首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
崔林 《中国科技博览》2013,(15):138-138
随着计算机的普及和计算机技术的飞速发展,它已不再局限于某一种领域,他己经渗透到人们的日常生活的各行各业中,利用网络进行辅助教学正在成为教学研究的热门方向。CAD/CAM软件的日趋成熟,CAD/CAM软件在企业中的应用越来越广泛,许多职业技术院校为此购买了CAD/CAM软件,引TCAD/CAM技术。购YCAD/CAM软件,如何充分应用好这些软件,最大限度地把这些软件的功能用到位,更好地为教学服务,如何让计算机网络发挥更大的潜能是职业技术院校的教师认真探索和研究的课题。  相似文献   

2.
LSI中的CMOS运算放大器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用CSMC0.6μmCMOS工艺实现了一个用于LSI中的CMOS运算放大器,整个设计利用SPICE软件进行系统模拟,利用九天(Zeni)工具进行了版图设计和验证,最后已通过东南大学MPW(multi-project-wafer)进行了流片.此放大器增益为72.9dB,单位增益带宽为10.2MHz,±1.65V电源供电,功耗小于0.5mW,整个芯片面积为0.5mm×0.5mm.  相似文献   

3.
该文主要是通过TCAD工具分析工艺对集成电路工艺结果的影响,通过TCAD工具模拟集成电路离子注入工艺的过程,然后分别改变离子注入的工艺参数,分析离子注入工艺参数对结深结果的影响,进而在器件设计过程中合理地进行工艺优化。  相似文献   

4.
展示了一个使用无接面技术制作虚三闸极的垂直晶体管,用TCAD软件仿真研究探讨了其射频与模拟的表现,结果表明,其电性表现出色,如:很高的转导 (gm)、截止频率 (fT) 和转导产生因素 (gm/Id),这些数据结果为8 nm闸极长度 (Lg) 的无接面虚三闸极垂直晶体管 (JPTGV) 提供了一个对于射频模拟的预测。  相似文献   

5.
王骥 《中国科技博览》2014,(26):184-184
本文说明TCAD技术的主要内容,并围绕这些内容进行探讨,对CAD技术在建筑给排水工程设计中的应用前景和发展方向发表了个人简介。  相似文献   

6.
《中国包装》2009,(4):94-94
柯达和英国Arden公司结成同盟,双方将针对包装市场推出3D开发和结构设计软件。这两家公司能为品牌所有者和包装印刷加工商提供一系列的产品。Arden的Impact结构设计软件将结合柯达的印能捷powpack工作流程,可提高整个包装生产——从产品设计到产品印刷的效率。  相似文献   

7.
<正>一、内蒙古大数据云计算产业发展概况"数"聚内蒙古,祥"云"入九天,内蒙古立足增速换挡、结构调整、动力转换,发力大数据云计算产业,并形成磅礴之势。内蒙古自治区大数据云计算中心服务器装机能力超70万台,投入使用30万台,居全国首位。电信、移动、联通三大运营商的云计算基地均落户呼和浩特市,华为、中兴、阿里巴巴、腾讯、百度、京东、IBM、浪潮等公司也在内蒙古建设或入驻大数据中心。  相似文献   

8.
《硅谷》2011,(15):125-126
<正>FeatureCAM是世界最大的CAM软件公司英国Delcam公司旗下著名的特征自动识别CAM系统,是基于特征、基于知识、第一个使用自动特征识别AFR技术的全功能CAM软件,同时具有强大的交  相似文献   

9.
<正>反病毒领域:冲破病毒防护"分水岭"6月25日,中国反病毒领域最具市场竞争力实用化产品微点主动防御软件在北京隆重宣布上市。这份姗姗来迟的"爱"终于在三年后这个夏天成功向世人展示,预示着微点人将用更加饱满激情创造公司最美好未来。  相似文献   

