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研制了多离子束反应溅射技术并运用该技术在多种衬底上制备晶态(Pb,La)TiO3铁电薄膜。运用多种分析技术对铁电薄膜的物化性能进行了表征。发现在铁电薄膜的近表面有富铅层。测试了铁电薄膜的电滞回线、矫顽场、折射率、吸收系数等电学和光学参数。利用该技术可在较低衬底温度下在位制备组分可调、附着力强的外延或高度择优取向的铁电薄膜。 相似文献
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铁电薄膜及铁电存储器的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注.综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向. 相似文献
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综述了FRAM用铁电薄膜的疲劳机理,对比了钙钛矿结构铁电体与铋层类钙钛矿结构铁电体的区别,介绍了铋层奚钙钛矿结构铁电材料的优良抗疲劳性能与该类铁电材料结构的密切关系,和为提高铋层类钙钛矿结构铁电薄膜Bi4Ti3O12的抗疲劳性能所采取的掺杂改性的研究现状,并针对目前铁电薄膜制备中存在的问题提出了今后研究需着重解决的关键问题。 相似文献
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具有铁电性且厚度在数十纳米至数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、介电性及热释电性等特性,在微电子、光电子和微电子机械系统等领域有着广阔的应用前景.随着铁电薄膜制备技术的发展,使现代微电子技术与铁电薄膜的多种功能相结合,必将开发出众多新型功能器件,促进新兴技术的发展,因此对铁电薄膜的研究已成为国内、国际上新材料研究中的一个十分活跃的领域.在铁电薄膜的许多应用中,铁电存储器尤其引人注目.如何制备性能良好的铁电薄膜,满足集成铁电器件的要求成为制约铁电薄膜应用的关键环节,薄膜制备技术的进步可以提高铁电薄膜的质量,目前人们已经能够使用多种方法制备优良的铁电薄膜.总体来说,制备铁电薄膜按其制膜机理大体上可分为化学沉积法和物理沉积法两大类.化学沉积法制备微纳铁电薄膜,通过对薄膜成分、元素掺杂及薄膜取向等方面的研究提高铁电薄膜的性能,从而制备出高质量的薄膜.物理沉积法一般是在较高的真空度下进行,采用不同的基片和调节基片的温度可制得不同取向的薄膜,甚至外延薄膜,这种方法对自发极化呈现高度各向异性的薄膜制备显得尤为重要.热喷涂方法制备厚涂层通过从元素掺杂、热处理、工艺参数优化等方面来改善铁电涂层的性能.铁电薄膜制备技术的进步可以提高薄膜的质量,而薄膜质量的提高又可以促进功能器件制备技术的进步、使用性能的提升,从而使其得到更广泛的应用.本文综述了近年来铁电薄膜制备技术及其应用研究的新进展,主要针对化学方法、物理方法及热喷涂方法制备铁电薄膜的技术难点讨论了铁电薄膜成形的物理化学机理、优缺点及其应用情况. 相似文献
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Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了用溶胶-凝胶方法制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在900℃,30min退炎条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。 相似文献
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《Current Opinion in Solid State & Materials Science》2008,12(3-4):55-61
We briefly review the status and new progress on the preparation and characterization of dielectric/ferroelectric multilayered thin films and superlattices and present some of our own research work in this field. It is pointed out that constructing multilayered dielectric/ferroelectric thin films and superlattices is an effective way to improve properties of dielectric/ferroelectric thin films and to probe new physical phenomena. There is no doubt that study on dielectric/ferroelectric multilayered thin films and superlattices will have been a topic of great interest in the forthcoming years, and it is expected that more well-designed dielectric/ferroelectric superlattices will be prepared and some new physical phenomena might emerge. 相似文献
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采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 相似文献
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王华 《材料科学与工程学报》2004,22(5):713-716
为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿c-轴择优取向生长的趋势,而Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V特性曲线则表明,该异质结可实现电极化存储.此外,对该异质结C-V特性曲线的非对称及向负偏压方向偏移的产生原因也进行了分析.在此基础上,为提高铁电薄膜的铁电性能及改善其C-V特性提出了合理的结构设想. 相似文献
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Sputtering preparation of ferroelectric PLZT thin films and their optical applications 总被引:1,自引:0,他引:1
Adachi H Wasa K 《IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control》1991,38(6):645-655
Preparation of epitaxial PLZT thin films on sapphire has been investigated, and excellent ferroelectric properties such as piezoelectricity and electrooptic effect with high transparency were obtained in thin films. Moreover, a preparation process was developed involving the multitarget sputtering method, and strict control of film composition and epitaxial growth with the buffer layer of graded composition were performed. Using these PLZT thin films, some optical applications, including an acoustooptic deflector and an electrooptic guided-light switch, are shown. 相似文献
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K Sreenivas 《Bulletin of Materials Science》1992,15(3):287-287
Microelectronic applications of ferroelectric thin films have undergone a resurgence. Recent advances in deposition technologies
and the achievement of bulk properties in thin films have enabled successful integration and fabrication of ferroelectric
random access memories onto standard integrated circuits that combine high speed, complete non-volatility and extreme radiation
hardness. Current research covers both the basic and applied areas in ferroelectric material science and semiconductor device
development.
In this talk the evolution of solid state memory devices in conjunction with silicon technology will be described, and the
increasingly important role expected from ferroelectric materials highlighted. In coupling ferroelectric thin film processing
with Si technology several new problems have to be resolved. The device physics and design, the material choice for ferroelectric
memories, thin film preparation and characterization, and the problems of fatigue and retention will be discussed. 相似文献
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多铁性材料是一种新型材料,即一种材料同时具备铁电性、铁磁性和磁电耦和性。多铁性材料已成为当前国际上一个新的研究热点。介绍了多铁性复合薄膜的结构、2-2型多铁性复合薄膜的制备方法以及制备B iFeO3-Fe双层多铁性薄膜的最佳生长条件。 相似文献