首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
在溶胶-凝胶法制备的La0.47Ba0.38MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)//(CuO),(x=0.01~0.1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现.随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0.01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高.当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8.4%。比未掺杂的LBMO提高了50%。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。  相似文献   

2.
将Bi2O3掺杂到用溶胶—凝胶法制备的La0.6Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出。随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0—0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降。当X=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级。Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响。低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03Bi使室温磁电阻由-4.4%提高到-5.6%。  相似文献   

3.
将La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)、Ag2O及TiO2粉混合经高温烧结后制备了钙钛矿相/xAg两相复合体系(x是Ag与钙钛矿材料的物质的量比),系统地研究了Ag-Ti的共掺杂对LSMO电性和磁电阻效应的影响.0.07摩尔比Ti4+离子的B位掺杂使LSMO的居里温度降至室温.Ag的掺入对Tc影响不大,Tp逐渐升高.由于钙钛矿颗粒属性的改善和金属导电通道的出现,材料的电阻率明显下降.Ag掺杂使室温磁电阻得到显著增强,室温下从x=0.30样品中得到最大的磁电阻,约为32%,是La0.67Sr0.33MnO3样品的8倍,La0.67Sr0.33Mn0.93Ti0.07O3样品的1.6倍.  相似文献   

4.
系统地研究了Ti掺杂对La0.67Ba0.33MnO3颗粒材料磁性、电性和磁电阻效应的影响,随着Ti含量的增加,材料的磁化强度和居里温度快速下降,电阻率急剧增大,电阻率的峰值逐渐向低温移动。Ti的掺杂对材料低温下低场磁电阻影响不大,主要是显著提高了材料的本征磁电阻。1%的Ti掺杂使材料的室温磁电阻得到显著增强,1T磁场下,室温磁电阻达到-8.4%,比未掺杂的La0.67Ba0.33MnO3材料增强了50%。  相似文献   

5.
用两步法制备了(1-x)La2/3Ca1/3MnO3/xSb2O5复合样品.零场下电阻温度关系测量表明,对x〈3%范围。随Sb2O5含量增加,复合样品电阻率增大,绝缘体一金属转变温度降低;而对x〉3%范围,随Sb2O5含量增加。复合样品电阻率减小,绝缘体一金属转变温度提高.磁电阻测量表明,少量Sb2O5同La,2/3C&1/3MnO3复合,可明显增强磁电阻效应.  相似文献   

6.
采用溶胶—凝胶法和传统的固相反应法相结合,制备了双层钙钛矿结构锰氧化物La2-2xSr1 2xMn2O7较宽掺杂范围内(0.2≤x≤0.6)系列单相样品,并测量了各样品的X射线衍射谱(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)谱。通过对XRD的分析证实样品均为Sr3Ti2O7型四方结构,空间群为I4/mmm,同时发现晶格参数a随掺杂量x的变化几乎不变,而c随x的增加则明显减小。通过对EXAFS的分析和研究得到MnO6八面体中c轴方向的Mn—O键长和Jahn—Teller畸变量△JT随掺杂浓度x的变化,发现在最佳掺杂浓度x=0.33附近,J-T畸变最大,显示出La2-2xSr1 2xMn2O7(0.2≤x≤0.6)系列锰氧化物的磁电性能与畸变量△JT密切相关。  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-xAgrMnO3(x=0.15、0.20)的多晶样品,发现用Ag部分替代Sr后样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T下,La0.67Sr0.18Ag0.15MnO3样品的磁电阻在330K出现峰值,其峰值为35%;对于La0.67Sr0.13Ag0.2 MnO3样品,磁电阻峰值为26%.且峰的宽度较大,在290~315K之间的磁电阻随着温度变化不大.因此显著提高了室温时样品的磁电阻和磁电阻的温度稳定性,另外.还提高了样品的磁场灵敏度。这对磁电阻的应用有很大意义。  相似文献   

8.
Ag、La双掺杂对Ca3Co4O9热电性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用固相反应法,在常压空气中烧结制备出了(Ca1-x-yAgxLay)3Co4O9(x=0、0.1,y=0;x=0.1,y=0.02、0.04、0.06)系列块体样品;通过X射线衍射和扫描电镜对样品的物相组成和微观结构进行了表征;研究了Ag、La双掺杂对样品热电性能参数Seebeck系数、电阻率和热导率的影响。结果表明,双掺杂可以进一步提高材料热电性能,且掺杂浓度的选择对热电性能有较大的影响;在873K时,x=0.1,y=0.02样品的ZT值最大。  相似文献   

9.
采用软化学方法制备了不同粒径的La0.9Sr0.1MnO3和软磁材料γ-Fe2O3,并将两者按不同比例进行复合,分别用扫描电子显微镜和X射线技术观察了样品的形貌特征和相结构,发现掺杂后的复合体系的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入γ-Fe2O3后,样品表现出异常磁电阻效应,即加外磁场后样品的电阻率明显大于未加磁场时样品的电阻率.同时,掺杂样品磁电阻的磁场灵敏度显著提高,在室温附近观察到了磁电阻极大值.  相似文献   

