Pr:Fe:LiNbO3晶体光折变性能的研究

在Fe∶LiNbO3中掺进Pr6011生长Pr∶Fe∶LiNbO3晶体。对晶体进行氧化－还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光电导和信噪比。测试结果Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的响应时间缩短,信噪比提高,克服了Fe∶LiNbO3响应时间长,光电导和信噪低的缺点。以Pr∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件实现了全息关联存储。     

Ce:Eu:LiNbO3晶体制备及光折变性能

为了昨到光折变性能优良的晶体材料，在LiNbO3中掺进CeO2和Eu2O3，生长Ce:LiNbO3和Ce:Eu:LiNbO3单晶体，对晶体进行极化和氧化还原处理，并利用XRD、UV-VIS及二波耦合光路测试了晶体的晶格常数、吸收光谱、指数增益系数和响应时间。结果表明，Ce:Eu:LiNbO3晶体的晶格常数比Ce:LiNbO3晶体小，其吸收边比CeLiNbO3晶体红移更多，指数增益系数比Ce:LiNbO3晶体大，而响应时间比Ce:LiNbO3晶体的要短，Ce:Eu:LiNbO3是优良的光折变晶体材料。     

掺铟LiNbO3晶体抗光折变效应增强机理的研究

在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折光折变杂质离子In^3 ,生长In(2mol％）：LiNbO3和In(3mol％）：LiNbO3晶体。研究In:LiNbO3晶体的结构和In^3 离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In^3 使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理。     

Zn:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。     

Ti:Fe:LiNbO_3晶体的生长及其光折变性能的研究

采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO3晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO3晶体中Ti离子以Ti4 形式存在．与Fe：LiNbO3和Ti：LiNbOa相比，Ti、Fe复合掺杂，通过电荷补偿效应，使未经还原处理的晶体中Fe2 增加，从而使光吸收增强；可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe2 离子的浓度，达到控制并改善晶体光折变性能的目的．本文还对Ti：Fe：LiNbO3晶体的全息性能进行了研究，测得Ti：Fe：LiNbO3晶体响应时间缩短，衍射效率高达90％以上．Ti：Fe：LiNbO3晶体是一种优质的光折变材料．     

交变极化改善重掺Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体光折变性能及体全息存储特性研究

生长了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体，对晶体进行了多次交变极化，有效的提高了Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的光折变性能，使得Zn：Cu：Fe：LiNbO3晶体的响应速度大大加快，散射噪声减小，体全息存储图像质量得到较大改善。     

Ce：Cu：SBN晶体的生长及其光折变效应的研究

简述了Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体的生长,测试了晶体的衍射效率、简并四波混频位相共轭反射率和响应时间,以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质,以Ｃｅ：Ｃｕ：ＳＢＮ晶体作为自泵浦位相共轭镜,实现了实时关联存储。     

Zn：Fe：LiNb03晶体光折变性能研究

生长了Zn：Fe：LiNbO3晶体，测试了晶体的光折变性能，并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术，有效地提高了Zn：Fe：LiNb03晶体的光折变性能，使得Zn：Fe：LiNb03晶体的响应速度大大加快，散射噪声变小，存储图像清晰。     

Ti:Fe:LiNbO3晶体的生长及其光折变性能的研究

采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO₃晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处理前后的透射谱．用ESR方法证实，未经还原处理时，Ti：Fe：LiNbO₃晶体中Ti离子以Ti⁴⁺形式存在．与Fe：LiNbO₃和Ti：LiNbO₃相比，Ti、Fe复合掺杂，通过电荷补偿效应，使未经还原处理的晶体中Fe²⁺增加，从而使光吸收增强；可以通过改变Ti、Fe掺杂浓度的方法来控制晶体中Fe²⁺离子的浓度，达到控制并改善晶体光折变性能的目的．本文还对Ti：Fe：LiNbO₃晶体的全息性能进行了研究，测得Ti：Fe：LiNbO₃晶体响应时间缩短，衍射效率高达90％以上．Ti：Fe：LiNbO₃晶体是一种优质的光折变材料．     

KTN∶Cu晶体的铁电和光折变性能

用熔盐提拉法培育了掺 Cu~(2+)离子的 KTa_(1-x)Nb_xO_3(KTN∶Cu,x=0.32)晶体;在±160℃范围内测量了介电常数、介质损耗、自发极化强度和热释电系数;用 Ar 激光和二波混频法测量了室温下的光折变性能;扼要讨论了它的铁电相变特点和光折变性质.结果表明,该晶体的两个铁电-铁电相变为一级相变,而它的铁电相变已开始趋向于二级相变;室温立方相的衍射效率已高达52%,光折变灵敏度为3.2×10~(-6)cm~3/J,光折变动态范围Δn 为2.33×10~(-5),表现出良好的光折变应用前景.     

Eu：Fe：LiNbO3晶体双光束耦合异常现象的研究

在Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的双光束耦合实验中，减小晶体厚度，增大泵浦光束直径，都可使指数增益系数和衍射效率增大，２θ角度响应范围加宽。升高温度亦可增大衍射效率。本文对上述实验结果进行了理论分析。     

Zn∶Fe∶LiNbO3晶体光折变性能研究

生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNbO3晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰.     

Cr3+:LiNbO3晶体生长和光谱特性的研究

采用提拉法从近化学计量比的熔体中生长出尺寸为φ20mm×60mm的优质LiNbO3Cr(CLN)晶体,其光学均匀度为7.05E-005.进行了吸收和荧光光谱的测定研究.吸收谱测试表明Cr3+离子在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为481和657nm,对应于4A2→4T1和4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,在4A2→4T2吸收宽带的长波边缘处有个很小的吸收峰,其波长为727nm,对应于4A2→2E(R线)的跃迁.荧光测试表明当激发波长为660nm时,CLN晶体荧光宽带和一个较弱的荧光线峰并存,宽带范围为800～982nm,峰值波长为870nm,对应于4T2→2E,4A2的联合能级跃迁,荧光线峰波长约为752nm,其强度较弱,相应于2E→4A2(零声子线)能级跃迁.计算了晶场强度和Racah参数,其Dq,B,G大小分别为1522.1、542.5和3218.7cm-1,Dq/B=2.81,晶体属于强场介质.研究表明,CLN晶体具备可调谐激光晶体的基本光谱要求,且有良好的物化性能,可以实现宽频带可调谐激光输出.又具有较大的倍频系数,有望实现410nm附近紫外的自倍频激光输出.