遮光罩和挡光环程序化设计的原理及实现

阐述了消杂光的遮光罩和挡光环的设计原理和思想,并基于自行推导的设计公式,提出利用程序计算来实现遮光罩—挡光环四种不同组合(圆柱状且挡光环等高布置、圆柱状且挡光环梯度布置、锥状且挡光环等高布置和锥状且挡光环梯度布置的遮光罩)的设计思想,并给出了设计实例以验证设计公式程序的正确性(与手工计算相比)。结果表明,在任意给定的挡光环个数和高度范围内,通过该设计程序可获得一系列遮光罩的长度和内径参数,再通过杂光仿真软件模拟,根据PST值可确定遮光罩的最佳参数。     

Cu(tpa)/PVDF杂化超滤膜的制备及性能研究

通过室温搅拌法合成了Cu(tpa)纳米晶,并将其作为改性剂制备了Cu(tpa)/PVDF杂化超滤膜.通过XRD、FTIR和SEM等手段表征Cu(tpa)纳米晶,系统研究了Cu(tpa)纳米晶及其含量对PVDF杂化超滤膜的形貌、结构以及性能的影响.采用SEM、XRD、FTIR、静态水接触角等手段对杂化膜进行了表征,结果表明,Cu(tpa)纳米晶可以有效调节PVDF膜的内部结构,当Cu(tpa)添加质量分数为5%时,Cu(tpa)/PVDF膜内部全部为海绵状结构.性能测试结果显示,添加Cu(tpa)材料可以显著提高PVDF膜的纯水通量,同时对BSA截留率保持在96%以上.此外,BSA静态吸附和恢复水通量测试表明,Cu(tpa)/PVDF膜具有良好的抗污染性能.     

装备振动功率谱密度统计归纳误差研究EI北大核心CSCD

承受随机振动环境的装备,一般采用功率谱密度作为振动环境条件。对于各频点幅值满足正态分布的实测功率谱密度,常采用正态单边容差上限方法进行统计归纳形成试验谱。为确定上限估计误差与样本量的关系,结合正态单边容差上限的定义,推导了正态单边容差上限估计的均方根误差和百分比误差的公式,并结合数值仿真校验了此函数关系的正确性,同时结合工程实际对公式合理简化,得到上限估计误差的最大值与样本量的函数关系式,并给出了控制上限估计误差所需的最大样本个数。对比了不同样本量下自助容差上限和正态单边容差上限误差,结果表明:至少需要20个样本才能使得P95/50上限估计误差不超过10%;至少需要54个样本才能使得P99/90上限估计误差不超过10%;自助容差上限方法在小样本统计归纳时有一定优势。     

铝合金均匀化扩散动力学研究

用扫描电子显微镜、电子探针微区分析研究了电磁半连续铸造Al-Zn-Mg-Cu合金铸态和均匀化态的成分分布,Cu、Zn和Mg元素存在晶界偏析,偏聚比分别为19.2、2.6、1.85.研究了铸锭均匀化动力学,导出了均匀化动力学方程,根据实验及均匀化动力学计算,最佳均匀化处理工艺为450.C,24h.     

不同微观结构Zr_(55)Al_(10)Ni_5Cu_(30)块体非晶合金的晶化过程

用差示扫描量热仪分别对具有相似晶体体积分数和晶化激活能的Zr55Al10Ni5Cu30块体非晶合金铸态、轧制态试样进行等温和连续升温实验,研究了不同微观结构块体非晶合金的晶化过程。结果表明,在晶化初期(小于30 min),两个试样具有相似的晶化速率;晶化后期(大于30 min),轧制态试样表现出较快的晶化速率。这在一定程度上表明,用JMA公式和晶化开始温度Tx及峰值温度Tp计算出的晶化激活能不能全面反映非晶合金的热稳定性。另外,剪切带中原子之间相互联接的减弱以及短程有序的强化,使轧制态试样热稳定性降低和晶化过程变快。     

一些路的计数技巧与图的广义谱（英文）

一个图X称为是由它的广义谱确定的,如果对任意图H,H与X同谱且补图同谱蕴含H与X同构.本文给出了任意图中长度不超过5的路的计数公式,并且证明了当k■2(mod 3)时,格子图Pk□P2是由它的广义谱确定的.     

Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究

采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶.将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90 min的热处理.实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系接经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制.     

爆破地震传播规律及其激励特性分析

通过对实测数据的分析,给出了爆破地震传播公式,并对爆破地震激励特性进行了分析,指出了露天矿台阶爆破与井下中深孔爆破地震的差异.     

3D ES势垒对Cu(111)和Cu(OO1)晶面同质外延生长的影响

三维3D ES势垒直接影响着层间扩散,在Cu(111)和Cu(100)面2D ES势垒和3D ES势垒是不同的.本文主要研究了基于(1+1)维KMC模型,在这两个特殊的晶面上Cu薄膜的同质外延生长.观察两个面的生长情况,发现随着温度的增加薄膜的粗糙度逐渐减小,由于Cu(111)表面2D ES势垒较小,所以Cu(111)面粗糙度的下降的速度比Cu(100)要快,Cu(111)表面更有利于薄膜的生长.对于纳米棒的应用,在生长时间较短时两个面的生长速率逐渐减小,但是Cu(100)面的生长速度比Cu(111)面更快,随着生长时间的增加,这两个面会出现多层台阶,Cu(111)面的生长速度会逐渐增加,最终会超过了Cu(100)面.多层台阶出现后对两个面的影响是不同的.由于Cu(111)表面3D ES势垒较大,在Cu(111)表面会形成较多的多层台阶,Cu(111)面上多层台阶数有利于纳米棒的生长,然而在Cu(100)表面3D ES势垒较小,Cu(100)表面很难形成多层台阶,所以Cu(100)面上纳米棒的生长速度并没有增加.正是因为3D ES势垒的存在才会导致多层台阶的出现,较大的3D ES势垒有利于纳米棒的生长.     

不同基体SmCo颗粒膜的组织和磁性

用磁控溅射方法制备了Cu,Mo和Al基体的SmCo颗粒薄膜.用能谱EDAX,透射电镜TEM和振动样品磁强计VSM分别表征和测量了薄膜的结构和磁性能.结果表明,Cu基体溅射态已晶化而Mo和Al溅射态为非晶态,在500℃回火30 min后磁性相的析出特性有一定差异.对溅射的SmCo薄膜在500℃回火30 min后,Cu基体的SmCo薄膜磁性能较好,并有一定的磁各向异性,其原因是Cu在SmCo晶界的聚集对晶粒有钉扎作用.