TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的制备及表征

研究了CdSc敏化TiO_2纳晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用化学沉积法在TiO_2纳晶薄膜电极表面制备了窄带隙纳米微粒CdSe,对丝网印刷制备的TiO_2纳晶薄膜电极进行敏化处理,制备了TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电板;同时利用XRD、SEM、TEM、XPS对TiO_2/CASe复合薄膜电极的晶型、粒径、元素组成和表面结合态进行了表征分析.     

不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率（IP.CE）优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.     

CdSe纳晶薄膜电极的制备及其光电性能研究

利用化学溶液沉积法制备了CdSe纳晶薄膜,并用透射电子显微镜和扫描电子显微镜的EDS对其形貌和化学组成进行了表征.对CdSe纳晶薄膜电极的吸收光谱和光电性能进行了测试,结果表明,CdSe纳晶薄膜可以获得较好的光电流,这种薄膜电极改进后,可用于制作敏化太阳能电池的光阳极.     

TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的光电性能研究

研究了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的瞬态光电流、光电流作用谱、光吸收特性,结果表明TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极阻止了CdSe上光生电子和空穴的复合,从而提高了阳极光电流的响应,获得了较高增幅的稳态光电流.     

不同形貌CdSe纳米晶的合成及其形成机理研究

采用水热反应法,通过调节反应时间制备得到了不同形貌的CdSe纳米晶材料,并用TEM、XRD、EDS、XPS等分析手段对其形貌结构进行表征。研究表明,在反应温度为180℃的条件下,所得产物均为六方晶相的CdSe纳米晶,形貌随着反应时间的改变而发生变化:当控制反应时间为2h、5h、10h时,得到的CdSe纳米晶的形貌分别为树枝状、由树枝状到棒状过渡的簇状及棒状。分析了CdSe纳米晶形成的化学反应原理,并运用结晶学原理和相关模型理论对CdSe纳米晶的形成机理及其形貌变化进行了探讨。     

CdSe/SiO2复合微球的光电性及在安培型生物传感器中的应用

利用介孔材料纳米孔道作为微反应器,将带正电荷的Cd离子与介孔二氧化硅(SiO2)表面带有负电荷的-SiOH相互静电吸附生成Cd-O-Si,然后采用低温方法使其与SeSO32-反应,缓慢生长,形成CdSe纳米晶.XRD和高倍透射电镜说明介孔孔道中生成了CdSe纳米颗粒.利用CdSe/SiO在UV激发下产生光电流的特性,用得到的CdSe/SiO复合微球作载体固定辣根过氧化物酶HRP,在OTE涂上一层HRP/CdSe/SiO2膜,应用到H2O2生物传感器的检测.过氧化物酶-电极系统内,在紫外光(UV)365nm波长照射下,由CdSe/SiO2产生的光电子和电极提供的电子同时对H2O2进行还原,产生的空穴被CdSe和SiO2的界面捕获,提高了反应速度.     

魔力尺寸硒化镉纳米晶的压力稳定性研究

在极端条件下应用的耐压材料必须具有极高的结构和性能稳定性。魔力尺寸纳米晶体具有良好的结构、超小的粒子尺寸和精确的原子组成, 逐渐成为研究的热点。采用胶体化学方法合成了硒化镉(CdSe)魔力尺寸纳米晶, 其第一激子吸收峰位于463 nm处, 相应的光致发光光谱表现出窄的半高宽, 仅为13 nm。进一步利用金刚石对顶砧压机研究了所制备的CdSe魔力尺寸纳米晶在压力下的光学响应和稳定性。研究结果表明: 随着压力的增大, CdSe魔力尺寸纳米晶的吸收和发光峰位保持不变, 这种压力下的稳定行为与传统纳米材料在外界压力下所表现的敏感特性相反; 压力卸下后, 样品仍然保持CdSe魔力尺寸纳米晶的原始结构和形态。CdSe魔力尺寸纳米晶在加压过程中表现出的良好耐压性能, 有助于极端压缩条件下的魔力尺寸纳米材料的研究。     

聚3-甲基噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究

采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒,纳米棒直径约100 nm,长度约300nm。当电极电势为-0.7 V时聚3-甲基噻吩(PMeT)修饰CdSe纳米棒有最大光电流。CdSe纳米棒/PMeT中存在p-n异质结,p-n异质结存在使得CdSe纳米棒/PMeT复合膜电极在长波区光电流高于CdSe纳米棒薄膜电极光电流。     

水溶胶CdSe纳米复合器件电致发光特性的研究

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小.用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作为电子传输层,在发光层与Alq3之间加入了空穴阻挡层BCP制备了多层电致发光器件,研究了不同CdSe/PVK配比下水溶胶CdSe纳米复合器件的电致发光特性,结果发现随着水溶胶CdSe纳米晶在纳米复合物中所占比例的降低,电致发光器件的发光强度有所提高,起亮电压有所降低.     

ZnO纳米团簇与CdSe纳米棒复合膜的光电化学性能研究

用水热法合成了粒径均匀、分散良好的花状ZnO纳米团簇和CdSe纳米棒.讨论了ITO/ZnO/CdSe复合膜电极光电性能的影响因素,对比研究了ITO/ZnO纳米团簇及ITO/CdSe纳米棒膜电极的光电化学性能,实验表明:复合膜电极拓展了在长波方向的光吸收,提高了光电转换效率;当ZnO与CdSe复合摩尔比为1∶3时,ITO/ZnO/CdSe纳米复合膜电极在本实验中得到最高光电转换效率(IPCE)25.27%,远远高于单一ITO/ZnO花状纳米团簇膜电极和ITO/CdSe纳米棒膜电极.