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浸渍-涂布法制备In2O3薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
以InCl3@4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜.同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系.膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62.XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除.SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础. 相似文献
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本文报道了用溶胶-凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能,研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力,胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明,在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶,而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解-凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响,随Ce/Ti比增大,浸涂液的成膜能力变坏,而薄膜的紫外吸收增大。 相似文献
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采用Sol-gel工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶La1-xSrxFeO3(x=0 ̄0.4)系列薄膜,薄灰钙矿结构,平均粒度在30nm左右。XPS结果表明,随着Sr含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。 相似文献
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利用无机盐制备γ-Al2O3粉体与薄膜的工艺技术研究 总被引:12,自引:1,他引:12
发明了γ-A12O3基陶瓷气敏传感器材料体系,并正研究其薄膜型传感器件.本文以廉价的无机盐Al(NO3)3·9H2O为原料,通过溶胶-凝胶法制备了勃姆石(γ-A1OOH)溶胶,然后经干燥、煅烧制备了γ-Al2O3的粉体,并通过旋转涂覆工艺制备了γ-A12O3的薄膜,应用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等现代分析技术对粉体的物相和薄膜的组分及表面形貌进行了表征,对γ-A1OOH溶胶制备过程中的一些影响因素进行了探讨,得出了比较好的制备γ-Al2O3基陶瓷粉体和薄膜型气敏传感器的工艺技术条件. 相似文献
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用低压金属有机化合物化学气相沉积 (MOCVD法 ),以四异丙纯钛 (TTIP)为源物质,高纯氮气作为载气,氧气为反应气体,制备出了 TiO2薄膜。分析出了沉积温度、氧气流量等因素对沉积速率的影响。发现在不同反应条件下 TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制,为制备优质 TiO2薄膜提供了依据。 相似文献
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用直接酯化缩聚法合成了共聚醚酯,又用熔融和溶解丙种方法成膜制备了共聚醚酯-无机盐复合物,并测定了它们的体积电阻率。结果表明,含有聚乙二醇柔性链段,同时添加第三单体的共聚醚酯和无机盐的复合物,具有较低的玻璃化温度,从而体积电阻率较低。 相似文献