10.
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了在不同少子寿命的情况下,基区电阻率对常规P型单晶硅太阳电池输出特性的影响。然后基于对仿真结果的分析,提出一种具有非均匀基区的单晶硅太阳电池结构,并对其输出特性进行了仿真研究。结果表明:当少子寿命一定时,存在最优的基区电阻率,使得常规电池的转换效率最大;随着少子寿命的减小,电池最优的基区电阻率减小;提高基区电阻率有利于常规电池长波段量子效率和短路电流的提高,但同时会降低电池的开路电压和填充因子;当少子寿命较低时,非均匀基区结构不具有提高常规电池转换效率的作用。但当少子寿命增大到一定值时,通过优化非均匀基区的表面浓度,非均匀基区结构可有效改善常规电池的电学性能。  相似文献   

11.
利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700~1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。  相似文献   

12.
2008年日本电影市场概况 根据由日本5家大公司所组成的专业团体"日本映画制作者联盟"和DVD等视频影像软件制造商所组成的专业团体"日本影像软件协会"所公布的统计数据,我们可以大致了解目前日本国内电影市场的现状.  相似文献   

13.
计算机辅助设计简称(CAD)在机械零件设计中应用越来越广泛,为此本文介绍TCAD技术的基本系统组成和发展,并分析了CAD技术在机械产品设计中的应用现状,最后阐述了CAD技术在机械设计中的应用。  相似文献   

14.
福禄克公司是美国丹纳赫集团下属的全资子公司,以世界电子测试工具和软件制造,分销和服务的领导者为使命,2002年并购了Lionhart旗下的Bio-Tek和DNI Nevada,建立福禄克公司的医疗设备检测部,位于美旧内华达州卡森市,福禄克公司医疗设备检测部预计通过设计创新及福禄克伞球的销售网络,产品销售会有很大增长。  相似文献   

15.
《硅谷》2011,(21):66-66
<正>红帽公司宣布收购Gluster,后者作为GlusterFS开源文件系统及Gluster存储平台软件堆栈的开发者受到广泛关注。通过这种方式,红帽公司将自己打造成  相似文献   

16.
研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真。通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ.cm2降低到1.96mΩ.cm2,同时克服了SJ LD-MOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷。  相似文献   

17.
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标,对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明,发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×1020 cm-3,结深为0.1μm时,太阳电池转换效率最高,可达20.39%。若采用热扩散工艺制备发射区,扩散温度范围为825~850℃,扩散时间范围为10~20min;若采用离子注入工艺制备发射区,当注入剂量为1×1017 cm-2,注入能量为5keV时,退火温度范围为850~875℃,退火时间范围为5~15min。  相似文献   

18.
公司一般是由股东负责注册空壳公司,然后购买一套交易平台软件,并在互联网上搭建非法交易平台;操盘手对软件进行操控,负责按虚构的交易活动买涨买虚;分析师负责指导客户进行所谓的买卖活动,诱导投资者操作,一步步将投资者的钱骗走。  相似文献   

19.
针对航空发动机、重型燃气轮机等动力设备燃烧室内压力原位测量的需求,设计了一种基于4H-SiC的LC谐振式无线高温压力敏感芯片.以现有SiC微工艺水平为基础,利用TCAD软件及多物理场耦合仿真软件,完成了敏感芯片电容、电感、感压膜等主要部件的结构设计、优化,以提高敏感芯片的Q值及耦合强度.探讨了电感内置、外置两种设计方案本体电容的大小,并在此基础上提出一种双腔体结构,将本体电容值减小到179.66 p F.优化后的敏感芯片常温(20℃)Q值约为13.66,100 k Pa满量谐振频率变化158.62 k Hz;1 000℃下的Q值为3.65,满量变化55.53 k Hz,且1 000℃下的热应力较小.这种敏感芯片将可应用于高温压力传感器的制备,为我国自主研制航空发动机、高超发动机、重型燃气轮机等先进动力系统提供支撑.  相似文献   

20.
《现代电影技术》2007,(9):10-10
2007年8月22日,德国著名软件制作及技术咨询服务提供商NorCom信息技术股份公司在北京国际广播电影电视设备展览会(BIRTV)上亮相。NorCom公司首次展出了为中国市场量身定做的全系列NCPower多媒体制作系统产品,并希望以此为契机全力拓展中国乃至整个亚洲市场。NorCom公司的创建者  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号