10.
非正分钙钛矿锰氧化物(La0.8 Sr0.2)1-xMnO3的电磁特性   总被引:3,自引:0,他引:3  
报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应.实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成.它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果.样品的零场电阻率ρ0随着A位缺位量x的增大而增大.适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性.当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175~328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%.  相似文献   

11.
NiFeCu alloy films were electrodeposited from baths containing nickel sulfate and/or nickel sulfamate. All samples were pulse plated in the potentiostatic mode. The room temperature magnetoresistances of the films were measured showing anisotropic magnetoresistances up to 1.5%. The anisotropic magnetoresistances increased with the addition of sulfamic acid to the sulfate bath. Samples deposited from the bath with high sulfamate concentration showed a giant magnetoresistance behavior. To characterize the films, scanning electron microscopy and X-ray diffraction were used.  相似文献   

12.
(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过系统地测量(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3Fex/3)O3(x=0、0.1、0.2、0.3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应.作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn3 /Mn4 比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn3 -O-Mn4 的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化.  相似文献   

13.
The Gd substituting effects for La in La0.67Ca0.33MnO3 has been studied .With increasing the substituting amount of Gd,the phase transition temperature of metal-isolator for the samples decreases,the corresponding peak resistivity increases,the Curie temperature decreases monotonically.The substitution of La-Ca-Mn-O with 11% Gd for La improved the magnetoresistance ratio by an order of magnitude.The effects of substituting Gd can be explained in terms of the lattice effects.An irreversible MR behaviour was observed in Gd-substituting compounds.This effect became marked when the substituting amount of Gd was greater than 7%.A maximum irreversible increment of MR ratio as large as 91% was obtained when Gd substituting amount was 11%.  相似文献   

14.
本文综述了磁电阻 (MR)材料的研究进展 ,并对目前研究热点的四类巨磁电阻 (GMR)材料进行了概括评述 ,侧重论述MR材料在信息存储等领域的应用 ,明确指出开发和应用MR材料的关键问题是提高各类GMR材料的室温MR值和降低其工作磁场  相似文献   

15.
用化学方法将Cu有关的材料引入到La2/3Ca1/3MnO3颗粒表面以形成复合颗粒系统.低磁场(0.3T)下磁电阻与温度关系测量表明,伴随着Cu有关材料的引入,磁电阻图像发生了明显变化.对纯La2/3Cal/3MnO3颗粒系统,磁电阻随温度降低而单调增加;而对复合颗粒系统,磁电阻最明显的特征是绝缘体-金属转变温度附近表现出尖的磁电阻峰,且有较高的磁电阻值.结合低场磁化实验对实验结果进行了讨论.  相似文献   

16.
何雄  孙志刚 《材料导报》2017,31(17):6-11
非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。  相似文献   

17.
讨论了用射频(RF)磁控溅射制作铁磁性薄膜工艺,合适的工艺参数能够获得较低的矫顽力Hc=6Oe。用X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)研究膜表面情况及氧化深度。  相似文献   

18.
The magnetoresistance nearT c(T cR=0=100 K) has been measured on ceramic samples of (Bi, Pb)2Sr2Ca2(Cu0.98Mn0.02)3Ox (X-Ray diffractions and measurements by a SQUID magnetometer give almost single 2223 phase) in magnetic fields, up to 60 kOe using a dc four-probe technique. We observed periodic oscillations superimposed on a monotonie growth of the magnetoresistance with the amplitude decreasing with increase in magnetic field. Fourier transforms of the magnetoresistance data gives two sharply pronounced periods, 10.7 and 14.7 kOe. Apparently these oscillations are connected with inhomogeneous distributions of Mn in superconducting grains with phase slippage at grain boundaries.  相似文献   

19.
研究了钙钛矿型半掺杂锰氧化物Pr0.5Ca0.5Mn1-xCrxO3(x=0、0.03、0.05、0.07、0.10)体系的输运性质、电荷有序和磁电阻效应.结果表明,Cr离子替代Mn位,增强了Pr0.5Ca0.5MnO3的铁磁性、金属电导和磁电阻值.在低掺杂情况下(x=0.03、0.05),Cr3 的掺杂使体系的铁磁性增强,当x>0.05时(x=0.07、0.10),体系的铁磁性随x增大缓慢减弱.同时,随着掺杂量的增大,体系中的电荷有序相逐渐被抑制,磁电阻值也呈下降趋势,表明电荷有序相与磁电阻效应相关.Cr掺杂引起的各种磁耦合作用,包括Mn3 与Cr3 的铁磁双交换作用,Cr3 -Cr3 、Mn4 -Mn4 、Cr3 -Mn4 之间的反铁磁超交换耦合作用及相分离现象是产生上述结果的主要原因.  相似文献   

20.
本文研究了采用离子束溅射技术制备的 NiFe 薄膜及层状结构 NiFe/Cr/NiFe 薄膜的磁电阻特性与膜厚的关系。用四探针法测量薄膜的磁电阻。由实验结果得到磁电阻特性与膜厚及 Cr 夹层厚度的关系。分析了 NiFe/Cr/NiFe 膜中两层 NiFe 膜之间存在反铁磁交换耦合时,磁电阻效应显著增强的现象,NiFe/Cr/NiFe 膜各向异性磁电阻系数△ρ/ρ_(av)达5.1%。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号