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1.
本文研究了Na掺杂对MTG-YBCO(YBa2-xNaxCu3Oy+40mol%Y2BaCuO5x=0.0、0.1、0.2)生长织构及其超导性能的影响。适量Na的掺入有利于MTG-YBCO沿(ab)面的生长,改善晶体生长的宏观形貌。同时,掺Na后MTG-YBCO试样的Tc,on变化不大,但Tc,off随掺杂量x的增加而降低,即超导转变宽度△T增大。适量Na掺杂改善了MTG-YBCO的临界电流密度特 相似文献
2.
本文研究了Q相-C4AF-C2S系统中各相的共存条件。当在Q相生料中加入少量C4AF时,会降低Q相的形成温度。但是在高温下由于Mg2+在C4AF中的固溶,大量的C4AF加入时反而不利于Q相形成。这时需要在Q相-C4AF生料中加入适量MgO。对于Q-C4AF-C2S-C12A7系统,当碱度系数≥1时,Q相、C4AF、C12A7和C2S可在较大范围内共存 相似文献
3.
从理论上分析了CATV外调制发光射机在TE,TM两种模式入射下的性能及对比,对X切LiNbO3波导调制器,在相同的入射光功率和射频电功率条件下,如果调制器对两种模式的插入损耗相同,则TE模比TM模的CNR大10dB,CSO小10dB,而CTB大20dB,因而从总体性能考虑,以TE模入射为佳,实验结果和理论分析是一致的。 相似文献
4.
本文研究了Q相-C4AF-C2S系统中各相的共存条件。当在Q相和一料中加入少量C4AF时,会降低Q相的形成温度。但是在高温下由于Mg^2+在C4AF中固溶,大量的C4AF加入时反而不利于Q相形成。 相似文献
5.
有机及有机金属化合物薄膜电开关特性 总被引:5,自引:0,他引:5
综述了在电场下由绝缘态到导电态的电开关记忆特性的几类化合物薄膜,包括聚苯乙烯及其衍生物的辉光放电聚合膜,酞菁铅和TCNQ及其衍生物的电荷转移复合物的真空蒸发膜,乙酰丙酮铜的弧光放电等离子体聚合膜,1,3-二硫杂环戊烯-乙硫醇类过渡金属配合物的电沉积膜,含大共轭II链有机化合物及偶氮化合物怀TCNQ的电荷转移复合物的Langmuir-Blodgett(LB)膜,以及用离子团束-飞行时间质谱仪制备的C 相似文献
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适用于多种不锈钢和碳钢的盐酸酸洗缓蚀剂 总被引:19,自引:6,他引:13
运用失重法评定苯并咪唑类化合物(BMAT)在5%HCl中对316L、18-8、1Cr13、2Cr13和20碳钢的缓蚀性能。结果表明,BMAT可广泛应用于抑制多种不锈钢和碳钢的腐蚀。通过对BMAT加入浓度与缓蚀率关系的研究,找到了其在316L、18-8、2Cr13上的吸附等温式;通过温度对缓蚀率影响的研究。计算出三者溶解表观活能及BMAT在不锈上的吸附热效应,从而揭示了BMAT在不锈钢上的吸附机理。 相似文献
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配合物[Mn(phen)_2]~(2 )修饰的MCM-41的合成与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
分别以γ-氨丙基和甲基丙烯酸丙酯基修饰介孔分子筛MCM-41内孔壁,将引入的有机官能团与金属配位离子[Mn(phen)2Cl]+通过配位健成键首次合成了锰(Ⅱ)配位化合物修饰的MCM-41(MCM-ap-Mn(phen)2,MCM-mp-Mn(Phen)2).通过XRD、FTIR、77K氮气吸附-脱附、UV-VIS漫反射光谱和Mn2+电子顺磁共振谱(ESR)表征了复合物MCM-ap-Mn(phen)2和MCM-mp-Mn(phen)2由于有机基团对MCM-41孔壁的修饰,使复合物的结晶度降低,增加的有机基因和配合物使红外光谱有所改变;BET比表面积,孔容和最可几孔径均下降;γ-氨丙基或甲基丙烯酸丙酯基与Mn2+的配位而使其UV-VIS漫反射吸收光谱在短波长的吸收加强;室温下 Mn2+电子顺磁共振表明 Mn(Ⅱ)配位环境几乎没有变化. 相似文献
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两种具有电双稳态的全有机络合物 总被引:9,自引:0,他引:9
首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机(有机-有机)络合物,分别称为MCA+TCNQ和BBDN+TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜,在数伏电压的作用下,从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns,因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平,可望在1.6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。 相似文献
10.
CA—CA2—C2AS—MgO系统中C2AS转为为Q相的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了1300℃下CA-CA2-C2AS-MgO系统中C2AS转化为Q相的条件,结果表明,在CA-CA2-C2AS-MgO系统中的C2AS只有补钙的条件下才能转化为Q相,转化后的矿物组成为CA-C12A7-Q-MgO。 相似文献