and uniform chromium film, deposited by ion-beam sputtering, allowed the use of thin polymethylmethacrylate (PMMA) film which led to the high resolution. The conditions of dc magnetron sputtering were also optimized in order to deposit a densely packed and low-resistivity film. The resulting tungsten tip arrays had a cylindrical shape with diameters of less than 60 nm and heights of 300 nm  相似文献   

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