Sol-Gel法制备低阻In2 O3薄膜

采用sol-gel法制备In2O3薄膜材料，研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响；分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析，确定了其结构和组成，并用此薄膜材料制作了直热式气敏元件，发现它对乙醇、丁烷气体具有较高的灵敏度。     

溶胶—凝胶法制备MoO3陶瓷薄膜

以钼酸铵为原料，乙二醇为溶剂，用溶胶－凝胶法制备ＭｏＯ３薄膜，通过对干凝胶粉做ＤＴＡ和ＴＧ分析，用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析胶膜，热处理后氧化物膜多次重复浸涂热处理薄膜的显微结构和晶相组成，研究了氧化物薄膜的形成过程，重复４次浸涂热处理可得到的约２μｍ厚连续臻密的，主晶相为择优取向的斜方ＭｏＯ３薄膜。     

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0．2）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（100）择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2（摩尔比）的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。     

浸渍-涂布法制备In2O3薄膜

以InCl3@4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜.同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系.膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62.XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除.SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础.     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能，研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力，胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响，随Ce/Ti比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。     

纳米晶La1—xSrxFeO3薄膜的制备及表征

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３（ｘ＝０￣０．４）系列薄膜，薄灰钙矿结构，平均粒度在３０ｎｍ左右。ＸＰＳ结果表明，随着Ｓｒ含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。     

利用无机盐制备γ-Al2O3粉体与薄膜的工艺技术研究

发明了γ-A12O3基陶瓷气敏传感器材料体系,并正研究其薄膜型传感器件.本文以廉价的无机盐Al(NO3)3·9H2O为原料,通过溶胶-凝胶法制备了勃姆石(γ-A1OOH)溶胶,然后经干燥、煅烧制备了γ-Al2O3的粉体,并通过旋转涂覆工艺制备了γ-A12O3的薄膜,应用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等现代分析技术对粉体的物相和薄膜的组分及表面形貌进行了表征,对γ-A1OOH溶胶制备过程中的一些影响因素进行了探讨,得出了比较好的制备γ-Al2O3基陶瓷粉体和薄膜型气敏传感器的工艺技术条件.     

溶胶—凝胶法制备BaTiO3系薄膜

本文介绍了溶胶－凝胶法制备钛酸钡系薄膜。     

超声波对溶胶-凝胶法制备铁氧体薄膜的影响

溶胶-凝胶法由于具备能低温合成材料、易于设计实验装置和控制化学组成、可以合成各种形状的固体材料(尤其是薄膜)等一系列显著优点,而成为新材料领域中活跃的研究课题之一 .     

溶胶—凝胶法制备的Al2O3感湿膜及其性质

用溶液－凝胶方法，采用电泳工艺在Ａｌ基片上制成Ａｌ２Ｏ３薄膜，膜物质主要是非晶态，但含有少量微晶。随着热处理温度的升高，微晶含量增加。这种湿敏膜在中、高湿区有良好的感湿性能。     

溶胶—凝胶法制备的Al_2O_3感温膜及其性质

用溶胶—凝胶方法，采用电泳工艺在Ａｌ基片上制成Ａｌ２Ｏ３薄膜．膜物质主要是非晶态，但含有少量微晶．随着热处理温度的升高，进晶含量增加，这种湿敏膜在中，高湿区有良好的感湿性能．     

溶胶－凝胶法制备MoO_3陶瓷薄膜

以用酸钠为原料，乙二醇为溶剂，用溶胶－凝胶法制备ＭｏＯ３薄膜通过对干凝胶粉做ＤＴＡ和ＴＧ分析，用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析还胶膜、热处理后氧化物膜及多次重复浸涂热处理薄膜的显微结构和晶相组成，研究了氧化物薄膜的形成过程．重复４次浸涂热处理可得到约２μｍ厚连续致密的、主晶相为择优取向的斜方ＭｏＯ３薄膜．     

化学法合成Fe3O4薄膜

研究了用化学法在α－Ａｌ２Ｐ３基片上合成多晶Ｆｅ３Ｏ４基薄膜的原理及工艺，探讨了Ｆｅ＾２＋浓度、溶液的ｐＨ值、温度及阴离子种类等因素对合成膜的影响，分析了膜的组成、结构和导电性。     

探索MOCVD法制备TiO2薄膜的最佳反应条件

用低压金属有机化合物化学气相沉积 (MOCVD法 ),以四异丙纯钛 (TTIP)为源物质,高纯氮气作为载气,氧气为反应气体,制备出了 TiO2薄膜。分析出了沉积温度、氧气流量等因素对沉积速率的影响。发现在不同反应条件下 TiO2薄膜生长行为受动力学控制或受扩散控制,为制备优质 TiO2薄膜提供了依据。     

Sol—gel生长KTa1—xNbxO3电光薄膜的成分和结构

采用ＸＰＳ方法研究了ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＫＴＮ（ｘ＝０．３５）薄膜的成分和结构，结果表明，除了表面被碳污染外，薄膜中无残余的碳和其他杂质，其成分与原料的化学计量比相近，且沿深度均匀分布，各元素的化学状态证实薄膜系钙钛矿型ＫＴＮ结构。     

TiO2光催化薄膜的XPS研究

利用ＴｉＯ２溶胶通过浸涂技术在钠钙玻璃表面制备了ＴｉＯ２光催化薄膜,根据Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对薄膜进行了表征。结果表明,薄膜中除含有＋４价Ｔｉ的氧化物外,还有一定量的＋３和＋２价Ｔｉ的氧化物。结合有机基团燃烧的还原作用、玻璃中钠与钙离子的扩散和Ａｒ离子刻蚀,对这种现象作了讨论。Ｏｌｓ的高分辨谱比文献报道的更复杂。元素在薄膜内层的分布更均匀,从表面到内层,Ｏ和Ｔｉ元素的含量明显增加,而Ｃ、Ｎａ     

聚醚酯-无机盐复合物的研究

用直接酯化缩聚法合成了共聚醚酯,又用熔融和溶解丙种方法成膜制备了共聚醚酯－无机盐复合物,并测定了它们的体积电阻率。结果表明,含有聚乙二醇柔性链段,同时添加第三单体的共聚醚酯和无机盐的复合物,具有较低的玻璃化温度,从而体积电阻率较低。     

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V－I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。