混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

给出了混合电压I／O电路坚固的ESD保护结构，它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成，这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成，为了确保硅化物件指状良的一致性，增加了栅电压电路，研究电路的设计规划以避免产生寄生的击穿路径。     

衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究

衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别.将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μm CMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的.     

一种能够提高驱动能力和ESD保护能力的亚微米CMOS输出晶体管的新设计方法

本文给出了一种新的输出驱动器的设计方法，利用这种方法可以有效地减少CMOS输出驱动器的面积、同时提高驱动能力和ESD可靠性，输出驱动器是由许多电路单元组成的，电路单元有正方形、六边形和八边形三种形状。利用这种新的设计风格制成的输出晶体管结构更加对称，在ESD过程中触发更一致。理论计算和实验证明，在非硅化物CMOS工艺中，在小的设计面积内，利用新的设计方法研制成的CMOS输出缓冲器的输出驱动能力更高，ESD保护能力更强，有许多电路单元组成的输出晶体管和传统的指状设计相比，栅电阻更低，漏电容更小。     

一种集成于I/O的段码式LCD驱动IP核设计

设计了一种集成于模拟/数字I/O的段码式LCD（Liquid Crystal Display）驱动IP核。针对0.18μm工艺库中的标准I/O单元无法直接驱动段码式LCD,通过设计集成于I/O单元上的通用IP核（Intellectual Property Core）,使该工艺下的I/O单元可直接驱动段码式LCD,提高了集成度。该设计采用0.18μm工艺,实现数字电路控制选择0 V、1.1 V、2.2 V及3.3 V输出,同时后端流程可不涉及模拟布线。流片后的测试结果表明,该IP核可正常驱动段码式LCD显示,版图面积为265.5μm2。     

一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计

设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压CMOS工艺，可耐受高达12V的供电电压输入。该模块可用于高度集成的电源管理芯片，使之能适用于多种电源，并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响。     

高速CMOS八位总线驱动器（L82C82／83）的工艺研究

介绍了2／2.5μm硅栅CMOS高速八位总线驱动器（L82C82／83）的工艺技术，特别是工艺设计和工艺控制；讨论了关键工艺的控制条件、方法及试验结果。     

亚微米技术探讨

本文首先叙述0．5μmCMOSIC技术，然后探讨了利用室温液相氧化淀积实现的全对称7块掩模CMOS工艺及0．25～0．1μmCMOS工艺技术。     

一款低功耗的高速CMOS LVDS信号接收器

针对高速数据传输的需要,设计一款低功耗的高速C MOS LVDS(低电压差分信号)接收器。接收器采用S MIC 0.13μm CMOS工艺,应用工艺中提供的厚栅氧化器件(3.3 V器件)和薄栅氧化器件(1.2 V器件)两种器件,使其满足输入L VDS信号的共模电压范围为0.05 V~2.4 V、差模电压范围为100 m V~400 m V的情况下工作,完全符合L VDS接口标准的要求。所设计芯片具有功耗低、传输速度快、成本低等优点。     

聚硫堇和磁性核／壳纳米粒子CoFe2O4／SiO2修饰电极对多巴胺的测定

制备了聚硫堇（PTh）-磁性核,壳纳米粒子CoFe2O4／SiO2修饰电极。研究了神经递质多巴胺（DA）在该修饰电极上的电化学行为。实验表明,PTh—CoFe2O4／SiO2复合膜修饰电极对DA的电催化作用优于PTh修饰电极。在pH7．5的PBS中,DA在该修饰电极上的CV曲线于-0．16V和-0．22V处出现一对灵敏的氧化还原峰,峰电流显著增加。差分脉冲伏安法（DPV）氧化峰电流ips与DA浓度在1．2×10^-7-3．6×10^-5mol／L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程ips（μA）=5．307c（μmol／L）＋0．7891,r=0．9923,检出限为6．0×10^-8mol／L（S／N=3）。常见物质对DA的检测无干扰,DA注射液样品检测结果与中国药典2010版（二部）规定方法一致。     

基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计

分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用：（1）隔离高压（2）传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。     

双加压法硝酸ESD系统研究

介绍了双加压法硝酸装置的工艺流程,针对其安全联锁保护采用传统DCS控制的缺陷,提出了采用基于PLC的紧急停车系统（ESD）进行安全连锁保护的方案,并介绍了基于西门子PLC的ESD的系统配置、联锁逻辑的研究及WinCC与PLC的以太网通信。     

ESD系统在催化裂化装置中的应用

介绍了 ESD系统在催化裂化中硬件组成及软件的设计,从系统安全性出发,对装置中重要信号采用了`三重化'和`双重化'设计,一般非关键信号采用单重化多路 I/O矩阵模块,从而保证了系统安全、可靠、实用.     

ESD系统的防雷设计

随着紧急停车系统（ESD）在工业中的应用日趋增多,它遭受雷击干扰和破坏的程度也逐渐上升。为了提高ESD系统的安全性,ESD系统的防雷成为设计重点。介绍了防雷接地在ESD系统中的设计构成及其重要性。     

人体静电放电(ESD)及保护电路的设计

随着集成电路及电子设备的广泛应用,人体静电放电的危害性日益引起人们的重视。首先介绍人体静电放电模型及测试方法,然后阐述几种新型集成化静电放电保护器件的原理与应用。     

苯乙烯装置ESD系统改造及问题浅析

主要介绍HIMA H51q-HRS系统的工作原理及苯乙烯装置ESD系统配置应用情况,着重对ESD系统的改造进行说明及讨论了在调试过程中出现的主要问题和解决方法。     

组态软件在冗余控制中的应用

文章讲述了ESD（Exigency Shut Down紧急停车）系统的实际应用,论述了紧急联锁系统的硬件和软件冗余实现方法,具有实用性和可扩展性.     

NMOSESD保护器件直流仿真模型设计

本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究.并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型.该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻.提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法.仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性.     

Tricon ESD系统在乌石化蜡催机组的应用

文章介绍了ESD系统改造的具体设计和实现及改造后取得的效果。     

H51q安全控制系统软件安全策略分析

分析了H51q安全控制系统软件安全策略，并介绍了该系统的软件和硬件。